本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種LED驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

LED作為特性敏感的半導(dǎo)體器件，在應(yīng)用時需對其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)保護(hù)，因此，需要采用LED驅(qū)動電路作為LED的電源。而LED正常工作時，不僅對電流的需求大，而且還需對電流進(jìn)行PWM控制，因此，現(xiàn)階段的LED驅(qū)動電路通常會將具有不同功能的器件，例如DC/DC恒壓芯片、恒流控制芯片、邏輯控制器等結(jié)合起來以驅(qū)動LED，如此，不僅使LED驅(qū)動電路復(fù)雜，而且大大提高了LED驅(qū)動電路的成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對上述問題，提供一種LED驅(qū)動電路，不僅可以簡化電路，而且可以降低成本。

一種LED驅(qū)動電路，包括：控制模塊、恒流模塊、MOS管、PWM控制器以及電流取樣電路；

所述恒流模塊通過所述MOS管連接LED；

所述控制模塊連接至恒流模塊，并通過所述PWM控制器與所述MOS管的基極連接；

所述MOS管通過電流取樣電路分別連接至控制模塊和恒流模塊；

所述恒流模塊在恒流控制信號與采樣電流的控制下輸出恒流至所述MOS管，所述MOS管在PWM控制信號的控制下輸出PWM恒流至LED；

所述控制模塊輸出所述恒流控制信號至所述恒流模塊，并通過所述PWM控制器輸出所述PWM控制信號；

所述電流取樣電路對流經(jīng)所述LED的電流進(jìn)行采樣，得到所述采樣電流，并將所述采樣電流分別反饋至所述控制模塊和所述恒流模塊；

所述恒流模塊根據(jù)所述采樣電流與所述恒流控制信號對所述恒流進(jìn)行調(diào)整；

所述控制模塊根據(jù)所述采樣電流調(diào)整所述恒流控制信號。

上述的LED驅(qū)動電路通過所述電流取樣電路使所述恒流模塊與所述控制模塊之間形成兩個閉合環(huán)路，即所述恒流模塊、所述MOS管、所述LED以及所述電流取樣電路之間形成的第一個閉合環(huán)路，所述恒流模塊、所述MOS管、所述LED、所述電流取樣電路以及所述控制模塊之間形成的第二個閉合環(huán)路，而所述恒流模塊可以通過兩個閉合環(huán)路分別接收所述恒流控制信號與所述采樣電流以輸出恒流至所述MOS管；與此同時，所述控制模塊還可以通過PWM控制器控制所述MOS的截止與導(dǎo)通，對流至所述MOS管的恒流進(jìn)行PWM控制，以使流入LED的電流為PWM恒流，從而簡單方便地實(shí)現(xiàn)對所述LED的驅(qū)動。而所述LED驅(qū)動電路也因上述設(shè)置，不僅大大簡化了電路，也降低了成本。

附圖說明

圖1為一個實(shí)施例中的LED驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一個具體實(shí)施例中的LED驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及取得的效果，下面結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，進(jìn)行清楚和完整的描述。

請參見圖1和圖2，一種LED驅(qū)動電路，包括控制模塊、恒流模塊、MOS管、PWM控制器以及電流取樣電路，其中，所述恒流模塊的輸出端通過所述MOS管連接LED，示例性的，可以使所述MOS管的漏極與LED的陽極連接，所述MOS管的源極與所述LED的陰極連接；所述控制模塊連接至恒流模塊，并通過所述PWM控制器與所述MOS管的基極連接；所述MOS管通過電流取樣電路分別連接至控制模塊和恒流模塊。

上述LED驅(qū)動電路在供電開機(jī)后，所述恒流模塊通過所述MOS管對所述LED供電，所述電流取樣電路對流經(jīng)LED的電流進(jìn)行采樣，并將得到的采樣電流分別反饋至所述控制模塊與所述恒流模塊。所述控制模塊一方面根據(jù)接收到的所述采樣電流對其輸出的恒流控制信號進(jìn)行調(diào)整，并將調(diào)整好的所述恒流控制信號輸出至所述恒流模塊，而所述恒流控制信號可以與反饋至所述恒流模塊的所述采樣電流在所述恒流模塊內(nèi)一起耦合形成閉合的環(huán)路，從而使所述恒流模塊輸出恒流至所述MOS管；所述控制模塊另一方面通過所述PWM控制器輸出PWM控制信號至所述MOS管的基極，以控制所述MOS管的截止與導(dǎo)通，從而對從所述恒流模塊流至所述MOS管的恒流進(jìn)行PWM控制，使所述MOS管在PWM控制信號的控制下輸出PWM恒流至LED，從而驅(qū)動LED。

