本實(shí)用新型涉及聲表面波濾波器，具體涉及一種聲表面波濾波器反射柵結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著摩爾定律放緩，近年來(lái)市場(chǎng)以那種力圖小型化來(lái)降低產(chǎn)品成本方法已接近極限，所以需要不斷提高產(chǎn)品良率以提升企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力?，F(xiàn)有技術(shù)中，濾波器產(chǎn)品頻率段提高到2.7G，濾波器芯片線條也由以前的幾微米提高到0.25微米，這就對(duì)我們的工藝水平有了更高的要求。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在對(duì)聲表面波濾波器芯片進(jìn)行光刻工藝時(shí)，例如，使用波長(zhǎng)248納米的光源做單層光刻負(fù)膠剝離工藝時(shí)，對(duì)于芯片上0.25微米極限線條會(huì)出現(xiàn)出現(xiàn)剝離后光阻剝離(peeling)現(xiàn)象。在發(fā)明前原有濾波器芯片設(shè)計(jì)方案在集成電路反射柵邊緣部位為無(wú)遮擋透光，光刻顯影工藝后產(chǎn)生光阻剝離現(xiàn)象(peeling)。

造成線條剝離的可能原因的其中一點(diǎn)是，是圖形的表面積過(guò)小，同樣的圖形高度，表面積越小越容易倒塌，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的反射柵的示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的反射柵倒塌剝離現(xiàn)象示意圖。如圖1、圖2所示，顯示了在基底6a之上的反射柵2a的容易倒塌與圖形的分布也有關(guān)系，在空曠區(qū)的獨(dú)立圖形在顯影階段受顯影液水力沖擊的力道比較大且在旋轉(zhuǎn)步驟受力較大，比較容易倒塌。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型公開了一種聲表面波濾波器反射柵結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種聲表面波濾波器反射柵結(jié)構(gòu)，包括壓電基底；所述壓電基底之上制作有叉指換能器；所述叉指換能器兩側(cè)為反射柵；還包括連接所述叉指換能器和所述反射柵的匯流條；在所述反射柵的外側(cè)、所述匯流條的末端還連接有多根補(bǔ)償反射柵；所述補(bǔ)償反射柵平行于所述反射柵；所述補(bǔ)償反射柵的寬度寬于 所述反射柵。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述補(bǔ)償反射柵有2～6根。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，多根所述補(bǔ)償反射柵的寬度相等，相鄰的補(bǔ)償反射柵的間隔距離相等。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，由靠近所述反射柵到遠(yuǎn)離所述反射柵的方向，相鄰的補(bǔ)償反射柵的間隔距離越來(lái)越寬。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述補(bǔ)償反射柵的寬度是所述反射柵的寬度的5～10倍。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，所述反射柵的寬度為0.25um，所述補(bǔ)償發(fā)射柵的寬度為4um。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：

本實(shí)用新型在濾波器芯片設(shè)計(jì)中，反射柵邊緣部位增加了數(shù)根補(bǔ)償發(fā)射柵，加大了圖形表面積同時(shí)減小了反射柵在顯影階段受水力沖擊的力道，保證了圖形的完整性。穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)了在對(duì)25微米極限線條的光刻工藝，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，可提高成品良率約10％左右。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的反射柵的示意圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的反射柵倒塌剝離現(xiàn)象示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的示意圖。

圖4是圖3中A部分的放大圖。

圖5是本實(shí)用新型中的反射柵的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖3是本實(shí)用新型的示意圖。包括壓電基底6。壓電基底6之上制作有叉指換能器1。叉指換能器1兩側(cè)為反射柵2。還包括連接叉指換能器1和反射柵2的匯流條4。在反射柵2的外側(cè)、匯流條4的末端還連接有多根補(bǔ)償反射柵3。補(bǔ)償反射柵3平行于反射柵2。補(bǔ)償反射柵3的寬度寬于反射柵2。補(bǔ)償反射柵3可以設(shè)置2～6根。多根補(bǔ)償反射柵3的寬度相等，相鄰的補(bǔ)償反射柵3的間隔距離相等。

優(yōu)選的，由于越靠近外側(cè)，所受的顯影液的沖擊力越大，所以由靠近反射柵2到遠(yuǎn)離反射柵2的方向，相鄰的補(bǔ)償反射柵3的間隔距離越來(lái)越寬，可進(jìn)一步分散顯影劑的沖擊力。

圖4是圖3中A部分的放大圖。為了顯示清晰，在圖4中，反射柵2和補(bǔ)償反射柵3均用陰影標(biāo)出。由圖4可看出，補(bǔ)償反射柵3的寬度寬于反射柵2。由申請(qǐng)人多次試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，優(yōu)選補(bǔ)償反射柵3的寬度是反射柵2的寬度的5～10倍時(shí)，效果最好。

圖5是本實(shí)用新型中的反射柵的示意圖。在本實(shí)施例中，反射柵2的寬度a為0.25um，補(bǔ)償發(fā)射柵3的寬度b為4um。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型不限于以上實(shí)施例。可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。