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      高線性度寬帶上混頻器的制作方法

      文檔序號(hào):12808670閱讀:491來源:國知局
      高線性度寬帶上混頻器的制作方法與工藝

      本發(fā)明屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域,涉及無線發(fā)射機(jī)中的變頻電路,特別是關(guān)于一種高線性寬帶上混頻器。



      背景技術(shù):

      近年以來,隨著無線通信技術(shù)的不斷發(fā)展,各種無線收發(fā)機(jī)都在向更高的工作頻段發(fā)展。從低頻到毫米波到太赫茲頻段,分布著多個(gè)不同的通信標(biāo)準(zhǔn)及應(yīng)用,而隨著系統(tǒng)的發(fā)展和融合,要求無線收發(fā)機(jī)系統(tǒng)需要同時(shí)滿足多個(gè)不同的頻段和多個(gè)不同的通信標(biāo)準(zhǔn),這就對(duì)無線收發(fā)機(jī)系統(tǒng)的工作帶寬提出了更高的要求。同時(shí)為了滿足高數(shù)據(jù)傳輸速率的需求,就需要用更高級(jí)的調(diào)制技術(shù)(64qam、256qam等),這些都要求無線收發(fā)機(jī)有很高的線性度。而上混頻器作為無線發(fā)射機(jī)的變頻模塊,其作用是將低頻信號(hào)變換為無線發(fā)射的高頻信號(hào),在無線發(fā)射機(jī)中起著至關(guān)重要的作用。因此基于現(xiàn)代通信的發(fā)展要求,設(shè)計(jì)一款高線性度寬帶的上混頻器具有廣泛應(yīng)用前景和價(jià)值。

      目前傳統(tǒng)的雙平衡吉爾伯特混頻器被廣泛應(yīng)用于無線發(fā)射機(jī)中,其電路圖如圖1。這種結(jié)構(gòu)具有較好的增益以及端口隔離度,但是其工作帶寬極為有限,并且要得到較高的線性度有一定的困難。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是要解決傳統(tǒng)吉爾伯特上混頻器在工作帶寬和線性度上的問題,提出了一種高線性度寬帶上混頻器,能夠在其他性能不降低的同時(shí),增加上混頻器的帶寬,提升線性度。

      一種高線性度寬帶上混頻器,其特征在于,包括:跨導(dǎo)級(jí)單元、開關(guān)級(jí)單元和負(fù)載級(jí)單元;

      所述跨導(dǎo)級(jí)單元用以提高線性度;所述開關(guān)級(jí)單元偏置在最佳的開關(guān)狀態(tài);所述負(fù)載級(jí)單能夠增大帶寬并能提高增益;差分中頻信號(hào)經(jīng)過跨導(dǎo)級(jí)單元的放大,在開關(guān)級(jí)單元與本征信號(hào)進(jìn)行混頻,最后差分射頻信號(hào)在負(fù)載級(jí)單元和開關(guān)級(jí)單元之間輸出。·

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述跨導(dǎo)級(jí)單元包括主路跨導(dǎo)和輔路跨導(dǎo);

      所述主路跨導(dǎo)由差分nmos管m1、nmos管m2、電阻r1、、電阻r2、電感l(wèi)1、電感l(wèi)2和電容c1、電容c2構(gòu)成電容交叉耦合共柵級(jí)結(jié)構(gòu);

      所述主路跨導(dǎo)nmos管m1源極分別接電感l(wèi)1,以及中頻信號(hào)的正輸入端,nmos管m2源極分別接電感l(wèi)2,以及中頻信號(hào)的負(fù)輸入端,nmos管m1柵極分別通過r1電阻接偏置電壓vm,通過電容c1連接nmos管m2的源極,nmos管m2柵極分別通過r2電阻接偏置電壓vm,通過電容c2連接nmos管m1的源極,形成電容交叉耦合共柵極結(jié)構(gòu);

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述電感l(wèi)1=電感l(wèi)2、電容c2=電容c1。

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述輔路跨導(dǎo)由差分nmos管m3、nmos管m4、電阻r3、電阻r4、電感l(wèi)3、電感l(wèi)4和電容c3、電容c4構(gòu)成加載源退化電感的共源極結(jié)構(gòu);

      所述nmos管m3和nmos管m4源極分別接電感l(wèi)3和電感l(wèi)4,nmos管m3柵極分別通過電阻r3接偏置電壓va,通過電容c3連接中頻信號(hào)的負(fù)輸入端,nmos管m4柵極分別通過電阻r4接偏置電壓va,通過電容c4連接中頻信號(hào)的正輸入端,nmos管m3漏極連接至nmos管m1的漏極,nmos管m4漏極連接至nmos管m2的漏極。

