本發(fā)明涉及射頻無線通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種片上濾波器電路及片上濾波器芯片。

背景技術(shù)：

隨著毫米波濾波系統(tǒng)在各個應(yīng)用領(lǐng)域的迅速發(fā)展，對毫米波濾波器提出了越來越高的要求，毫米波濾波器具有選擇頻率的特性，即可以讓某些頻率順利通過，而對其他頻率則加以阻攔，隨著濾波器技術(shù)在無線通訊和雷達(dá)系統(tǒng)中應(yīng)用的不斷增多，對電路尺寸小、制作簡單的濾波器的需求也日益增加。

現(xiàn)有的毫米波濾波器電路一般在平面電路板上完成，通常由電抗元件組成，如在負(fù)載電阻兩端并聯(lián)電容器C，或與負(fù)載串聯(lián)電感器L，以及由電容，電感組成而成的各種復(fù)式濾波電路。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下技術(shù)問題：

現(xiàn)有的毫米波濾波器電路，在平面電路板上集中式實現(xiàn)時，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，難調(diào)整，計算復(fù)雜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供的片上濾波器電路及片上濾波器芯片，通過在片上金屬層走線，結(jié)合分布式傳輸線與芯片加工工藝的優(yōu)點(diǎn)，從而設(shè)計出片上濾波器電路，結(jié)構(gòu)簡單，同時具有寬帶寬、低插損的優(yōu)良性能。

第一方面，本發(fā)明提供一種片上濾波器電路，包括電磁波輸入電路，電磁波輸出電路，多模分布式諧振器，且所述多模分布式諧振器位于所述電磁波輸入電路和所述電磁波輸出電路之間，其中，

所述電磁波輸入電路包括第一輸入饋線、第二輸入饋線、第一管腳、第三管腳、第四管腳、鍵合線a、鍵合線b、鍵合線e；

所述第一管腳的一端通過所述鍵合線e連接PCB輸入端，所述第一管腳的另一端連接所述第一輸入饋線一端，所述第一輸入饋線與所述第二輸入饋線相連，所述第三管腳和所述第四管腳分別位于所述第一管腳的正上方和正下方，所述第三管腳通過所述鍵合線a與PCB接地端連接，所述第四管腳通過所述鍵合線b與所述PCB接地端連接；

電磁波輸出電路包括第一輸出饋線、第二輸出饋線、第二管腳、第五管腳、第六管腳、鍵合線c、鍵合線d、鍵合線f；

所述第二管腳的一端通過所述鍵合線f連接PCB輸出端，所述第二管腳的另一端連接所述第一輸出饋線一端，所述第一輸出饋線與所述第二輸出饋線相連，所述第五管腳和所述第六管腳分別位于所述第二管腳的正上方和正下方，所述第五管腳通過所述鍵合線c與所述PCB接地端連接，所述第六管腳通過所述鍵合線d與所述PCB接地端連接；

所述多模分布式諧振器包括SIR型濾波器、至少一條加載線，所述SIR型濾波器與所述至少一條加載線相連，隨著所述至少一條加載線形狀和數(shù)量的改變，實現(xiàn)多模濾波?？蛇x地，所述片上濾波器電路的布線承載于硅基芯片上。

可選地，所述第二輸入饋線和SIR型濾波器采用平行耦合即耦合線耦合結(jié)構(gòu)連接。

可選地，所述第一輸出饋線和SIR型濾波器采用平行耦合即耦合線耦合結(jié)構(gòu)連接。

可選地，所述多模分布式諧振器與所述電磁波輸入電路之間以耦合方式傳輸信號。

可選地，所述多模分布式諧振器與所述電磁波輸出電路之間以耦合方式傳輸信號。

第三方面，本發(fā)明提供一種片上濾波器芯片，所述片上濾波器芯片包括上述片上濾波器電路。

本發(fā)明實施例提供的片上濾波器電路及片上濾波器芯片，通過在片上金屬層走線，結(jié)合分布式傳輸線與芯片加工工藝的優(yōu)點(diǎn)，從而設(shè)計出片上濾波器電路，結(jié)構(gòu)簡單，同時具有寬帶寬、低插損的優(yōu)良性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例片上濾波器電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例片上濾波器電路及片上濾波器芯片實現(xiàn)多模濾波示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供一種片上濾波器電路，如圖1所示，所述電路包括電磁波輸入電路，電磁波輸出電路，多模分布式諧振器，且所述多模分布式諧振器位于所述電磁波輸入電路和所述電磁波輸出電路之間，其中，

