本發(fā)明總體涉及一種振蕩器，特別涉及一種能夠降低擴(kuò)展相位噪聲和閉合相位噪聲的裝置。

背景技術(shù)：

為了降低閉合(closed-in)相位噪聲(例如低于100hz的頻率偏移)，傳統(tǒng)的雙引腳振蕩器，例如傳統(tǒng)的皮爾斯(pierces)振蕩器，用于產(chǎn)生和輸出較小電壓信號(hào)到下一級(jí)電路。較小的幅度可以避免諸如晶體管等有源器件受到非線(xiàn)性效應(yīng)的影響。然而，較小的幅度(電壓擺幅)也意味著傳統(tǒng)的皮爾斯(pierces)振蕩器的器件驅(qū)動(dòng)能力受到限制。傳統(tǒng)的皮爾斯(pierces)振蕩器不能降低擴(kuò)展(far-out)相位噪聲(例如，高于10khz的頻率偏移)。另一方面，為了降低擴(kuò)展相位噪聲(例如，高于10khz的頻率偏移)，使用了另一種類(lèi)型的傳統(tǒng)皮爾斯(pierces)振蕩器來(lái)產(chǎn)生以及輸出較大的電壓信號(hào)到下一級(jí)電路。較大的幅度改進(jìn)了器件驅(qū)動(dòng)能力，但是不幸的是，較大的幅度(電壓擺幅)會(huì)引起有源器件被非線(xiàn)性效應(yīng)所影響。這種類(lèi)型的傳統(tǒng)皮爾斯(pierces)振蕩器不能減少閉合相位噪聲。因此，現(xiàn)在工業(yè)開(kāi)發(fā)的這兩種皮爾斯(pierces)振蕩器都不能同時(shí)降低擴(kuò)展相位噪聲和閉合相位噪聲。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能降低擴(kuò)展相位噪聲和閉合相位噪聲的振蕩器裝置，以解決上述提及的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種振蕩器裝置，該振蕩器裝置包括：振蕩器核心電路，該振蕩器核心電路包括：反相跨導(dǎo)放大器，至少一個(gè)第一電容器，至少一個(gè)第二電容器，以及諧振器。其中，該至少一個(gè)第一電容器連接在該反相跨導(dǎo)放大器的輸入和地電平之間，該至少一個(gè)第二電容器連接在該反相跨導(dǎo)放大器的輸出和該地電平之間。該諧振器具有連接到該反相跨導(dǎo)放大器的輸入的第一端口和連接到該反相跨導(dǎo)放大器的輸出的第二端口。該第一端口與該第二端口去耦合，所以?xún)蓚€(gè)端口的共?？梢员华?dú)立的定義。

可選的，該至少一個(gè)第一電容器的電容小于該至少一個(gè)第二電容器的電容。

可選的，在該諧振器的第一端口上的電壓信號(hào)的幅度大于在該諧振器的第二端口上的電壓信號(hào)的幅度。

可選的，該振蕩器裝置進(jìn)一步包括：dc耦合電路和驅(qū)動(dòng)器，該dc耦合電路位于該振蕩器核心電路和該驅(qū)動(dòng)器之間，使得沒(méi)有ac耦合電容器及其損耗。

本發(fā)明提供的振蕩器裝置中的諧振器的第一端口與第二端口去耦合(decouple)，可以避免第二端口的噪聲反饋到第一端口，以降低第一端口的噪聲，進(jìn)而減少振蕩器裝置的噪聲。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例示出的振蕩器裝置的示意圖；

圖2a是圖1中所示出的振蕩器核心電路的等效電路圖；

圖2b是圖1中的電流源和反相跨導(dǎo)放大器的操作區(qū)域示意圖；

圖3是基于圖1所示出的諧振器的不同負(fù)電阻和c2與c1之間不同比率之間關(guān)系的示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例示出的振蕩器裝置的示意圖；

