本實用新型涉及聲表面波諧振器，具體涉及一種聲表面波諧振器電極傳輸結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

聲表面波(SAW，surface-acoustic-wave)諧振器屬于聲表面波元件，其主要作用原理是利用壓電材料的壓電特性，利用輸入與輸出換能器(Transducer)將電波的輸入訊號轉(zhuǎn)換成機械能，經(jīng)過處理后，再把機械能轉(zhuǎn)換成電的訊號，以達到過濾不必要的訊號及雜訊，提升收訊品質(zhì)的目標。

聲表面波濾波器是利用石英、鈮酸鋰、鈦酸鋇晶體具有壓電效應(yīng)的性質(zhì)做成的。所謂壓電效應(yīng)，即是當晶體受到機械作用時，將產(chǎn)生與壓力成正比的電場的現(xiàn)象。具有壓電效應(yīng)的晶體，在受到電信號的作用時，也會產(chǎn)生彈性形變而發(fā)出機械波(聲波)，即可把電信號轉(zhuǎn)為聲信號。由于這種聲波只在晶體表面?zhèn)鞑?，故稱為聲表面波。聲表面波濾波器的英文縮寫為SAWF，聲表面波濾波器具有體積小，重量輕、性能可靠、不需要復(fù)雜調(diào)整的特性。聲表面波濾波器的小型片式化，是移動通信和其他便攜式產(chǎn)品提出的基本要求。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為縮小聲表面波濾波器的體積，通常采取三方面的措施，一是優(yōu)化設(shè)計器件用芯片，使其做得更??；二是改進器件的封裝形式，現(xiàn)已由傳統(tǒng)的圓形金屬殼封裝改為方形或長方形扁平金屬封裝或LCCC(無引線陶瓷芯片載體)表面貼裝；三是將不同功能的SAW濾波器封裝在一起構(gòu)成組合型器件以減小PCB面積。

圖1是現(xiàn)有的常規(guī)技術(shù)的示意圖。在現(xiàn)有的常規(guī)技術(shù)中，正常諧振器電極位如圖1所示。諧振器電極2分布在換能器1的兩側(cè)，無形之間增大了器件的大小。這使得芯片體積比較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，本實用新型公開了一種與現(xiàn)有技術(shù)原理不同，且可以有效的縮小聲表面波諧振器體積的聲表面波諧振器電極傳輸結(jié)構(gòu)。

本實用新型的技術(shù)方案如下：

一種聲表面波諧振器電極傳輸結(jié)構(gòu)，包括換能器、第一電極和第二電極；所述換能器包括位于換能器上側(cè)的第一反射柵和位于換能器下側(cè)的第二反射柵；還包括傳導(dǎo)電極；所述傳導(dǎo)電極包括位于傳導(dǎo)電極上側(cè)的、與第一反射柵耦合的第三反射柵和位于傳導(dǎo)電極下側(cè)的第四反射柵；

所述第一電極和第二電極均位于所述換能器下側(cè)；第一電極的上側(cè)設(shè)置有第五反射柵；第二電極的上側(cè)設(shè)置有第六反射柵；第五反射柵與第四反射柵耦合；第六反射柵與第二反射柵耦合。

其進一步的技術(shù)方案為：所述傳導(dǎo)電極為右轉(zhuǎn)90°的L字形；第三反射柵為朝向水平方向的凸出狀，長度與第一反射柵相同；第一電極為矩形，第五反射柵位于第一電極的上邊緣，其長度與第四反射柵相同，且第五反射柵與第四反射柵耦合；第二電極為Z字形，第六反射柵為朝向水平方向的凸出狀，其位于第一電極和換能器之間，與第二反射柵的長度相等且與第二反射柵耦合。

本實用新型的有益技術(shù)效果是：

本實用新型可在不影響產(chǎn)品性能的前提下大大減少芯片的大小。普通一個聲表面波諧振器400M電極的寬度約為120um，正常芯片的寬度約為850um，所以減小一個電極的寬度，芯片的體積直接減少15％，相應(yīng)的，單位面積的芯片數(shù)量也增加，所以本實用新型既滿足芯片的體積減小，又提高產(chǎn)品數(shù)量，節(jié)約成本，可有效提高產(chǎn)能。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的常規(guī)技術(shù)的示意圖。

圖2是本實用新型的示意圖。

圖3是圖2中A部分的放大圖。

具體實施方式

圖2是本實用新型的示意圖。圖3是圖2中A部分的放大圖。如圖2、圖3所示，本實用新型包括換能器1、第一電極2和第二電極3。換能器1包括位于換能器1上側(cè)的第一反射柵11和位于換能器1下側(cè)的第二反射柵12。

還包括傳導(dǎo)電極4。傳導(dǎo)電極4包括位于傳導(dǎo)電極4上側(cè)的、與第一反射柵耦合的第三反射柵41和位于傳導(dǎo)電極4下側(cè)的第四反射柵42。具體的，傳導(dǎo)電極4為右轉(zhuǎn)90°的L字形，第三反射柵41為朝向水平方向的凸出狀，長度與第一反射柵11相同，近似于倒轉(zhuǎn)的L字形的水平邊。倒轉(zhuǎn)的L字形的豎直邊為一矩形，其寬度略大于換能器1的寬度，第四反射柵42位于此矩形的下邊緣。

第一電極2和第二電極3均位于換能器1下側(cè)。第一電極2為矩形，第五反射柵21位于第一電極2的上邊緣左半部分，其長度與第四反射柵42相同，且第五反射柵21與第四反射柵42耦合。第二電極2的其余部分位于換能器1的下側(cè)。

第二電極3為Z字形，第六反射柵31為朝向水平方向的凸出狀，相當于Z字形的上邊的水平部分，其位于第一電極2和換能器1之間，與第二反射柵12的長度相等且與第二反射柵12耦合。Z字形的垂直邊位于第一電極2的旁側(cè)，第二電極3的其余部分，位于換能器1的下側(cè)。

第三電極3的此種形狀，給第一電極2讓開了位置，使得第一電極2和第二電極3可以并列置于換能器1的下側(cè)。再結(jié)合傳導(dǎo)電極4的形狀，由于第三反射柵41寬度極窄，使得換能器1上側(cè)的空間沒有被占據(jù)。則換能器與電極的整體寬度減小，體積減小?？蓪Ρ葓D1與圖2，圖2中的兩個電極均位于換能器的同側(cè)，這樣就會無形之間省了一個電極寬度，減小了整個芯片的體積。

以上所述的僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，本實用新型不限于以上實施例?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實用新型的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進和變化，均應(yīng)認為包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。