技術(shù)特征：

1.一種基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，包括：

對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開(kāi)通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開(kāi)通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

根據(jù)所述第一閾值時(shí)間Δt和所述第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開(kāi)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt，所述第二預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m，所述當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開(kāi)通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件包括：

當(dāng)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt時(shí)，根據(jù)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt和所述IGBT的開(kāi)通條件，使所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m；

其中，所述第一閾值時(shí)間Δt在第一時(shí)間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取，所述第二閾值時(shí)間t_m在所述第一時(shí)間段根據(jù)第二時(shí)刻感應(yīng)電流I₁獲取。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，所述根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而實(shí)現(xiàn)單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開(kāi)通包括：

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在所述零點(diǎn)電壓開(kāi)通。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述第一閾值時(shí)間Δt在第一時(shí)間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取包括：

對(duì)第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)進(jìn)行分析，得到所述第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系；

通過(guò)對(duì)所述單管感應(yīng)加熱主電路進(jìn)行分析，獲得所述第一時(shí)間段內(nèi)的特定相位

根據(jù)所述第一正比例關(guān)系和所述特定相位得到所述第一閾值時(shí)間Δt，其中，所述第一閾值時(shí)間Δt與所述峰值電流I_pk成反比例關(guān)系。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述通過(guò)對(duì)所述單管感應(yīng)加熱主電路進(jìn)行分析，獲得所述第一時(shí)間段內(nèi)的特定相位包括：

根據(jù)下式計(jì)算所述特定相位：

其中，為所述特定相位，C₁為諧振電容，U為直流電壓，I為電感電流，ω為所述角頻率。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述第一閾值時(shí)間Δt包括：

其中，Δt為所述第一閾值時(shí)間，為所述特定相位，ω為所述角頻率。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述第二閾值時(shí)間t_m在所述第一時(shí)間段根據(jù)第二時(shí)刻感應(yīng)電流I₁獲取包括：

獲取第二時(shí)刻電感電流I₁；

根據(jù)所述第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m；

對(duì)所述第二閾值時(shí)間t_m進(jìn)行求導(dǎo)和縮放，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m與所述峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件包括：

I²＞C₁U²/L₁

其中，I為所述電感電流，C₁為諧振電容，U為直流電壓，L₁為電感。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m包括：

$t_m=\frac{\arctan \frac{{\mathrm{U\ωC}}_1}{I}}{\mathrm{\ω}}+\frac{I_1{L}_1}{U}$

其中，t_m為所述第二閾值時(shí)間，C₁為所述諧振電容，U為所述直流電壓，L₁為所述電感，ω為角頻率，I為所述電感電流。

10.一種基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

延遲時(shí)間增加器，用于對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開(kāi)通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

閾值時(shí)間獲取器，用于當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開(kāi)通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

極值獲取器，用于根據(jù)所述第一閾值時(shí)間Δt和所述第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

ZVS實(shí)現(xiàn)器，用于根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開(kāi)通。