圖5是圖4所示出的振蕩器裝置的另一種實(shí)施方式的示意圖；

圖6是圖1中的偏置電路(biascircuit)的一種實(shí)施方式的示意圖；

圖7是圖1中的偏置電路(biascircuit)的另一種實(shí)施方式的示意圖。

具體實(shí)施方式

在如下描述和權(quán)利要求中所使用的特定術(shù)語(yǔ)涉及特定的元件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，電子設(shè)備廠(chǎng)商可以給元件以不同的命名。本發(fā)明不想以命名來(lái)區(qū)分元件，而是以功能來(lái)區(qū)分元件。在后續(xù)的描述和權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包括”是一種開(kāi)放式限定，其應(yīng)該理解為“包含但不限于…”。而且，術(shù)語(yǔ)“耦接”表示直接或者間接的電連接，該連接可以表示為一直接的電連接，或者表示為通過(guò)其他裝置或者連接的一間接的電連接。

請(qǐng)參閱圖1，圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的振蕩器裝置100的結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施例中，振蕩器裝置100是雙引腳振蕩器裝置(不限于此)和/或片上振蕩器裝置(不限于此)。振蕩器裝置100能夠降低擴(kuò)展相位噪聲以及閉合相位噪聲。例如，擴(kuò)展相位的定義是指頻率偏移分量遠(yuǎn)離特定頻率，例如大于10khz的頻率偏移，以及閉合相位噪聲的定義是指頻率偏移分量在特定頻率的鄰域范圍內(nèi)，例如小于100hz的頻率偏移。應(yīng)當(dāng)理解的是，前面提及的偏移頻率的例子僅僅用于示范性的目的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。振蕩器裝置100能夠?qū)崿F(xiàn)擴(kuò)展相位噪聲和閉合相位噪聲的改進(jìn)。在該實(shí)施例中，可以通過(guò)增強(qiáng)器件的驅(qū)動(dòng)能力，為驅(qū)動(dòng)器提供足夠的信號(hào)幅度，以及避免有源器件進(jìn)入非線(xiàn)性操作區(qū)域(三極管區(qū)域)來(lái)改進(jìn)相位噪聲，這些將在后續(xù)詳細(xì)描述。

實(shí)際上，振蕩器裝置100包括振蕩器核心電路(corecircuit)105，驅(qū)動(dòng)器110，偏置電路(biascircuit)115，位于振蕩器核心電路105和驅(qū)動(dòng)器110之間的dc耦合電路120，以及驅(qū)動(dòng)器110。驅(qū)動(dòng)器110可以由矩形波形成器(squarer)，反相緩沖器(inverterbuffer)，或者電壓增益緩沖器(voltagegainbuffer)等等實(shí)現(xiàn)。振蕩器核心電路105包括電流源1051，具有負(fù)跨導(dǎo)增益-gm的反相跨導(dǎo)放大器1052，至少一個(gè)第一電容器1053a，至少一個(gè)第二電容器1053b，和諧振器1054。具有負(fù)跨導(dǎo)增益-gm的反相跨導(dǎo)放大器1052能夠以多種有源器件實(shí)現(xiàn)，例如mos晶體管，和/或雙極性(bipolar)晶體管。在該實(shí)施例中，振蕩器核心電路105包括一個(gè)具有電容值c1的第一電容器1053a和一個(gè)具有電容值c2的第二電容器1053b。在其他實(shí)施例中，振蕩器核心電路105包括第一電容器陣列1053a和第二電容器陣列1053b，該第一電容器陣列1053a包括多個(gè)具有不同電容值的第一電容器，該第二電容器陣列1053b包括多個(gè)具有不同電容值的第二電容器。本發(fā)明對(duì)第一電容器陣列1053a中第一電容器的數(shù)目和第二電容器陣列1053b中第二電容器的數(shù)目不做限制。在這個(gè)實(shí)施例中，第一電容器1053a連接在反相跨導(dǎo)放大器1052的輸入和地電平gnd之間，以及第二電容器1053b連接在反相跨導(dǎo)放大器1052的輸出和地電平gnd之間。諧振器1054包括連接到反相跨導(dǎo)放大器1052的輸入的第一終端/節(jié)點(diǎn)/端口，和連接到反相跨導(dǎo)放大器1052的輸出的第二終端/節(jié)點(diǎn)/端口。諧振器1054的第一端口與諧振器1054的第二端口去耦合(decouple)，其中，第一端口對(duì)應(yīng)電壓信號(hào)vx1以及第二端口對(duì)應(yīng)電壓信號(hào)vx2。如圖1所示，在諧振器1054的第一端口與諧振器1054的第二端口之間沒(méi)有反饋電路。在該第一端口處的dc電壓偏置電平不取決于該第二端口處的dc電壓偏置電平以及不根據(jù)該第二端口處的dc電壓偏置電平而控制。在振蕩器核心電路105的第一端口處產(chǎn)生的電壓信號(hào)vx1通過(guò)該dc耦合電路120傳輸?shù)津?qū)動(dòng)器110，并且偏置電路115對(duì)該電壓信號(hào)vx1進(jìn)行偏置，具體的，偏置電路115通過(guò)dc耦合電路120耦接到第一端口，對(duì)第一端口的電壓信號(hào)vx1進(jìn)行偏置,偏置后的vx1透過(guò)dc耦合電路120傳遞到驅(qū)動(dòng)器。電壓信號(hào)vx1和vx2在諧振器1054上產(chǎn)生信號(hào)vo。實(shí)際上，可以根據(jù)如下等式確定諧振器1054的信號(hào)vo：

