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      線圈盤及電磁烹飪器具的制作方法

      文檔序號:12656298閱讀:711來源:國知局
      線圈盤及電磁烹飪器具的制作方法與工藝
      本實(shí)用新型涉及烹飪器具
      技術(shù)領(lǐng)域
      ,特別涉及一種線圈盤及電磁烹飪器具。
      背景技術(shù)
      :電磁式烹飪器具,諸如電磁爐、電飯煲和壓力鍋等,通常是依靠交流電通過線圈產(chǎn)生交變磁場,從而使鍋底產(chǎn)生渦流而發(fā)熱,達(dá)到烹飪食物的目的。參照圖1,目前,電磁式烹飪器具內(nèi)部的線圈盤包括繞組線圈11’、線圈盤座10’和磁條等。繞組線圈都是呈整個(gè)圓環(huán)形纏繞于線圈盤座上,然后對器具進(jìn)行加熱。在加熱過程中,根據(jù)線圈盤所產(chǎn)生的磁感線的分布情況,線圈盤產(chǎn)生的磁感線由中部逐漸向外減弱,如此,對鍋底而言,加熱不均勻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型的主要目的是提供一種線圈盤,旨在解決現(xiàn)有電磁烹飪器具加熱不均勻的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提出的一種線圈盤,用于電磁烹飪器具,包括線圈盤座和安裝于所述線圈盤座上的繞組線圈,所述線圈盤座具有一平底,所述繞組線圈安裝于所述平底上設(shè)置的繞線槽內(nèi);所述繞組線圈包括一第一繞組和設(shè)置于所述第一繞組周邊的多個(gè)第二繞組,多個(gè)所述第二繞組在所述第一繞組周向上間隔排布;且所述第二繞組的邊緣與所述第一繞組的邊緣之間的間距小于50mm。優(yōu)選的,所述第一繞組的邊緣與所述第二繞組的邊緣之間的間距大于等于20mm且小于等于30mm。優(yōu)選的,所述第一繞組和所述第二繞組至少其中之一呈圓環(huán)形設(shè)置。優(yōu)選的,所述第一繞組呈圓環(huán)形設(shè)置,所述第一繞組的直徑大于等于80mm且小于等于150mm。優(yōu)選的,所述第一繞組的直徑大于等于100mm且小于等于120mm。優(yōu)選的,所述第二繞組呈圓環(huán)形設(shè)置,且所述第二繞組的直徑在50mm至120mm內(nèi)。優(yōu)選的,所述第二繞組的直徑在80mm至100mm內(nèi)。優(yōu)選的,所述第一繞組與所述第二繞組均呈圓環(huán)形設(shè)置,所述第一繞組的直徑大于所述第二繞組的直徑。本實(shí)用新型還提供一種電磁烹飪器具,包括線圈盤,所述線圈盤包括線圈盤座和安裝于所述線圈盤座上的繞組線圈,所述線圈盤座具有一平底,所述繞組線圈安裝于所述平底上設(shè)置的繞線槽內(nèi);所述繞組線圈包括一第一繞組和設(shè)置于所述第一繞組周邊的多個(gè)第二繞組,多個(gè)所述第二繞組在所述第一繞組周向上間隔排布;且所述第二繞組與所述第一繞組之間的間距小于50mm。優(yōu)選的,所述電磁烹飪器具為電磁爐、壓力鍋或電飯煲。本實(shí)用新型的技術(shù)方案通過在線圈盤座的平底上設(shè)置第一繞組和第二繞組,并且第二繞組在所述第一繞組周向上間隔排布,可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域加熱,另外,將第二繞組的邊緣與所述第一繞組的邊緣之間的間距設(shè)置為小于50mm,可避免第一繞組與第二繞組之間形成電磁空白區(qū)域,從而可提高電磁烹飪器具加熱的均勻性。附圖說明為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中繞組線圈盤繞于線圈盤線圈盤座上的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為具有兩個(gè)第二繞組的繞組線圈的一結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為具有兩個(gè)第二繞組的繞組線圈的另一結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為具有三個(gè)第二繞組的繞組線圈的一結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為具有四個(gè)第二繞組的繞組線圈的一結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本實(shí)用新型另一實(shí)施例中繞組線圈的結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為本實(shí)用新型中線圈盤座的一結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)號說明:標(biāo)號名稱標(biāo)號名稱10線圈盤座101第一繞線槽11繞組線圈102第二繞線槽11a第一繞組11b第二繞組本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。