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述電感l(wèi)3=電感l(wèi)4;電容c1=電容c2=電容c3=電容c4。

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述開關(guān)級(jí)單元包括四個(gè)nmos管m5-nmos管m8和兩個(gè)電阻r5、電阻r6;

      nmos管m5和nmos管m8柵極互聯(lián)接本征信號(hào)的負(fù)輸入端,通過電阻r5接偏置電壓vg,nmos管m6和nmos管m7柵極互聯(lián)接本振信號(hào)的正輸入端,通過電阻r6接偏置電壓vg,nmos管m5和nmos管m6源極互聯(lián)接輸入跨導(dǎo)級(jí)的nmos管m1和nmos管m3的漏極,nmos管m7和nmos管m8源極互聯(lián)接輸入跨導(dǎo)級(jí)的nmos管m2和nmos管m4的漏極,nmos管m5和nmos管m7的漏極互聯(lián),nmos管m6和nmos管m8的漏極互聯(lián)。

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述負(fù)載級(jí)單元包括兩個(gè)電感l(wèi)5和l6,電感l(wèi)5一端接電源電壓vdd,另一端與nmos管m5和nmos管m7的漏極連接并作為上混頻器器的射頻正輸出端,電感l(wèi)6一端接電源電壓vdd,另一端與nmos管m6和nmos管m8連接并作為上混頻器的射頻負(fù)輸出端。

      進(jìn)一步地,如上所述高線性度寬帶上混頻器,所述場(chǎng)效應(yīng)nmos管可以用雙極型晶體管實(shí)現(xiàn),用雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)時(shí),只需要將nmos管替換成npn型三極管,pmos管替換成pnp型三極管即可。

      與傳統(tǒng)吉爾伯特上混頻器相比,本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)及顯著效果在于:

      1、采用電容交叉耦合共柵極的主路跨導(dǎo)和加載源退化電感共源極的輔路跨導(dǎo)兩路結(jié)合組成跨導(dǎo)級(jí)的結(jié)構(gòu),抵消跨導(dǎo)級(jí)的三階非線性跨導(dǎo),提升線性度的同時(shí),還能提高增益。

      2、輸入信號(hào)主路采用共柵極,輔路采用加載源退化電感的共源極,可以有效的提高輸入中頻帶寬,輸出采用電感負(fù)載,優(yōu)化輸出電感的品質(zhì)因數(shù),可以獲得較大的輸出射頻帶寬。

      附圖說明

      圖1是傳統(tǒng)吉爾伯特上混頻器電路原理圖;

      圖2是本發(fā)明高線性寬帶上混頻器電路原理圖;

      圖3是轉(zhuǎn)換增益仿真對(duì)比圖;

      圖4是輸出1db壓縮點(diǎn)仿真對(duì)比圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

      圖2是本發(fā)明一種高線性度寬帶上混頻器的較佳實(shí)施例的電路原理圖。如圖2所示,本發(fā)明一種高線性度寬帶上混頻器,包括跨導(dǎo)級(jí)單元1、開關(guān)級(jí)單元2和負(fù)載級(jí)單元3。差分中頻信號(hào)的正負(fù)兩端vin+和vin-注入跨導(dǎo)級(jí)單元1,經(jīng)過跨導(dǎo)級(jí)單元1放大信號(hào)然后輸出至開關(guān)級(jí)單元2,開關(guān)級(jí)單元2的輸出連接至負(fù)載級(jí)單元3,開關(guān)級(jí)單元2與差分本征輸入信號(hào)vlo+和vlo-相連,差分射頻信號(hào)vrf-和vrf+從開關(guān)級(jí)單元2和負(fù)載級(jí)單元3之間輸出。

      如圖2所示,跨導(dǎo)級(jí)單元1包括主路跨導(dǎo)和輔路跨導(dǎo)。主路跨導(dǎo)由差分nmos管m1-m2、電阻r1-r2、電感l(wèi)1-l2和電容c1-c2構(gòu)成。差分nmos管m1和m2的源極分別接中頻差分輸入vin+和vin-,電感l(wèi)1和l2的正端(l1=l2)以及電容c1和c2(c1=c2)的負(fù)端,電感l(wèi)1和l2負(fù)端接地,差分nmos管m1和m2柵極分別接c1和c2的正端以及通過r1和r2接偏置電壓vm,形成電容交叉耦合共柵極差分對(duì)結(jié)構(gòu)。通過合理設(shè)計(jì)c1的值,可以使nmos管m1的源極和柵極的中頻信號(hào)等大反向,因此若對(duì)于nmos管m1自身跨導(dǎo)為gm1,當(dāng)加入耦合電容c1,其等效跨導(dǎo)變?yōu)?gm1,同理,對(duì)于nmos管m2,以上推導(dǎo)亦成立。因此該結(jié)構(gòu)可以有效的提高上混頻器的增益。同時(shí)通過改變?cè)礃O電感l(wèi)1和l2可以改變輸入阻抗,實(shí)現(xiàn)中頻輸入的寬帶匹配。

