本發(fā)明涉及電平移位器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和緩沖放大器以及包括其的源極驅(qū)動(dòng)器和電子裝置。

背景技術(shù)：

如今，諸如移動(dòng)電話、計(jì)算機(jī)和顯示裝置的大多數(shù)電子裝置利用基于硅的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)電路來實(shí)現(xiàn)。cmos電路包括當(dāng)閾值電壓或更小的電壓被施加到其柵電極時(shí)導(dǎo)通的p型mos(pmos)器件以及當(dāng)閾值電壓或更大的電壓被施加到其時(shí)導(dǎo)通的n型mos(nmos)器件，并且配置pmos器件和nmos器件彼此互補(bǔ)地工作的電路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)電路中，n型mos(nmos)器件和p型mos(pmos)器件接收電源電壓和地電壓并且輸出在所述電壓之間擺動(dòng)的信號(hào)，并且cmos電路的pmos器件和nmos器件即使在施加電源電壓與地電壓的電壓差時(shí)也不應(yīng)被破壞，以便執(zhí)行期望的功能。作為示例，與以1.2v的電壓差工作的nmos器件和pmos器件相比，沒有被破壞并且以10v的電壓差工作的nmos器件和pmos器件具有更大的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度。即，隨著施加至器件的電源電壓與地電壓之差增加，被提供有電壓的器件的尺寸增加。

然而，存在輸出信號(hào)無需從電源電壓至地電壓擺動(dòng)的情況。作為示例，可能需要在電源電壓與非0v的下限電壓之間擺動(dòng)的信號(hào)。即使在這種情況下，在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的cmos電路中，為了方便電路設(shè)計(jì)，通過將電源電壓和地電壓提供給電路來形成在期望的電壓范圍內(nèi)擺動(dòng)的信號(hào)。因此，由于提供給配置電路的各個(gè)器件的電壓差增大，形成電路所需的晶片尺寸增加，因此形成電路的成本增加，使得不經(jīng)濟(jì)。

在源極驅(qū)動(dòng)器中，用于將在低電壓下工作的數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的電平移位器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和緩沖器在比數(shù)字信號(hào)更高的電壓區(qū)域中工作。源極驅(qū)動(dòng)器被形成為具有大尺寸的器件以不被高電壓破壞并且可靠地工作，并且由于源極驅(qū)動(dòng)器中包括數(shù)以千計(jì)的通道，所以源極驅(qū)動(dòng)器需要大晶片面積。

為了解決傳統(tǒng)技術(shù)的問題，本發(fā)明涉及一種能夠減小形成cmos電路所需的晶片尺寸的電路，該電路形成在上限電壓和非0v的下限電壓之間擺動(dòng)的信號(hào)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種轉(zhuǎn)換輸入電平的電平移位器，該電平移位器包括：第一電平移位器模塊，其被配置為接收輸入信號(hào)并且輸出在中等電壓和基準(zhǔn)電壓之間擺動(dòng)的信號(hào)；以及第二電平移位器模塊，其被配置為響應(yīng)于輸入信號(hào)輸出在上限電壓和下限電壓之間擺動(dòng)的信號(hào)，其中，所述第二電平移位器模塊包括nmos晶體管，并且所述下限電壓被提供給所述nmos晶體管的體電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)，該數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括：電阻器串，其中多個(gè)電阻器連接；以及多個(gè)nmos晶體管，其中通過經(jīng)由所述電阻器串的一端和另一端接收的上限電壓和下限電壓形成的多個(gè)灰度(gradation)電壓分別被提供給漏電極，控制信號(hào)被提供給柵電極，并且通過源電極輸出灰度電壓，其中，所述多個(gè)nmos晶體管被布置在p阱中，所述p阱和所述多個(gè)nmos晶體管的體電極電連接并且接收阱偏置電壓。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種緩沖放大器，該緩沖放大器在上限電壓與大于0v的下限電壓之間工作并且包括輸出被負(fù)反饋至輸入的運(yùn)算放大器，該運(yùn)算放大器包括：第一級(jí)，其包括折疊式級(jí)聯(lián)對(duì)以及轉(zhuǎn)換所述折疊式級(jí)聯(lián)對(duì)的輸出信號(hào)的電平的電平轉(zhuǎn)換器；以及第二級(jí)，其包括放大所述第一級(jí)的輸出信號(hào)的ab類放大器，其中，所述第一級(jí)和所述第二級(jí)級(jí)聯(lián)并連接，所述運(yùn)算放大器包括多個(gè)nmos晶體管，并且所述下限電壓被提供給所述多個(gè)nmos晶體管的體電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種驅(qū)動(dòng)顯示面板的源極驅(qū)動(dòng)器，該源極驅(qū)動(dòng)器包括：電平移位器，其被配置為接收數(shù)字位并且提供電平移位的輸出信號(hào)；dac，其包括電阻器串以及nmos開關(guān)和pmos開關(guān)，所述電阻器串被配置為提供通過經(jīng)由一端和另一端接收的上限電壓和下限電壓形成的多個(gè)灰度電壓，所述nmos開關(guān)和pmos開關(guān)被配置為由所述電平移位的輸出信號(hào)控制并且輸出與所述電平移位的輸出信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓；以及放大器，其被配置為放大由所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供的信號(hào)，其中，所述下限電壓被提供給所述nmos開關(guān)的體電極。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子裝置，該電子裝置包括：源極驅(qū)動(dòng)器，其包括被配置為接收數(shù)字位并且提供電平移位的輸出信號(hào)的電平移位器、dac以及被配置為放大從所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器提供的信號(hào)的放大器，所述dac包括電阻器串以及多個(gè)開關(guān)，所述電阻器串被配置為提供通過經(jīng)由一端和另一端接收的上限電壓和下限電壓形成的多個(gè)灰度電壓，所述多個(gè)開關(guān)被配置為由所述電平移位的輸出信號(hào)控制并且輸出與所述電平移位的輸出信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓，其中，所述開關(guān)包括所述下限電壓被提供給體電極的nmos開關(guān)；以及顯示面板，其由所述源極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，本發(fā)明的以上和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見，附圖中：

