技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種極低漏電模擬開關(guān)、芯片及通信終端。該極低漏電模擬開關(guān)包括兩個(gè)模擬開關(guān)、兩個(gè)單刀雙擲開關(guān)、一倍電壓緩沖器、NMOS晶體管和PMOS晶體管。本發(fā)明有效地降低了關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流。實(shí)際測(cè)量的漏電流數(shù)量級(jí)較傳統(tǒng)模擬開關(guān)小108數(shù)量級(jí)，而且對(duì)溫度不敏感。應(yīng)用該極低漏電模擬開關(guān)的低速模擬電路能夠?qū)崿F(xiàn)更高的信號(hào)處理精度，有效擴(kuò)大了低速模擬電路的使用范圍。

技術(shù)研發(fā)人員：林升;白云芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：唯捷創(chuàng)芯(天津)電子技術(shù)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611269197
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.31
技術(shù)公布日：2017.05.10