      輔路跨導(dǎo)由差分nmos管m3-m4、電阻r3-r4、電感l(wèi)3-l4和電容c3-c4構(gòu)成。差分nmos管m3和m4源極分別接電感l(wèi)3和l4(l3=l4),nmos管m3柵極分別通過電阻r3接偏置電壓va,通過電容c3連接中頻信號(hào)的負(fù)輸入端vin-,為了保證m3柵極的信號(hào)和m1柵極的信號(hào)相同相位,c3=c1。nmos管m4柵極分別通過電阻r4接偏置電壓va,通過電容c4連接中頻信號(hào)的正輸入端vin+,為了保證m4柵極的信號(hào)和m2柵極的信號(hào)相同相位,c4=c2,因?yàn)閏1=c2),所以c1=c2=c3=c4。nmos管m3漏極連接至nmos管m1的漏極,nmos管m4漏極連接至nmos管m2的漏極。通過改變輔路差分nmos管m3和m4的尺寸以及偏置電壓va,可以使輔路nmos管的三階跨導(dǎo)與主路nmos管三階跨導(dǎo)具有相反的幅值,而一階跨導(dǎo)符號(hào)相同,因此可以在漏極與主路的三階跨導(dǎo)相抵消,同時(shí)增強(qiáng)一階跨導(dǎo),從而減少跨導(dǎo)級(jí)單元的三階失真,提高線性度,并提高增益。輔路源極電感l(wèi)3和l4可以使nmos管三階跨導(dǎo)隨偏置電壓變化更加平坦,從而增加混頻器線性度隨偏置電壓的魯棒性。

      如圖2所示,開關(guān)級(jí)單元2包括四個(gè)nmos管m5-m8和兩個(gè)電阻r5-r6。nmos管m5和m8柵極互聯(lián)接本征信號(hào)的負(fù)輸入端vlo-,通過電阻r5接偏置電壓vg,nmos管m6和m7柵極互聯(lián)接本振信號(hào)的正輸入端vlo+,通過電阻r6接偏置電壓vg,nmos管m5和m6源極互聯(lián)接輸入跨導(dǎo)級(jí)的nmos管m1和m3的漏極,nmos管m7和m8源極互聯(lián)接輸入跨導(dǎo)級(jí)的nmos管m2和m4的漏極,nmos管m5和m7的漏極互聯(lián),nmos管m6和m8的漏極互聯(lián)。通過優(yōu)化四個(gè)nmos管m5-m8的尺寸和偏置,使開關(guān)級(jí)單元工作在最佳開關(guān)狀態(tài),減少由于開關(guān)管引入的非線性。

      負(fù)載級(jí)單元3包括兩個(gè)電感l(wèi)5和l6,電感l(wèi)5一端接電源電壓vdd,另一端與nmos管m5和m7的漏極連接并作為上混頻器器的射頻正輸出端vrf+,電感l(wèi)6一端接電源電壓vdd,另一端與nmos管m6和m8連接并作為上混頻器的射頻負(fù)輸出端vrf-。合理設(shè)計(jì)負(fù)載電感l(wèi)5和l6,可以有效增大輸出帶寬。

      如圖3所示,本發(fā)明與無輔路跨導(dǎo)、無輔路跨導(dǎo)和主路無交叉耦合電容的功率增益和帶寬對(duì)比,其結(jié)果顯示本發(fā)明設(shè)計(jì)的上混頻器在整個(gè)頻帶內(nèi)增益最高,本發(fā)明上混頻器3db帶寬為68-94ghz,無輔路跨導(dǎo)上混頻器以及無輔路跨導(dǎo)和主路無交叉耦合電容上混頻器3db帶寬均為70-94ghz,結(jié)果顯示本發(fā)明帶寬最寬。

      如圖4所示,本發(fā)明與無輔路跨導(dǎo)、無輔路跨導(dǎo)和主路無交叉耦合電容的輸出1db壓縮點(diǎn)對(duì)比,其結(jié)果顯示本發(fā)明設(shè)計(jì)的上混頻器在整個(gè)頻帶內(nèi)線性度最好。

      雖然本發(fā)明給出的仿真頻段是68-94ghz,但通過調(diào)整本發(fā)明的元件參數(shù),本發(fā)明同樣適用于其它頻段。

      本發(fā)明結(jié)構(gòu)除了可以用場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn),也可以用雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)。用雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)時(shí),只需要將nmos管替換成npn型三極管,pmos管替換成pnp型三極管即可。

      最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。

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