圖1是示出顯示系統(tǒng)的配置的示意圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器的示意性框圖；

圖3是示出形成有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器的硅基板的橫截面圖的示意圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器通道的一部分的示意圖；

圖5是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)模轉(zhuǎn)換器的示意圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的提供解碼器的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平移位器的示意性框圖；

圖7是示出利用交叉耦合反相器實(shí)現(xiàn)的第一電平移位器模塊和第二電平移位器模塊的示例的示意性電路圖；

圖8是示出一個(gè)或更多個(gè)電平移位器模塊級(jí)進(jìn)一步連接在第一電平移位器模塊級(jí)和第二電平移位器模塊級(jí)之間的示例的示意性電路圖；

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緩沖放大器的一個(gè)實(shí)現(xiàn)示例的示意性電路圖；以及

圖10是示出包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器10的電子裝置1的示意圖。

具體實(shí)施方式

由于與本發(fā)明有關(guān)的描述僅是為了在結(jié)構(gòu)上或功能上說明實(shí)施方式，應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍不由說明書中所描述的實(shí)施方式限制。即，由于本發(fā)明的實(shí)施方式能夠不同地改變并且可具有各種形式，所以應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍包括能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)精神的等同物。

此外，說明書中描述的術(shù)語的含義應(yīng)該如下理解。

盡管本文中可使用術(shù)語第一、第二等以便將一個(gè)元件與另一元件相區(qū)分，本發(fā)明的范圍不應(yīng)被解釋為由這些術(shù)語限制。例如，第一元件可被稱為第二元件，類似地，第二元件可被稱為第一元件。

冠詞“一個(gè)”、“一種”和“該”是單數(shù)的，因?yàn)樗鼈兙哂袉蝹€(gè)指示物，然而在本文獻(xiàn)中使用單數(shù)形式不排除超過一個(gè)指示物的存在。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”當(dāng)用在本文中時(shí)指明所述的特征、項(xiàng)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在，但是不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、項(xiàng)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。

除非清楚地另外描述步驟，否則各個(gè)步驟可不同于說明書中所描述的操作流程來執(zhí)行。即，各個(gè)步驟可同時(shí)執(zhí)行，基本上同時(shí)執(zhí)行，或者按照相反的順序執(zhí)行。

本文中用于描述本發(fā)明的實(shí)施方式的術(shù)語“和/或”可用于表示對(duì)應(yīng)列表中的每一個(gè)元件和所有元件。作為示例，應(yīng)該理解，術(shù)語“a和/或b”表示a和b中的每一個(gè)以及a和b全部。

為了描述本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中可能為了說明方便而故意夸大其尺寸、高度、厚度等，這些更改可不根據(jù)比例進(jìn)行。另外，附圖中所示的一個(gè)元件可通過被故意縮小來表示，另一元件可通過被故意放大來表示。

除非另外限定，否則本文中所使用的所有術(shù)語具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，諸如常用字典中所定義的那些術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)的上下文以及本說明書中的含義一致的含義，而不應(yīng)從理想化或過于形式的意義上解釋，除非本文中明確地如此定義。

以下將描述的實(shí)施方式可被應(yīng)用于使用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)的電子電路，將描述包括在源極驅(qū)動(dòng)器中的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)和電平移位器的示例，但是這是為了說明方便，并非旨在限制本發(fā)明的技術(shù)范圍。

以下，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是示出顯示系統(tǒng)的配置的示意圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示系統(tǒng)可包括顯示面板、柵極驅(qū)動(dòng)器以及源極驅(qū)動(dòng)器10a、10b、…和10n，并且還可包括定時(shí)控制器，其改變從外部施加的畫面源的特性或者根據(jù)顯示系統(tǒng)的分辨率和特性來控制驅(qū)動(dòng)時(shí)間。定時(shí)控制器和源極驅(qū)動(dòng)器10a、10b、…和10n可根據(jù)顯示面板的特性被實(shí)現(xiàn)為單獨(dú)的芯片，或者被實(shí)現(xiàn)為一個(gè)芯片(如圖中所示)。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器10的示意性框圖。參照?qǐng)D2，源極驅(qū)動(dòng)器10可包括移位寄存器、數(shù)據(jù)鎖存器、采樣/保持(s/h)寄存器、電平移位器100、dac200和放大器300。

移位寄存器可將輸入起始脈沖sp依次移位并輸出。數(shù)據(jù)鎖存器可鎖存并提供圖像數(shù)據(jù)，s/h寄存器可根據(jù)起始脈沖sp對(duì)所鎖存的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣并且保持所采樣的數(shù)據(jù)以將所采樣的數(shù)據(jù)提供給電平移位器100。在實(shí)施方式中，移位寄存器、數(shù)據(jù)鎖存器和s/h寄存器全部可接收數(shù)字信號(hào)作為輸入并且提供數(shù)字信號(hào)作為輸出。電平移位器100可接收數(shù)字位并且提供電平被移位以在期望的電壓電平之間擺動(dòng)的控制信號(hào)。dac200可接收伽馬電壓并且提供與從電平移位器100提供的控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的信號(hào)，放大器300可放大模擬信號(hào)并且將所放大的模擬信號(hào)提供給顯示面板，從而顯示與輸入數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的圖像。