需要說明,本實(shí)用新型實(shí)施例中所有方向性指示僅用于解釋在某一特定姿態(tài)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等,如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí),則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外,在本實(shí)用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外,各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型實(shí)提出了一種線圈盤及包含有該線圈盤的烹飪器具,該烹飪器具可以是電磁爐、電飯煲或壓力鍋等。關(guān)于電磁烹飪器具,下述內(nèi)容以電磁爐為具體實(shí)施例進(jìn)行介紹。參照圖2,本實(shí)用新型提出一種線圈盤,包括線圈盤座10和安裝于線圈盤座10上的繞組線圈11,所述線圈盤座10具有一平底,所述繞組線圈安裝于所述平底上設(shè)置的繞線槽內(nèi);繞組線圈11包括一第一繞組11a和設(shè)置于第一繞組11a周邊的多個(gè)第二繞組11b,多個(gè)第二繞組11b在所述第一繞組11a周向上間隔排布,且所述第二繞組11b與所述第一繞組11a之間的間距小于50mm。線圈盤底部具有磁條的,通常磁條是呈輻射狀設(shè)置的。位于中心區(qū)域的磁條布置相對較密,而靠近邊緣部分的磁條分布密度小于中心區(qū)域磁條的分布密度,所以,線圈盤周邊的磁場相對較分散,加熱效果差,對鍋具底部整體加熱不均勻。如果將第一繞組11a與第二繞組11b之間的間距設(shè)置為50mm,那么大約在遠(yuǎn)離第一繞組11a30mm外,第一繞組11a的磁場線就比較稀松,而遠(yuǎn)離第二繞組11b20mm外,其磁感線也相對較稀松,而此時(shí),第一繞組11a和第二繞組11b產(chǎn)生的磁場會(huì)相互彌補(bǔ),進(jìn)而會(huì)使第一繞組11a與第二繞組11b之間的磁場密度得到較強(qiáng),從而不會(huì)形成磁場空白區(qū)域。在此,所述第一繞組11a可以多種盤繞方式,例如方形、三角形、橢圓形及圓形等。所述第二繞組11b如同第一繞組11a一樣,其盤繞方式可以多種形式存在。第二繞組11b個(gè)數(shù)可以為兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)及更多;另外,所述第二繞組11b在第一繞組11a外周向上可任意排布,也可呈有序規(guī)則地排布。具體的,參照圖3和圖4,在有序規(guī)則排布的方式下,當(dāng)?shù)诙@組11b的個(gè)數(shù)為兩個(gè)時(shí),其結(jié)構(gòu)可為U形盤繞設(shè)置,并圍繞于第一繞組11a的周邊,也可以直接為圓環(huán)設(shè)置于第一繞組11a的外圍。參照圖5,當(dāng)?shù)诙@組11b的個(gè)數(shù)為三個(gè)時(shí),其排布方式可以兩兩之間呈120°夾角環(huán)繞于第一繞組11a的外周圍設(shè)置。參照圖6,當(dāng)?shù)诙@組11b的個(gè)數(shù)為四個(gè)時(shí),其兩兩對稱設(shè)置于第一繞組11a的外周。以此類推,當(dāng)?shù)诙@組11b的個(gè)數(shù)在一定范圍內(nèi)增加時(shí),第二繞組11b圍繞所述第一繞組11a的外周呈間隔排布。參照圖7,第一繞組11a和第二繞組11b位于同一平面,為了避免第一繞組11a和第二繞組11b的間隙產(chǎn)生磁場空白區(qū)域,所以將第二繞組11b與所述第一繞組11a之間的間距L小于50mm,例如L可以為40mm、30mm、20mm、10mm、5mm等,甚至第一繞組11a與第二繞組11b抵接也是可以的,但是為了使磁感更均勻,避免磁感線局部較密而導(dǎo)致糊鍋,第一繞組11a的邊緣與第二繞組11b的邊緣之間的間距取20mm至30mm為較佳實(shí)施方式。