vo＝vx1-vx2

(這在vx2上增加了極性，這樣，振蕩器核心電路105產(chǎn)生的vx1與vx2是互相反向的)

其中，c1是第一電容器1053a的電容值，以及c2是第二電容器1053b的電容值。

通過(guò)dc耦合電路120，諧振器1054的第一端口能dc耦接到驅(qū)動(dòng)器110，不需要ac耦合電路。實(shí)際上，可以使用導(dǎo)線(xiàn)和/或電阻器來(lái)實(shí)現(xiàn)dc耦合電路120，該dc耦合電路120將包括直流的全頻譜信號(hào)傳遞到驅(qū)動(dòng)器110。不使用ac耦合電容器，偏置電路115通過(guò)使用低噪聲偏置電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，以為振蕩器核心電路105和驅(qū)動(dòng)器110提供具有低噪聲的偏置電壓作為共模電壓。如圖1所示，偏置電路115連接到諧振器1054的第一端口，以及該偏置電路115用于給諧振器1054的第一端口提供共模電壓。即使偏置電路115的噪聲被傳輸?shù)秸袷幤骱诵碾娐?05，擴(kuò)展相位噪聲也能被諧振器1054抑制。

驅(qū)動(dòng)器110的輸入是dc耦合到反相跨導(dǎo)放大器1052的輸入和諧振器1054的第一端口。驅(qū)動(dòng)器110根據(jù)在諧振器1054的第一端口產(chǎn)生的電壓信號(hào)vx1，產(chǎn)生方波信號(hào)以及在驅(qū)動(dòng)器110的輸出節(jié)點(diǎn)輸出方波信號(hào)。振蕩器裝置100為下一級(jí)電路提供方波信號(hào)作為參考時(shí)鐘信號(hào)。

為了改進(jìn)擴(kuò)展相位噪聲，代替使用ac耦合模塊，使用dc耦合電路120，由于諧振器1054的第一端口和第二端口去耦合(即在電壓信號(hào)vx1和vx2之間沒(méi)有反饋路徑)，該dc耦合電路120被連接在驅(qū)動(dòng)器110和諧振器1054的第一端口。由于消除了用于ac耦合的電容器，傳輸?shù)津?qū)動(dòng)器110的電壓信號(hào)vx1沒(méi)有被ac耦合電容器削弱。

為了改進(jìn)擴(kuò)展和閉合相位噪聲，在這個(gè)實(shí)施例中，配置第一電容器1053a的電容值c1小于第二電容器1053b的電容值c2。電容器1053a和1053b可以在芯片上實(shí)施。此外，電容值c1和c2可以被數(shù)字控制?？梢愿鶕?jù)如下等式重新分配或者調(diào)整電壓信號(hào)vx1和vx2的幅度。

ax1和ax2分別指示在諧振器1054的兩個(gè)端口上的電壓信號(hào)vx1和vx2的幅度(即擺幅swing)。電壓信號(hào)vx1的幅度ax1與電容值c1成反比，以及電壓信號(hào)vx2的幅度ax2與電容值c2成反比。由于較大的電容值c2和較小的電容值c1，幅度ax1與幅度ax2的比值被增大。這個(gè)配置能有效的避免電流源1051進(jìn)入三極管區(qū)域以及避免反相跨導(dǎo)放大器1052進(jìn)入三極管區(qū)域，以避免引起非線(xiàn)性效應(yīng)。