圖3是示出形成有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器的硅基板的橫截面圖的示意圖。源極驅(qū)動(dòng)器10可形成在半導(dǎo)體基板sub中。根據(jù)圖3所示的示例，半導(dǎo)體基板sub可由p型摻雜劑摻雜。半導(dǎo)體基板可被分成多個(gè)區(qū)域。作為示例，以相對(duì)低的電壓工作的電路(例如，數(shù)字電路等)可形成在低電壓區(qū)域中。向電路供電的電源單元(參照?qǐng)D1中的電源)可形成在高電壓區(qū)域中，在介于低電壓區(qū)域和高電壓區(qū)域之間的中等電壓區(qū)域工作的電路可被布置在中等電壓區(qū)域中。

在本說明書中，可基于提供給各個(gè)區(qū)域以及從各個(gè)區(qū)域提供的輸入電壓和輸出電壓的相對(duì)幅度來劃分低電壓、高電壓和中等電壓。因此，本發(fā)明的內(nèi)容不會(huì)被術(shù)語高電壓、中等電壓和低電壓沖淡。

低電壓區(qū)域和中等電壓區(qū)域可被形成為具有三阱結(jié)構(gòu)。三阱結(jié)構(gòu)可包括形成在p型基板中的深n阱(dnw)、dnw中布置p型金屬氧化物半導(dǎo)體(pmos)晶體管的n阱(nw)以及dnw中布置n型mos(nmos)晶體管的p阱(pw)。根據(jù)三阱的實(shí)施方式(未示出)，三阱結(jié)構(gòu)可具有pw形成在dnw中并且布置有pmos晶體管的nw形成在pw中的結(jié)構(gòu)。

比提供給高電壓區(qū)域和中等電壓區(qū)域的電壓小的驅(qū)動(dòng)電壓可被供應(yīng)給布置在低電壓區(qū)域中的電路。根據(jù)圖3所示的實(shí)施方式，低電壓區(qū)域可被分成布置有由一對(duì)第一驅(qū)動(dòng)電壓vlva,h和vlva,l驅(qū)動(dòng)的電路的區(qū)域以及布置有由一對(duì)第二驅(qū)動(dòng)電壓vlvb,h和vlvb,l驅(qū)動(dòng)的電路的區(qū)域。布置有由一對(duì)第一驅(qū)動(dòng)電壓vlva,h和vlva,l驅(qū)動(dòng)的電路的區(qū)域中的nw和pw可分別通過一對(duì)第一驅(qū)動(dòng)電壓vlva,h和vlva,l來偏置，布置有由一對(duì)第二驅(qū)動(dòng)電壓vlvb,h和vlvb,l驅(qū)動(dòng)的電路的區(qū)域可分別通過一對(duì)第二驅(qū)動(dòng)電壓vlvb,h和vlvb,l來偏置。作為示例，一對(duì)第一驅(qū)動(dòng)電壓vlva,h和vlva,l可分別為1.2v和0v，第二驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)vlvb,h、vlvb,l可分別為1.8v和0v。根據(jù)另一實(shí)施方式(未示出)，可在低電壓區(qū)域中布置由單個(gè)電壓驅(qū)動(dòng)的電路。

高電壓n阱(hnw)和高電壓p阱(hpw)可被布置在高電壓區(qū)域中。與布置在低電壓區(qū)域中的器件相比具有較大溝道長(zhǎng)度和溝道寬度而被形成為具有大面積的pmos器件和nmos器件可被布置在hnw和hpw中，以免在高電壓下被破壞。可將高驅(qū)動(dòng)電壓vhv,h和vhv,l分別提供給包括在高電壓區(qū)域中的hnw和hpw。作為示例，高驅(qū)動(dòng)電壓vhv,h和vhv,l可分別為10v和-10v。

中等電壓區(qū)域可具有三阱結(jié)構(gòu)，pmos器件和nmos器件可分別被布置在包括在三阱結(jié)構(gòu)中的nw和pw中。可提供中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,h和vmv,l以驅(qū)動(dòng)布置在中等電壓區(qū)域中的電路。另外，可分別提供中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,h和vmv,l以使nw和pw偏置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,h可以是大于低電壓驅(qū)動(dòng)電壓vlva,h和vlvb,h并且小于或等于高驅(qū)動(dòng)電壓vhv,h的電壓，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,l可以是非0v的電壓。

作為示例，當(dāng)伽馬電壓為8v至2v時(shí)，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,h可為8v(伽馬電壓的上限電壓)，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,l可為2v(伽馬電壓的下限電壓)。作為另一示例，當(dāng)伽馬電壓為8v至2v時(shí)，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,h可為8.5v(上裕度電壓與伽馬電壓的上限電壓相加的電壓)，中等驅(qū)動(dòng)電壓vmv,l可為1.5v(從伽馬電壓的下限電壓減去下裕度電壓的電壓)。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器通道中的一部分通道的示意圖，其接收數(shù)字信號(hào)d[n]并且形成與數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓vout以將該灰度電壓提供給像素。參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器可包括電平移位器100、dac200和緩沖放大器300。電平移位器100可接收從s/h寄存器提供的數(shù)字信號(hào)d[n]，將數(shù)字信號(hào)d[n]轉(zhuǎn)換為具有能夠驅(qū)動(dòng)dac200的足夠擺動(dòng)的信號(hào)，并且將所轉(zhuǎn)換的信號(hào)提供給dac200。

dac200可接收從電平移位器100提供的數(shù)字信號(hào)，形成與數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓，并且將所形成的灰度電壓提供給緩沖放大器300。緩沖放大器300可接收從dac200提供的灰度電壓vout，并且將灰度電壓vout提供給包括在顯示面板中的像素以驅(qū)動(dòng)像素。作為示例，放大器可以是具有單位增益的緩沖器300。