本實(shí)施例中的所述LED驅(qū)動電路通過所述電流取樣電路使所述恒流模塊與所述控制模塊之間形成兩個閉合環(huán)路，即所述恒流模塊、所述MOS管、所述LED以及所述電流取樣電路之間形成的第一個閉合環(huán)路，所述恒流模塊、所述MOS管、所述LED、所述電流取樣電路以及所述控制模塊之間形成的第二個閉合環(huán)路，而所述恒流模塊可以通過兩個閉合環(huán)路分別接收所述恒流控制信號與所述采樣電流以輸出恒流至所述MOS管；與此同時，所述控制模塊還可以通過PWM控制器控制所述MOS的截止與導(dǎo)通，對流至所述MOS管的恒流進(jìn)行PWM控制，以使流入LED的電流為PWM恒流，從而簡單方便地實(shí)現(xiàn)對所述LED的驅(qū)動。而所述LED驅(qū)動電路也因上述設(shè)置，不僅大大簡化了電路，也降低了成本。

請參見圖2，在一個實(shí)施例中，所述控制模塊可以包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器、MCU和模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其中，所述電流取樣電路通過所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器與所述MCU連接，以將所述電流取樣電路輸出的采樣電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號至所述MCU；而所述MCU連接于所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器與外部控制系統(tǒng)之間，所述外部控制系統(tǒng)可以是由DMD芯片和相關(guān)軟件平臺形成的系統(tǒng)，而該系統(tǒng)可以對反饋至所述MCU的采樣電流進(jìn)行解析，并根據(jù)所述DMD芯片發(fā)出的RGB色彩信號和所述軟件平臺發(fā)出的控制信號向所述MCU發(fā)送LED控制信號指令，使所述MCU可以通過所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器輸出合適的所述恒流控制信號；此外，所述MCU還可以通過所述PWM控制器與所述MOS管的基極連接。示例性的，所述PWM控制器可以采用脈沖開關(guān)。

為了對所述LED進(jìn)行過流保護(hù)，進(jìn)一步的，在一個實(shí)施例中，請參見圖2，還可以在所述電流取樣電路與所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器之間增設(shè)電流監(jiān)控器，該電流監(jiān)控器可以對流經(jīng)所述LED的電流進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測，當(dāng)電流過大時，可以使所述MCU及時發(fā)出關(guān)斷信號，從而實(shí)現(xiàn)對所述LED的保護(hù)。

在一個實(shí)施例中，請參見圖2，所述恒流模塊可以包括恒流控制芯片與功率開關(guān)器件，而所述恒流控制芯片連接于所述功率開關(guān)器件與所述控制模塊之間，所述功率開關(guān)器件通過所述MOS管連接所述LED。示例性的，所述恒流控制芯片可以采用DC-DC恒流芯片，而所述DC-DC恒流芯片可以是現(xiàn)有的MAX16821A芯片。進(jìn)一步的，在一個實(shí)施例中，請參見圖2，所述恒流模塊還可以包括連接于所述功率開關(guān)器件與所述MOS管之間的功率電感。

在一個實(shí)施例中，如圖2所示，所述功率開關(guān)器件可以包括第一上功率MOS管與第一下功率MOS管，其中所述第一上功率MOS管的漏極與電源連接，本實(shí)施例中的電源可以輸出電壓為12V的電流，所述第一上功率MOS管的基極與所述恒流控制芯片的第一輸出端連接，所述第一上功率MOS管的源極與所述第一下功率MOS管的漏極連接，所述第一下功率MOS管的基極與所述恒流控制芯片的第二輸出端連接，所述第一下功率MOS管的源極接地。進(jìn)一步的，在一個實(shí)施例中，所述功率開關(guān)器件還可以包括第二上功率MOS管與第二下功率MOS管，其中，所述第二上功率MOS管的漏極與所述電源連接，所述第二上功率MOS管的基極與所述第一上功率MOS管的基極連接，所述第二上功率MOS管的源極與所述第二下功率MOS管的漏極連接；所述第二下功率MOS管的源極均接地，與所述第二下功率MOS管的基極與所述第一下功率MOS管的基極連接。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。