為了描述不同的電容值c1和c2的設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，請(qǐng)結(jié)合圖2b參閱圖2a。圖2a是圖1中振蕩器核心電路105的等效電路圖。圖2b示出圖1中電流源1051和反相跨導(dǎo)放大器1052的操作區(qū)域。如圖2a所示，諧振器1054包括電阻器rp，電感器lp和電容器cp。由于電容值c2大于電容值c1，所以電壓信號(hào)vx1的幅度ax1被增大并且大于電壓信號(hào)vx2的幅度ax2。正如圖2b所示出的，虛曲線(xiàn)所表示的兩個(gè)擺幅指示在傳統(tǒng)的振蕩器的兩個(gè)端口上的電壓擺幅，以及實(shí)曲線(xiàn)所表示的兩個(gè)擺幅指示在本發(fā)明所提供的諧振器1054的兩個(gè)端口上的電壓幅度(ax1和ax2)。虛線(xiàn)包圍的模塊205a包括三極管區(qū)域和飽和區(qū)域的操作區(qū)域，代表傳統(tǒng)振蕩器的有源器件很大可能會(huì)頻繁進(jìn)入三極管區(qū)域，以及由于閉合相位噪聲，有源器件的性能會(huì)降低。然而，與傳統(tǒng)振蕩器相比，為了降低閉合相位噪聲，幅度ax1被增大以及幅度ax2被縮小。基于設(shè)計(jì)的/配置的幅度ax1和ax2，電流源1051和反相跨導(dǎo)放大器1052的有源器件大部分被保持在飽和區(qū)內(nèi)，如圖2b所示。其中，實(shí)線(xiàn)包圍的模塊205b表示本發(fā)明提供的操作區(qū)域，其包括飽和區(qū)域和少部分的三極管區(qū)，代表本發(fā)明提供的振蕩器的有源器件大部分都在飽和內(nèi)。其中，圖2b中的vdd-vds,sat的上面以及斜直線(xiàn)的右側(cè)表示三極管區(qū)，vdd-vds,sat(其中，vds,sat為電流源1051的臨界飽和區(qū)輸出電壓)的上面表示電流源1051可能進(jìn)入三極管區(qū)，斜直線(xiàn)的右側(cè)表示反相跨導(dǎo)放大器1052可能進(jìn)入三極管區(qū)，從圖中可以看出，本發(fā)明該實(shí)施例提供的振蕩器的電流源1051不會(huì)進(jìn)入三極管區(qū)，反相跨導(dǎo)放大器1052只有一小部分進(jìn)入三極管區(qū)。需要理解的是，可以通過(guò)配置參數(shù)使得反相跨導(dǎo)放大器1052不進(jìn)入三極管區(qū)。其中，圖中斜直線(xiàn)(斜直線(xiàn)與vx1交點(diǎn)為vth)的右側(cè)是三級(jí)管區(qū),左側(cè)是飽和區(qū)。這樣的區(qū)分來(lái)自于反相跨導(dǎo)放大器1052的特性(晶體管特性)，反相跨導(dǎo)放大器1052的柵極端(gate)電壓為vx1，即vgate＝vx1，反相跨導(dǎo)放大器1052的漏極端(drain)電壓為vx2，vdrain＝vx2，vgate-vdrain<vth為飽和區(qū)。也就是說(shuō)，有源器件的工作區(qū)域幾乎在有源器件的整個(gè)操作周期內(nèi)保持在飽和區(qū)域內(nèi)。此大大降低了有源器件進(jìn)入三極管區(qū)域的可能性，以及盡可能降低閉合相位噪聲。

圖3是根據(jù)圖1的實(shí)施例示出諧振器1054的不同負(fù)電阻和c2與c1的不同比值的選擇之間的關(guān)系示意圖。根據(jù)如下等式確定和調(diào)整負(fù)電阻-r。

圖3的虛線(xiàn)表示負(fù)電阻–r的值，當(dāng)電容值c1等于c2時(shí)，負(fù)電阻–r的值處于最大值。負(fù)電阻–r的最大值表示傳統(tǒng)振蕩器的最佳啟動(dòng)條件，以及傳統(tǒng)振蕩器被配置為在最佳啟動(dòng)條件下操作。(即采用負(fù)電阻–r的最大值)。因此，考慮到最佳啟動(dòng)條件，傾向于將傳統(tǒng)的兩端口振蕩器中的兩個(gè)電容器配置為具有相同的電容值。