在圖4所示的實(shí)施方式中，電平移位器100、dac200和緩沖放大器300可通過相同的上限電壓vh和相同的下限電壓vl來工作，作為示例，上限電壓vh和下限電壓vl可分別是伽馬電壓的最大電壓和最小電壓。作為另一示例，上限電壓vh和下限電壓vl可分別是上裕度電壓與伽馬電壓的最大電壓相加的電壓以及從伽馬電壓的下限電壓減去下裕度電壓的電壓。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器可輸出在上限電壓vh與大于0v的下限電壓vl之間擺動(dòng)的信號(hào)。在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的源極驅(qū)動(dòng)器中，作為示例，即使當(dāng)用于驅(qū)動(dòng)源極驅(qū)動(dòng)器的上限電壓vh和下限電壓vl分別為8v和2v，因此包括在源極驅(qū)動(dòng)器中的器件的電極之間的最大電壓差為6v時(shí)，源極驅(qū)動(dòng)器也可通過基于地電壓計(jì)算耐受電壓利用具有8v耐受電壓的器件來形成，以便根據(jù)耐受電壓確保可靠性并且容易地設(shè)計(jì)電路。

然而，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方的源極驅(qū)動(dòng)器式中，電平移位器100、dac200和緩沖放大器300可利用具有與上限電壓vh和下限電壓vl的電壓差對(duì)應(yīng)的耐受電壓的器件來形成。如上所述，當(dāng)源極驅(qū)動(dòng)器在8v的上限電壓vh與2v的下限電壓vl之間工作時(shí)，電平移位器100、dac200和緩沖放大器300可利用具有6v耐受電壓的器件來形成。由于使用具有低耐受電壓的器件，所以形成源極驅(qū)動(dòng)器所需的晶片尺寸可減小，因此可更經(jīng)濟(jì)地形成源極驅(qū)動(dòng)器。

以下，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器中所包括的電平移位器100、dac200和緩沖放大器300的實(shí)施方式。

圖5是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的dac200的示意圖。盡管示出了通過預(yù)解碼器接收4位數(shù)字輸入d[0:3]并且輸出與4位數(shù)字輸入d[0:3]對(duì)應(yīng)的灰度信號(hào)vout的配置，該配置僅是用于清楚地描述本發(fā)明的示例，并非限制本發(fā)明的技術(shù)范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可使用沒有預(yù)解碼器的具有樹形式的dac以滿足本發(fā)明的技術(shù)范圍。

參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的dac200可包括多個(gè)電阻器r0、r1、…和r14連接的電阻器串210以及nmos通道晶體管n0、n1、n2、…和n7，其中通過經(jīng)由電阻器串210的一端和另一端接收的上限電壓vh和下限電壓vl形成的灰度電壓v0、v1、…和v7被提供給由被提供以控制柵電極的控制信號(hào)控制的漏電極，并且其中灰度電壓被輸出至源電極，所述多個(gè)nmos晶體管可被布置在pw中，nmos晶體管的體電極和pw可電連接，并且nmos晶體管可通過p阱偏置電壓vpw來偏置。

作為實(shí)施方式，上限電壓vh和下限電壓vl可分別是伽馬電壓的最大電壓和最小電壓。作為另一實(shí)施方式，上限電壓vh和下限電壓vl可分別是上裕度電壓與伽馬電壓的最大電壓相加的電壓以及從伽馬電壓的下限電壓減去下裕度電壓的電壓。

dac200可包括多個(gè)pmos晶體管p8、…、p14和p15，其中灰度電壓v8、v9、…和v15被提供給源電極，從預(yù)解碼器提供的控制信號(hào)被提供給柵電極，并且與控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓被輸出至漏電極。所述多個(gè)pmos晶體管可被布置在nw中，pmos晶體管的體電極和nw可電連接，并且所述多個(gè)pmos晶體管可通過n阱偏置電壓vnw來偏置。

nw和pw可形成在具有單一形式或者分割形式的dnw中。作為實(shí)施方式，當(dāng)不需要接收高電壓或提供高電壓的電路時(shí)，nw可形成為dnw。

作為實(shí)施方式，灰度電壓可通過被分成高灰度電壓組和低灰度電壓組來形成，提供高灰度電壓組的通道晶體管可利用pmos通道晶體管來實(shí)現(xiàn)，提供低灰度電壓組的通道晶體管可利用nmos通道晶體管來實(shí)現(xiàn)。作為示例，輸出灰度電壓v8至v15的通道晶體管可利用pmos晶體管來實(shí)現(xiàn)，輸出灰度電壓v0至v7的通道晶體管可利用nmos晶體管來實(shí)現(xiàn)。nmos通道晶體管可被布置在三阱結(jié)構(gòu)中的pw中，nmos晶體管的體電極可通過p阱偏置電壓vpw來偏置，pmos晶體管可被布置在三阱結(jié)構(gòu)中的nw中，并且pmos晶體管的體電極可通過n阱偏置電壓vnw來偏置。類似于圖5所示的實(shí)施方式，包括在高灰度電壓組中的灰度電壓的數(shù)量可等于包括在低灰度電壓組中的灰度電壓的數(shù)量。作為另一實(shí)施方式(未示出)，包括在高灰度電壓組中的灰度電壓的數(shù)量可不同于包括在低灰度電壓組中的灰度電壓的數(shù)量。