本實(shí)用新型的技術(shù)方案通過在線圈盤座10的平底上設(shè)置第一繞組11a和第二繞組11b,并且第二繞組11b在所述第一繞組11a周向上間隔排布,可實(shí)現(xiàn)多區(qū)域加熱,另外,將第二繞組11b的邊緣與所述第一繞組11a的邊緣之間的間距設(shè)置為小于50mm,可避免第一繞組11a的邊緣與第二繞組11b的邊緣之間形成電磁空白區(qū)域,從而可提高電磁烹飪器具加熱的均勻性??紤]到第一繞組11a與第二繞組11b之間的間距不能太小,否則會(huì)導(dǎo)致第一繞組11a與第二繞組11b的磁感線過度疊加,從而容易導(dǎo)致糊鍋,降低了加熱的均勻性。為了避免該情況,在本實(shí)施例中,第一繞組11a的邊緣與第二繞組11b的邊緣之間的間距優(yōu)選大于等于20mm且小于等于30mm。對于方形或三角形設(shè)置的線圈,由于拐角的存在,所以容易形成磁感弱化區(qū)域,如此可能會(huì)導(dǎo)致電磁爐周邊磁感均勻性不好。在一實(shí)施例中,為了使線圈盤的中心加熱區(qū)加熱得更為規(guī)則及均勻,第一繞組11a呈圓環(huán)形設(shè)置,從而第一繞組11a產(chǎn)生的磁感更均勻。進(jìn)一步而言,由于第一繞組11a產(chǎn)生的磁場是從中間向外周逐步減弱的,所述第一繞組11a的直徑不能過大,也不能過小,直徑過大會(huì)導(dǎo)致第一繞組11a外周的磁場過弱,直徑過小也會(huì)導(dǎo)致加熱區(qū)域較小,所以在本實(shí)施中,所述第一繞組11a的直徑在80mm至150mm內(nèi),優(yōu)選100mm至120mm?;谏鲜鱿嗤睦碛桑诙@組11b也呈圓環(huán)形設(shè)置,第二繞組11b的直徑在50mm至120mm內(nèi),優(yōu)選80mm至100mm。在又一實(shí)施例中,為了考慮到在烹飪作業(yè)時(shí),整個(gè)烹飪器具的使用或主要以中心加熱區(qū)為主,邊緣加熱區(qū)為輔,固將第一繞組11a的直徑設(shè)置大于所述第二繞組11b的直徑,使得更有目的性的完全作業(yè)及提高工作效率。第二繞組11b的數(shù)量較少可能導(dǎo)致兩第二繞組11b之間的磁感線較稀松,從而導(dǎo)致加熱效果不理想。在一實(shí)施例中,為了使第一繞組11a周邊的磁感更均勻,即所述第二繞組11b的數(shù)量在4至15個(gè),例如7個(gè)、8個(gè)、9個(gè)、10個(gè)等。參照圖8,考慮到繞組線圈11安裝于線圈盤座10上時(shí)的穩(wěn)固性,上述繞線槽包括用以容置第一繞組11a的第一繞線槽101和用以容置第二繞組11b的第二繞線槽102;安裝時(shí),將第一繞組11a和第二繞組11b對應(yīng)設(shè)置于第一繞線槽101和第二繞線槽102中,使得繞組線圈11更為穩(wěn)固,而不至于在作業(yè)或移動(dòng)器具時(shí)出現(xiàn)脫線及繞組線圈散落等現(xiàn)象。在此,第一繞組11a可以是密繞形成,也可以是疏繞形成;第二繞組11b也可以是密繞形成,也可以是疏繞形成。第一繞線槽101和第二繞線槽102可以直接凹設(shè)于線圈盤座10上,也可以開設(shè)于安裝在線圈盤座10上的托盤或支撐盤之類的具體結(jié)構(gòu)上。在另一較佳實(shí)施例中,為了使繞組線圈11能更為牢固的繞設(shè)于繞線槽內(nèi),通過將兩繞線槽的深度設(shè)置大于兩繞組線圈的厚度,讓整個(gè)繞組線圈11能夠完全容置于繞線槽內(nèi),從而得以大大降低繞組線圈11的散落幾率。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是在本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思下,利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換,或直接/間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
      技術(shù)領(lǐng)域
      均包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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