然而，在本發(fā)明實(shí)施例中，考慮到相位噪聲的改進(jìn)，第二電容器1053b的電容值c2設(shè)計(jì)為比第一電容器1053a的電容值c1大，以及c2與c1的比值設(shè)計(jì)為大于1，例如1.1或者1.2。采用如下公式確定負(fù)載電容值c_load：

為了保持負(fù)載電容值c_load恒定或者固定(不限于此)，當(dāng)c2與c1的比值變大時(shí)，電容值c1和c2的和變大，如圖3所示。為了避免任何有源器件(例如振蕩器裝置100中的晶體管)進(jìn)入三極管區(qū)域，考慮到實(shí)際上電容值變化的百分比為從-10％到+10％，設(shè)計(jì)c2與c1的比值大于1.1。在優(yōu)選實(shí)施例中，設(shè)計(jì)c2與c1的比值大于1.2。也就是說(shuō)，c2與c1的比值的下限為1.1或者1.2。此外，根據(jù)負(fù)電阻值/電容值(-r)以及總體電容器面積，設(shè)計(jì)c2與c1的比值的上限。這些變形都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

此外，對(duì)于電容器1053a和1053b的實(shí)現(xiàn)，為了獲得更大的幅度ax1和減少閉合相位噪聲，第一電容器1053a可以使用不依賴(lài)于電壓的線(xiàn)性電容器實(shí)現(xiàn)，該線(xiàn)性電容器不隨著電壓擺幅的變化而變化。此外，為了節(jié)省芯片面積，第二電容器1053b可以用高密度電容器實(shí)現(xiàn)，該實(shí)施例中，高密度電容器是用晶體管做的，所以該高密度電容器的電容值會(huì)隨著電壓的擺幅做微小變化。例如，如果高密度電容器的電容值是線(xiàn)性電容器的4倍。假定c_load相同，當(dāng)電容值c2與c1的比值等于1以及第一電容器1053a和第二電容器1053b都使用線(xiàn)性電容器實(shí)現(xiàn)，所需的總電容器面積是線(xiàn)性電容器單位面積電容值的面積的2.4倍。或者，當(dāng)電容值c2與c1的比值等于1.5以及第一電容器1053a和第二電容器1053b都使用線(xiàn)性電容器實(shí)現(xiàn)，所需的總電容器面積是線(xiàn)性電容器單位面積電容值的面積的2.5倍。電容器的面積可以比預(yù)期的稍大一點(diǎn)。然而，如果第一電容器1053a由線(xiàn)性電容器實(shí)現(xiàn)，第二電容器1053b由高密度電容器實(shí)現(xiàn)，則所需的總電容器面積可以被減小為線(xiàn)性電容器單位面積電容值的面積的1.375倍。也就是說(shuō)，本發(fā)明可以節(jié)省電容器的芯片面積，并可以降低信噪比(snr)。

另外，線(xiàn)性電容器可以通過(guò)金屬絕緣體金屬(metalinsulatormetal，mim)電容器或金屬氧化物金屬(metaloxidemetal，mom)電容器(但不限于此)來(lái)實(shí)現(xiàn)。高密度電容器可以由金屬氧化物半導(dǎo)體(metaloxidesemiconductor，mos)電容器(但不限于此)來(lái)實(shí)現(xiàn)。所有這些能夠帶來(lái)如下效果：振蕩器裝置100可以在低電壓電平下操作和/或可以通過(guò)使用低成本工藝來(lái)制造振蕩器裝置100的有源器件。