電阻器串210可包括多個(gè)電阻器r0、r1、…、r14，并且上限電壓vh可被提供給其一端，下限電壓vl可被供應(yīng)給其另一端。作為示例，上限電壓和下限電壓可以是值根據(jù)顯示面板(參照?qǐng)D1中的顯示面板)改變的伽馬電壓。作為另一示例，上限值可以是正裕度電壓與伽馬電壓的上限值相加的電壓值，下限值可以是負(fù)裕度電壓與伽馬電壓的下限值相加的電壓值。當(dāng)上限電壓vh和下限電壓vl被提供給電阻器串210時(shí)可生成多個(gè)灰度電壓v0、v1、…、v15。所生成的灰度電壓可被提供給顯示面板的像素。

在圖5所示的實(shí)施方式中，示出了下限電壓vl為v0(最小灰度電壓)的示例，但是一個(gè)或更多個(gè)電阻器可存在于被提供有下限電壓vl的節(jié)點(diǎn)與被提供有最小灰度電壓v0的節(jié)點(diǎn)之間，并且下限電壓vl和最小灰度電壓v0的電壓值可不同。另外，示出了上限電壓vh為v15(最大灰度電壓)的示例，但是上限電壓vh和最大灰度電壓v15可不同。

作為實(shí)施方式，可通過被形成為具有相同值的多個(gè)電阻器來使相鄰灰度電壓之差均勻化。作為另一實(shí)施方式，由于顯示在顯示器上的圖像的亮度和灰度電壓為非線性關(guān)系，所以多個(gè)電阻器可被形成為具有不同值，并且相鄰灰度電壓之差可不同。

dac200可包括接收并解碼電平移位的輸入位d[0:3]的預(yù)解碼器202。預(yù)解碼器202可控制pmos通道晶體管p8、p9、…、p15、nmos通道晶體管n0、n1、…、n7以便接收輸入位d[0:3]并且輸出與輸入位d[0:3]對(duì)應(yīng)的灰度電壓v0至v15當(dāng)中的任一個(gè)。作為實(shí)施方式，p阱偏置電壓vpw可以是包括在pw中的通道晶體管所提供的灰度電壓當(dāng)中的最小電壓。作為另一實(shí)施方式，下限電壓vl可作為p阱偏置電壓vpw被提供。

布置有pmos通道晶體管的nw可通過n阱偏置電壓vnw來偏置，并且pmos通道晶體管的體電極可電連接至nw。作為實(shí)施方式，提供給nw的n阱偏置電壓vnw可以是布置在nw中的pmos晶體管所提供的灰度電壓當(dāng)中的最大電壓。作為另一實(shí)施方式，上限電壓vh可作為提供給nw的n阱偏置電壓vnw被提供。

預(yù)解碼器202可生成在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)的控制信號(hào)以控制pmos通道晶體管和nmos通道晶體管。作為示例，假設(shè)上限電壓vh為8v，下限電壓vl為2v，pmos通道晶體管的閾值電壓為-0.3v，并且nmos晶體管的閾值電壓為0.3v。預(yù)解碼器202可生成在2v和8v之間擺動(dòng)的控制信號(hào)并且控制通道晶體管。

作為示例，當(dāng)8v的控制信號(hào)被提供給pmos晶體管p15的柵電極時(shí)，由于柵源電壓為0v并且大于-0.3v(其閾值電壓)，所以pmos晶體管p15可截止。然而，當(dāng)提供2v電壓作為控制信號(hào)時(shí)，由于柵源電壓為-6v并且小于-0.3v(閾值電壓)，所以pmos晶體管p15可導(dǎo)通。另外，當(dāng)8v的控制信號(hào)被提供給nmos通道晶體管n0的柵電極時(shí)，由于柵源電壓為6v并且大于0.3v(其閾值電壓)，所以nmos通道晶體管n0可導(dǎo)通。然而，當(dāng)提供2v電壓作為控制信號(hào)時(shí)，由于柵源電壓為0v并且小于閾值電壓，所以nmos通道晶體管n0可截止。如上所述，由于預(yù)解碼器利用具有相同擺動(dòng)的控制信號(hào)來控制nmos通道晶體管n0、n1、…、n7和pmos通道晶體管p8、p9、…、p15，所以解碼器的電路配置可簡(jiǎn)化。

在圖5所示的實(shí)施方式中，示出了下限電壓vl作為v0(最小灰度電壓)被提供并且上限電壓vh作為v15(最大灰度電壓)被提供的示例，但是一個(gè)或更多個(gè)電阻器可存在于被提供有下限電壓vl的節(jié)點(diǎn)與被提供有最小灰度電壓v0的節(jié)點(diǎn)之間，以使得下限電壓vl和最小灰度電壓v0可不同和/或上限電壓vh和最大灰度電壓v15可不同。

預(yù)解碼器202可根據(jù)需要形成在上限電壓vh和灰度電壓當(dāng)中的最大灰度電壓中的任一個(gè)與下限電壓vl和灰度電壓當(dāng)中的最小灰度電壓中的任一個(gè)之間擺動(dòng)的信號(hào)，并且控制通道晶體管。

