本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源，尤其涉及開(kāi)關(guān)電源中的一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路。

背景技術(shù)：

LED可控硅調(diào)光電源在調(diào)光器觸發(fā)時(shí)，因電源前級(jí)EMC濾波電路中電容會(huì)快速充電，產(chǎn)生一個(gè)電流尖峰，如果沒(méi)有阻性阻尼，該電流尖峰將引起電源輸入電流振蕩，大電流將引起調(diào)光器誤觸發(fā)，導(dǎo)致電源輸出不穩(wěn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路。

本實(shí)用新型提供了一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路，包括電阻R1、電阻R2、二極管D1、電阻R4、阻尼電阻R5、EMC濾波電容C1、可控硅調(diào)光器ZD1和MOS管Q1，所述電阻R1的一端連接電源Vbuss，所述電阻R1的另一端與所述電阻R2的一端連接，所述電阻R2的另一端與所述二極管D1的正極連接，所述二極管D1的負(fù)極分別與所述電阻R4的一端、所述EMC濾波電容C1的一端連接，所述電阻R4的另一端分別與所述可控硅調(diào)光器ZD1的負(fù)極、所述MOS管Q1的柵極連接，所述MOS管Q1的漏極接地GND1，所述阻尼電阻R5的一端接地GND1，所述阻尼電阻R5的另一端分別與所述可控硅調(diào)光器ZD1的正極、所述EMC濾波電容C1的另一端連接，所述MOS管Q1的源極連接于所述可控硅調(diào)光器ZD1的正極、阻尼電阻R5之間。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電阻R2的另一端連接有電阻R3，所述電阻R3接地GND。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路還包括三極管Q2，所述三極管Q2的基極連接于所述電阻R2、電阻R3之間，所述三極管Q2的集電極連接于所述二極管D1、EMC濾波電容C1之間，所述三極管Q2的發(fā)射極接地GND。

本實(shí)用新型的有益效果是：通過(guò)上述方案，可穩(wěn)定電源輸出，提高電源整體效率。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖說(shuō)明及具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1所示，一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路，包括電阻R1、電阻R2、二極管D1、電阻R4、阻尼電阻R5、EMC濾波電容C1、可控硅調(diào)光器ZD1和MOS管Q1，所述電阻R1的一端連接電源Vbuss，所述電阻R1的另一端與所述電阻R2的一端連接，所述電阻R2的另一端與所述二極管D1的正極連接，所述二極管D1的負(fù)極分別與所述電阻R4的一端、所述EMC濾波電容C1的一端連接，所述電阻R4的另一端分別與所述可控硅調(diào)光器ZD1的負(fù)極、所述MOS管Q1的柵極連接，所述MOS管Q1的漏極接地GND1，所述阻尼電阻R5的一端接地GND1，所述阻尼電阻R5的另一端分別與所述可控硅調(diào)光器ZD1的正極、所述EMC濾波電容C1的另一端連接，所述MOS管Q1的源極連接于所述可控硅調(diào)光器ZD1的正極、阻尼電阻R5之間。

如圖1所示，所述電阻R2的另一端連接有電阻R3，所述電阻R3接地GND。

如圖1所示，所述LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路還包括三極管Q2，所述三極管Q2的基極連接于所述電阻R2、電阻R3之間，所述三極管Q2的集電極連接于所述二極管D1、EMC濾波電容C1之間，所述三極管Q2的發(fā)射極接地GND。

本實(shí)用新型提供的一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路的工作原理如下：

可控硅調(diào)光器ZD1觸發(fā)，電源接入交流工作電，EMC濾波電容C1初始為低電壓，并開(kāi)始通過(guò)電阻R1、電阻R2、二極管D1充電，MOS管Q1不導(dǎo)通，阻尼電阻R5接入電源主回路，抑制啟動(dòng)的尖峰電流。

2. EMC濾波電容C1充電達(dá)到MOS管Q1開(kāi)啟電壓Ugs(th)，MOS管Q1開(kāi)始導(dǎo)通。隨著EMC濾波電容C1的電壓升高，MOS管Q1完全導(dǎo)通，主回路電流主要從MOS管Q1通過(guò)。阻尼電阻R5兩端的電壓被調(diào)節(jié)為MOS管Q1飽和導(dǎo)通后的Vds電壓，因這個(gè)電壓很低，所以只產(chǎn)生很低的功耗。

3.可控硅調(diào)光器ZD1截止時(shí)，電容C1通過(guò)三極管Q2迅速放電至0V，MOS管Q1截止復(fù)位。為下一個(gè)電源周期做好準(zhǔn)備。

參數(shù)設(shè)定

1.電容C1充電電壓 Vt=E*[1-exp(-t/RC)，

通過(guò)調(diào)整電阻R1、電阻R2、EMC濾波電容C1的參數(shù)可調(diào)節(jié)MOS管Q1的導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間。

2. 阻尼電阻R5的功耗：P=Vds^2/R5。

本實(shí)用新型提供的一種LED可控硅調(diào)光電源用主動(dòng)阻尼電路，阻尼電阻只在可控硅調(diào)光器觸發(fā)的初始階段串入主回路，達(dá)到抑制尖峰電流的作用，當(dāng)主回路的EMC濾波電容充電完畢后，主回路電流主要從旁路MOS上流過(guò)，且阻尼電阻兩端電壓被調(diào)節(jié)為MOS飽和導(dǎo)通后的Vds電壓（這個(gè)電壓很低），這時(shí)阻尼電阻消耗很少的能量。顯著的提升了電源的整體效率，有效的減少阻尼電阻功耗。相比于傳統(tǒng)阻尼電路，可選用更大的阻尼電阻，在可控硅深度調(diào)光時(shí)，電源輸出更穩(wěn)定。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。