而且，第一電容器和/或第二電容器可以是可調(diào)電容器陣列以克服片外寄生電容量的不確定性。圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的振蕩器裝置400的圖。振蕩器裝置400可以是兩管腳振蕩器裝置(不限于此)和/或片上振蕩器裝置(不限于此)。振蕩器裝置400能夠減少擴(kuò)展相位噪聲以及減少閉合相位噪聲。實(shí)際上，振蕩器裝置400包括振蕩器核心電路405，驅(qū)動(dòng)器110，偏置電路115和位于振蕩器核心電路405和驅(qū)動(dòng)器110之間的dc耦合電路120。振蕩器核心電路405包括電流源1051，具有負(fù)跨導(dǎo)增益-gm的反相跨導(dǎo)放大器1052，第一開(kāi)關(guān)電容器陣列4053a，第二開(kāi)關(guān)電容器陣列4053b，以及諧振器1054。第一開(kāi)關(guān)電容器陣列4053a包括多個(gè)開(kāi)關(guān)s11-s1n和多個(gè)第一電容器c11-c1n，其中多個(gè)第一電容器c11-c1n的電容值可以相等也可以彼此不相等。第二開(kāi)關(guān)電容器陣列4053b包括多個(gè)開(kāi)關(guān)s21-s2m和多個(gè)第二電容器c21-c2m，其中多個(gè)第二電容器c21-c2m的電容值可以相等也可以彼此不相等。n和m是正整數(shù)，n和m可以相等，也可以不相等。根據(jù)開(kāi)關(guān)s11-s1n和s21-s2m，以及電容器c11-c1n和c21-c2m，振蕩器裝置400用于提供具有不同振蕩頻率的輸出信號(hào)。此外，如圖4所示，反相跨導(dǎo)放大器1052可以使用nmos晶體管實(shí)現(xiàn)，該nmos晶體管具有連接到諧振器1054的第一端口的控制節(jié)點(diǎn)，連接到電流源1052和諧振器1054的第二端口的第一節(jié)點(diǎn)，以及連接到地電平的第二節(jié)點(diǎn)。

此外，反相跨導(dǎo)放大器可以使用coms結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。圖5示出了圖4所示出的振蕩器裝置400的另一種實(shí)施方式。裝置400中的反相跨導(dǎo)放大器1052可以使用互補(bǔ)mos結(jié)構(gòu)電路。圖5中的反相跨導(dǎo)放大器1052包括nmos晶體管和pmos晶體管。pmos晶體管包括連接到諧振器1054的第一端口的控制節(jié)點(diǎn)，連接到電流源1051的第一節(jié)點(diǎn)，以及連接到諧振器1054的第二端口的第二節(jié)點(diǎn)。nmos晶體管包括連接到諧振器1054的第一端口的控制節(jié)點(diǎn)，連接到諧振器1054的第二端口和pmos晶體管的第二節(jié)點(diǎn)的第一節(jié)點(diǎn)，以及連接到地電平的第二節(jié)點(diǎn)。

進(jìn)一步，偏置電路115可以采用各種電路實(shí)現(xiàn)。圖6和圖7分別示出圖1中偏置電路115的不同實(shí)施例。如圖6所示，偏置電路115包括電阻器rb以及反相器1151。基于低噪聲和最優(yōu)偏置點(diǎn)的考慮選擇反相器的大小。電阻器rb耦接在dc耦合電路120的輸出和反相器1151的輸入之間，電阻器rb被用作高阻抗/電阻以避免偏置電路115中的反相器1151去負(fù)載諧振器1054，避免降低諧振器1054的品質(zhì)因子。反相器1151的輸入節(jié)點(diǎn)耦接到電阻器rb并且耦接到反相器1151的輸出節(jié)點(diǎn)。反相器1151可以被電流源125提供的特定電流偏置和控制，該電流源125也用于提供特定電流以偏置和控制驅(qū)動(dòng)器110。其中，電流源125也可以是電壓源(也就是說(shuō)，在其他的實(shí)施方式中，可以使用電壓源來(lái)代替電流源)，提供特定電壓以偏置和控制驅(qū)動(dòng)器110和/或反相器1151?；蛘?，如圖7所示，偏置電路115包括連接到驅(qū)動(dòng)器110的輸入節(jié)點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)器110的輸出節(jié)點(diǎn)之間的電阻器rb。這些變形都應(yīng)落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。

進(jìn)一步，對(duì)于振蕩器裝置100/400的操作，c2與c1的比值的上限能夠根據(jù)頻率調(diào)諧范圍，負(fù)載電容c_load，和/或前面提及的負(fù)電阻值-r來(lái)確定/估算。此外，可以確定/估算c2與c1的比值的下限以避免有源器件進(jìn)入三極管區(qū)域(trioderegion)。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。