在圖5所示的實(shí)施方式中，最大值8v可被提供給通道晶體管n0的柵電極，2v可被提供給漏電極，因此兩個(gè)電極之間的最大電壓差可為6v。另外，由于最小值2v被提供給通道晶體管p15的柵電極，8v被提供給源電極，所以兩個(gè)電極之間的最大電壓差可為6v，并且在nmos通道晶體管n1至n7以及pmos通道晶體管p9至p15中，電極的最大電壓差也可為6v。因此，dac可利用具有6v耐受電壓的器件來實(shí)現(xiàn)。

在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的dac中，器件的電極之間的最大電壓差可基于包括該器件的電路中的地電壓來計(jì)算，以便容易地設(shè)計(jì)電路并且確保其耐受電壓。因此，在上述實(shí)施方式中，可相對(duì)于0v(地電壓)識(shí)別通道晶體管的電極之間的電壓差，因此dac的通道晶體管可利用具有8v耐受電壓的器件來設(shè)計(jì)。因此，電路中所使用的器件可被設(shè)計(jì)為具有大尺寸以能夠耐受比實(shí)際施加的電壓大的電壓。

然而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可通過向體電極提供阱偏置電壓來使電極之間的電壓差減小，因此可使用具有小很多的耐受電壓的器件。因此，可在沒有任何可靠性問題的情況下使用具有小尺寸的器件，并且可在小面積中設(shè)計(jì)電路。

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的提供解碼器的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平移位器100的示意性框圖。參照?qǐng)D6，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電平移位器100可包括：第一電平移位器模塊110，其接收輸入信號(hào)vin和vinb并且輸出在中等電壓vm和基準(zhǔn)電壓vss之間擺動(dòng)的輸出信號(hào)vt和vtb；以及第二電平移位器模塊120，其輸出在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)的控制信號(hào)vo和vob以對(duì)應(yīng)于輸入信號(hào)vin和vinb，并且第二電平移位器模塊120可包括nmos晶體管na和nb，下限電壓可被提供給nmos晶體管的源電極和體電極。作為示例，上限電壓vh可以是大于灰度電壓的上限電壓的電壓，下限電壓vl可以是小于灰度電壓的下限電壓的電壓。

驅(qū)動(dòng)通道晶體管的預(yù)解碼器(參照?qǐng)D5中的202)可在維持信號(hào)的電平的同時(shí)將從電平移位器100提供的信號(hào)解碼，并且可將所解碼的信號(hào)提供給通道晶體管的柵電極。因此，電平移位器100可使從s/h寄存器提供的輸入信號(hào)移位至能夠使nmos通道晶體管和pmos通道晶體管導(dǎo)通/截止的電壓電平，并且將電平移位的信號(hào)提供給預(yù)解碼器。

在實(shí)施方式中，電平移位器100可輸出兩個(gè)電平，即，具有使nmos通道晶體管導(dǎo)通(pmos通道晶體管截止)的電壓電平的上限電壓vh以及具有使nmos通道晶體管截止(pmos通道晶體管導(dǎo)通)的電壓電平的下限電壓vl，并且控制通道晶體管，因此電平移位器和預(yù)解碼器的驅(qū)動(dòng)電路可簡(jiǎn)化。

在將電平移位器100配置為具有單級(jí)時(shí)，由于s/h寄存器的輸出信號(hào)的電平較小，所以s/h寄存器(參照?qǐng)D2)可能難以驅(qū)動(dòng)電平移位器。因此，可配置能夠由s/h寄存器的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)的第一電平移位器模塊110，可利用第一電平移位器模塊110的輸出信號(hào)來驅(qū)動(dòng)第二電平移位器模塊120，因此電平移位器100可由s/h寄存器的輸出信號(hào)來驅(qū)動(dòng)。

圖7是示出利用交叉耦合反相器實(shí)現(xiàn)的第一電平移位器模塊110和第二電平移位器模塊120的示例的示意性電路圖。這僅是能夠?qū)崿F(xiàn)電平移位器的配置的示例，并非旨在限制本發(fā)明的范圍。參照?qǐng)D7，第一電平移位器模塊110可接收輸入信號(hào)vin和vinb并且提供通過使輸入信號(hào)反相而生成的一對(duì)輸出信號(hào)vt和vtb。類似于圖5所示的實(shí)施方式，第一電平移位器模塊110可包括差分對(duì)并且差分地工作，并且盡管未示出，第一電平移位器模塊110可以是單端反相器。

提供給第一電平移位器模塊110的輸入信號(hào)vin和vinb可以是從s/h寄存器提供的數(shù)字信號(hào)，并且對(duì)于驅(qū)動(dòng)電平移位器100而言輸入信號(hào)的電平可能較小。因此，第一電平移位器模塊110可由從s/h寄存器提供的數(shù)字信號(hào)來驅(qū)動(dòng)，以驅(qū)動(dòng)第二電平移位器模塊120。作為示例，第一電平移位器模塊110的輸出信號(hào)可具有在基準(zhǔn)電壓vss(地電壓)與足以驅(qū)動(dòng)第二電平移位器模塊120的中等電壓vm之間擺動(dòng)的信號(hào)。

第二電平移位器模塊120可響應(yīng)于輸入信號(hào)來輸出在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)的一對(duì)控制信號(hào)vo和vob。類似于圖7所示的實(shí)施方式，第二電平移位器模塊120可包括差分對(duì)并且差分地工作，并且盡管未示出，第二電平移位器模塊120可為單端反相器。作為實(shí)施方式，下限電壓vl可以是不同于第一電平移位器模塊110的基準(zhǔn)電壓vss的電壓，并且可以是大于基準(zhǔn)電壓vss的電壓。

包括在第二電平移位器模塊120中的nmos晶體管na和nb的體電極可與源電極一起電連接至布置有nmos晶體管na和nb的三阱結(jié)構(gòu)的pw。下限電壓vl可被提供給nmos晶體管na和nb的體電極和源電極。

