1.IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結(jié)構(gòu)，其特征在于包括驅(qū)動電路和基板結(jié)構(gòu)，所述驅(qū)動電路設(shè)置在所述基板結(jié)構(gòu)上，所述驅(qū)動電路包括電源、橋式整流器、采樣調(diào)整電路和IC驅(qū)動芯片，所述電源與橋式整流器連接整流，所述橋式整流器與所述采樣調(diào)整電路連接，所述采樣調(diào)整電路與所述IC驅(qū)動芯片連接，所述橋式整流器接地，所述橋式整流器與所述采樣調(diào)整電路間設(shè)置電容C1進(jìn)行濾波，所述電容C1另一端接地，所述IC驅(qū)動芯片通過Vdd端口與電容C2連接，所述電容C2另一端接地；
所述采樣調(diào)整電路包括采樣電阻R1、R2和R3、調(diào)節(jié)電阻R4，開關(guān)SW0、SW1、SW2、SW3和外部電阻Rset，所述采樣電阻R1、R2和R3串聯(lián)，采樣電阻R3接地，所述調(diào)節(jié)電阻R4與所述采樣電阻R1、R2和R3并聯(lián)，所述采樣電阻R1、R2和R3串聯(lián)和所述調(diào)節(jié)電阻R4均與所述IC驅(qū)動芯片連接，所述IC驅(qū)動芯片通過Iset端口與外部電阻Rset連接，所述外部電阻Rset另一端接地,所述IC驅(qū)動芯片通過G端口接地，所述IC驅(qū)動芯片通端口與開關(guān)SW0、SW1、SW2、SW3連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板結(jié)構(gòu)包括基板、蝕刻線路、LED發(fā)光芯片放置區(qū)、驅(qū)動芯片放置區(qū)、元件焊接放置區(qū)、接觸點(diǎn)，所述基板內(nèi)置所述蝕刻線路，所述LED發(fā)光芯片放置區(qū)、所述驅(qū)動芯片放置區(qū)、所述元件焊接放置區(qū)、所述接觸點(diǎn)均設(shè)置在所述基板上，所述LED發(fā)光芯片放置區(qū)內(nèi)放置多個(gè)LED發(fā)光芯片，所述驅(qū)動芯片放置區(qū)放置有IC驅(qū)動芯片，所述電源通過橋式整流器經(jīng)過蝕刻線路與所述驅(qū)動芯片連接，所述LED發(fā)光芯片放置區(qū)外設(shè)置導(dǎo)通線路區(qū),所述元件焊接放置區(qū)為多個(gè)，每個(gè)所述焊接放置區(qū)的周邊設(shè)置接觸點(diǎn)，所述蝕刻線路連通所述元件焊接放置區(qū)，所述蝕刻線路匯總區(qū)連接地線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結(jié)構(gòu)，其特征在于所述元件焊接放置區(qū)和所述接觸點(diǎn)上均設(shè)置鍍銀層，所述鍍銀層為0.1-0.5mm，所述LED發(fā)光芯片放置區(qū)內(nèi)放置多個(gè)LED發(fā)光芯片的10-18W，所述元件焊接放置區(qū)放置元器件，所述元器件為多個(gè)均與所述IC驅(qū)動芯片連接，所述基板為陶瓷基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC集成封裝不需要外接電源的LED燈珠結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板的尺寸30mmx30mm，所述采樣電阻R1、R2和R3為2.0-4.0兆歐，所述調(diào)節(jié)電阻R4為10-20千歐，所述外部電阻Rset為80-200千歐。