所述電磁波輸入電路包括第一輸入饋線11、第二輸入饋線12、第一管腳21、第三管腳23、第四管腳23、鍵合線a、鍵合線b、鍵合線e；

所述第一管腳21的一端通過所述鍵合線e連接PCB輸入端，所述第一管腳21的另一端連接所述第一輸入饋線11一端，所述第一輸入饋線11與所述第二輸入饋線12連接，所述第三管腳23和所述第四管腳24分別位于所述第一管腳21的正上方和正下方，所述第三管腳23通過所述鍵合線a與PCB接地端連接，所述第四管腳24通過所述鍵合線b與所述PCB接地端連接；

電磁波輸出電路包括第一輸出饋線13、第二輸出饋線14、第二管腳22、第五管腳25、第六管腳26、鍵合線c、鍵合線d、鍵合線f；

所述第二管腳22的一端通過所述鍵合線f連接PCB輸出端，所述第二管腳22的另一端連接所述第一輸出饋線13一端，所述第一輸出饋線13和所述第二輸出饋線14相連，所述第五管腳25和所述第六管腳26分別位于所述第二管腳22的正上方和正下方，所述第五管腳25通過所述鍵合線c與所述PCB接地端連接，所述第六管腳26通過所述鍵合線d與所述PCB接地端連接；

所述多模分布式諧振器包括SIR型濾波器15，至少一條加載線16，所述SIR型濾波器15與所述至少一條加載線16相連，隨著所述至少一條加載線16形狀和數(shù)量的改變，實現(xiàn)多模濾波。

可選地，所述電磁波信號從所述PCB輸入端進(jìn)入所述第一輸入饋線11和所述第二輸入饋線12組成的耦合結(jié)構(gòu)中，所述第一輸入饋線11和所述第二輸入饋線12組成的耦合結(jié)構(gòu)產(chǎn)生耦合信號，所述耦合信號在所述SIR型濾波器15中傳輸。

其中，所述加載線16的數(shù)量改變時，所述多模分布式諧振器的模數(shù)改變；

其中，所述加載線16的形狀改變時，所述多模分布式諧振器的電長度改變，從而使得所述多模分布式諧振器的頻點(diǎn)改變，以至于選擇輸入信號的頻率發(fā)生改變，從而實現(xiàn)帶通濾波器的特性。

可選地，如圖2所示，為片上濾波器電路及片上濾波器芯片實現(xiàn)多模濾波的示意圖，其中，所述電磁波通過所述PCB輸入端輸入后，經(jīng)過所述鍵合線e及所述第一管腳21進(jìn)入第一輸入饋線11以及第二輸入饋線12，所述第一輸入饋線11以及第二輸入饋線12通過耦合方式將所述電磁波信號耦合進(jìn)入SIR型濾波器中，所述SIR型濾波器所述至少一條加載線16相連，所述加載線16的數(shù)量及形狀改變后，所述電磁波進(jìn)入不同加載線實現(xiàn)不同頻率的濾波特性，并將所述不同頻率的電磁波通過所述輸出饋線14以及輸出饋線13連接PCB輸出端輸出。

可選地，所述SIR型濾波器15中的濾波后的信號通過所述第一輸出饋線13和所述第二輸出饋線14組成的耦合結(jié)構(gòu)輸入到所述PCB輸出端以實現(xiàn)濾波性能。

本發(fā)明實施例提供的片上濾波器電路及片上濾波器芯片，通過在片上金屬層走線，結(jié)合分布式傳輸線與芯片加工工藝的優(yōu)點(diǎn)，從而設(shè)計出片上濾波器電路，結(jié)構(gòu)簡單，同時具有寬帶寬、低插損的優(yōu)良性能。

可選地，所述片上濾波器電路的布線承載于硅基芯片上。

可選地，所述第二輸入饋線12和SIR型濾波器采用平行耦合即耦合線耦合結(jié)構(gòu)連接。

可選地，所述第一輸出饋線13和SIR型濾波器采用平行耦合即耦合線耦合結(jié)構(gòu)連接。

可選地，所述多模分布式諧振器與所述電磁波輸入電路之間以耦合方式傳輸信號。

可選地，所述多模分布式諧振器與所述電磁波輸出電路之間以耦合方式傳輸信號。

可選地，所述多模分布式諧振器中的SIR型濾波器15與所述加載線16之間以耦合方式傳輸信號。

具體地，所述加載線16的數(shù)量改變時，所述多模分布式諧振器的模數(shù)改變；

具體地，所述加載線16的形狀改變時，所述多模分布式諧振器的電長度改變，從而使得所述多模分布式諧振器的頻點(diǎn)改變，以至于選擇輸入信號的頻率發(fā)生改變，從而實現(xiàn)帶通濾波器的特性。

本發(fā)明實施例還提供一種片上濾波器芯片，所述片上濾波器芯片包括上述片上濾波器電路。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory，ROM)或隨機(jī)存儲記憶體(Random Access Memory，RAM)等。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。