在所示的實(shí)施方式中，第一電平移位器模塊110的一對(duì)輸出信號(hào)vt和vtb可被提供給nmos晶體管nb和na的柵電極。作為實(shí)施方式，當(dāng)提供給nmos晶體管nb的柵電極的電壓vt使nmos晶體管nb導(dǎo)通時(shí)，下限電壓vl可作為信號(hào)vob輸出，并且由于下限電壓vl被提供給pmos晶體管pa的柵電極，所以pmos晶體管pa可導(dǎo)通。因此，上限電壓vh可作為信號(hào)vo輸出。反之，當(dāng)提供給nmos晶體管na的柵電極的信號(hào)vt使nmos晶體管na導(dǎo)通時(shí)，下限電壓vl可作為信號(hào)vo輸出，并且由于下限電壓vl被提供給pmos晶體管pb的柵電極，所以pmos晶體管pb可導(dǎo)通。因此，上限電壓vh可作為信號(hào)vob輸出。作為實(shí)施方式，可通過控制提供給布置有nmos晶體管na和nb的pw的電壓來控制由第二晶體管輸出的一對(duì)控制信號(hào)vo和vob的下限電壓。

當(dāng)具有基準(zhǔn)電壓vss(第一電平移位器模塊110的地電壓)的信號(hào)被提供給包括在第二電平移位器模塊120中的nmos晶體管na和nb的柵電極時(shí)，nmos晶體管na和nb可截止。當(dāng)?shù)谝浑娖揭莆黄髂K110的中等電壓vm被設(shè)定為能夠使包括在第二電平移位器模塊120中的nmos晶體管na和nb導(dǎo)通的電壓時(shí)，可通過利用第一電平移位器模塊110的一對(duì)輸出信號(hào)vt和vtb控制第二電平移位器模塊120來輸出在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)的信號(hào)。

如上所述，上限電壓vh可以是能夠通過被提供給nmos通道晶體管的柵電極來控制nmos通道晶體管導(dǎo)通的電壓，下限電壓vl可以是能夠通過被提供給pmos通道晶體管的柵電極來控制pmos通道晶體管導(dǎo)通的電壓。作為示例，上限電壓可至少比灰度電壓的最大值大通道晶體管的閾值電壓以及等于最大值，下限電壓可以是至少比灰度電壓的最小值小通道晶體管的閾值電壓以及等于最小值的電壓。

在圖7所示的實(shí)施方式中，當(dāng)基準(zhǔn)電壓vss是地電壓時(shí)，由于一對(duì)輸出信號(hào)vt和vtb的最小電壓是基準(zhǔn)電壓vss并且第二電平移位器模塊120的nmos晶體管na和nb的漏電壓是上限電壓vh，所以在第二電平移位器模塊120中，電極的最大電壓差可為vh。因此，當(dāng)利用具有耐受電壓vh-vl(上限電壓vh和下限電壓vl之差)的器件來形成第二電平移位器模塊120時(shí)，由于偏離于晶體管的耐受電壓，晶體管可能被破壞或者可能無法可靠地工作，因此可通過利用以電極的最大電壓差vh工作的器件形成的nmos晶體管na和nb來確保工作可靠性。然而，由于沒有向包括在第二電平移位器模塊120中的pmos晶體管pa和pb提供小于下限電壓vl的電壓，所以可使用具有耐受電壓vh-vl的器件。

類似于圖8所示的實(shí)施方式，一個(gè)或更多個(gè)電平移位器模塊級(jí)可進(jìn)一步連接在第一電平移位器模塊110級(jí)與第二電平移位器模塊120級(jí)之間。第三電平移位器模塊130可接收從第一電平移位器模塊110提供的輸出信號(hào)vt和vtb，并且提供在中等電壓vm和下限電壓vl之間擺動(dòng)的輸出信號(hào)v和vb。因此，輸出給第二電平移位器模塊120的輸出信號(hào)v和vb的下限電壓可以不是基準(zhǔn)電壓vss，而是可為下限電壓vl。因此，提供給第二電平移位器模塊120的信號(hào)的擺動(dòng)寬度可減小，并且包括在第二電平移位器模塊120中的nmos晶體管na和nb可利用具有耐受電壓vh-vl的器件來形成。因此，nmos晶體管na和nb可利用與圖7所示的實(shí)施方式相比具有更小的耐受電壓的器件來形成。

在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的電平移位器中，作為示例，即使當(dāng)執(zhí)行使輸入信號(hào)移位成在8v和2v之間擺動(dòng)的信號(hào)的操作時(shí)，也使用電極之間使用8v電壓差的器件以便容易地設(shè)計(jì)電路。然而，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電平移位器中，nmos晶體管的體電極可通過電平移位器的輸出信號(hào)的下限電壓來偏置。因此，nmos晶體管的電極的電壓差可減小，并且可實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)技術(shù)相比具有較小面積的電平移位器。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緩沖放大器300的一個(gè)實(shí)現(xiàn)示例的示意性電路圖。參照?qǐng)D9，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緩沖放大器300可以是包括輸出被負(fù)反饋至輸入的運(yùn)算放大器的緩沖放大器，并且運(yùn)算放大器可包括：第一級(jí)310，其包括折疊式級(jí)聯(lián)對(duì)312和314以及轉(zhuǎn)換折疊式級(jí)聯(lián)對(duì)312和314的輸出信號(hào)的電平的電平轉(zhuǎn)換器316；以及第二級(jí)320，其包括放大第一級(jí)的輸出信號(hào)的ab類放大器，第一級(jí)和第二級(jí)可級(jí)聯(lián)并連接，并且運(yùn)算放大器可在上限電壓vh和下限電壓vl之間工作。

nmos輸入電路312a可接收向上限電壓vh增大的輸入電壓，pmos輸入電路312b可接收向下限電壓vl減小的輸入電壓。因此，提供給第一級(jí)310的輸入信號(hào)可在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)。另外，可通過級(jí)聯(lián)電路314a和314b來改進(jìn)第一級(jí)310的輸出電阻特性，并且第一級(jí)310的增益可大于未應(yīng)用級(jí)聯(lián)電路時(shí)。

電平轉(zhuǎn)換器316可轉(zhuǎn)換偏置電壓的電平以使得當(dāng)包括在第二級(jí)320中的nmos晶體管和pmos晶體管同時(shí)導(dǎo)通時(shí)沒有從上限電壓至下限電壓生成沖擊電流，并且將所轉(zhuǎn)換的偏置電壓提供給其輸出節(jié)點(diǎn)。作為示例，電平轉(zhuǎn)換器316可接收偏置電壓vbp3，將偏置電壓vbp3的電平轉(zhuǎn)換與pmos晶體管的柵源電壓差對(duì)應(yīng)的電平那么多，將所轉(zhuǎn)換的偏置電壓提供給輸出節(jié)點(diǎn)oa，接收偏置電壓vbn3，將偏置電壓vbn3的電平轉(zhuǎn)換與nmos晶體管的柵源電壓差對(duì)應(yīng)的電平那么多，并且將所轉(zhuǎn)換的偏置電壓提供給輸出節(jié)點(diǎn)ob。

級(jí)聯(lián)電路314a和314b可分別將通過放大輸入信號(hào)而生成的信號(hào)提供給電平轉(zhuǎn)換器316的輸出節(jié)點(diǎn)oa和ob。因此，通過將輸入信號(hào)vin和vinb提供給第一級(jí)而生成的信號(hào)可通過與所轉(zhuǎn)換的偏置電壓交疊來被提供作為第二級(jí)的輸入，以使得包括在第二級(jí)中的pmos晶體管和nmos晶體管不同時(shí)導(dǎo)通。第二級(jí)320可包括ab類放大器，接收通過輸出節(jié)點(diǎn)oa和ob提供的輸入信號(hào)，并且提供在上限電壓vh和下限電壓vl之間擺動(dòng)的輸出信號(hào)。由于運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)vout被反饋?zhàn)鳛榉聪噍斎胄盘?hào)vinb，所以可形成具有單位增益的緩沖放大器。

在實(shí)施方式中，在第一級(jí)與第二級(jí)之間還可包括頻率補(bǔ)償電容器cm。頻率補(bǔ)償電容器cm可連接在第二級(jí)的輸入和輸出之間。連接在放大器的輸入和輸出之間的頻率補(bǔ)償電容器cm可使頻率增益特性劣化，但是可起到通過改進(jìn)頻率裕度特性來去除高頻處所出現(xiàn)的寄生振蕩的功能。

包括在第一級(jí)310和第二級(jí)320中的nmos晶體管可被布置在三阱結(jié)構(gòu)的pw中。pw可通過下限電壓vl偏置，并且布置在pw中的nmos晶體管的體電極可電連接至pw并從其接收阱偏置電壓。

在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的緩沖放大器中，即使當(dāng)在上限電壓與下限電壓(不是地電壓)之間工作時(shí)，也提供地電壓作為提供給用作放大器的器件的最小電壓，以便容易地設(shè)計(jì)電路并確保其耐受電壓，因此可基于地電壓來計(jì)算器件的耐受電壓。作為示例，即使在以8v的上限電壓和2v的下限電壓來工作的緩沖放大器中，也使用以電極的8v電壓差來工作的器件。

然而，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緩沖放大器中，布置有nmos晶體管的阱通過下限電壓偏置，并且下限電壓(阱偏置電壓)可被提供給電連接至阱的nmos晶體管的體電極。因此，nmos晶體管的電極的電壓差可減小提供給阱的阱偏置電壓那么多。即，在以8v的上限電壓和2v的下限電壓工作的緩沖放大器中，通過將2v下限電壓(阱偏置電壓)提供給nmos晶體管的體電極，電極的電壓差可減小為6v，并且可利用具有6v耐受電壓的器件來實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)技術(shù)相比具有較小面積的緩沖放大器。

圖10是示出包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器10的電子裝置1的示意圖。以下，為了說明方便，與上述實(shí)施方式相同的內(nèi)容將被省略。參照?qǐng)D10，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子裝置1可包括源極驅(qū)動(dòng)器10以及由源極驅(qū)動(dòng)器10驅(qū)動(dòng)的顯示面板，源極驅(qū)動(dòng)器10包括：電平移位器100，其接收數(shù)字位并提供電平移位的輸出信號(hào)；dac200，其包括電阻器串以及多個(gè)開關(guān)，所述電阻器串提供通過分別經(jīng)由一端和另一端接收上限電壓和下限電壓而形成的多個(gè)灰度電壓，所述多個(gè)開關(guān)由輸出信號(hào)控制并且輸出與輸出信號(hào)對(duì)應(yīng)的灰度電壓；以及緩沖放大器300，其放大從dac200提供的信號(hào)，其中，所述多個(gè)開關(guān)包括電壓被提供給其體電極的nmos開關(guān)。

顯示面板可以是由源極驅(qū)動(dòng)器10和柵極驅(qū)動(dòng)器(參照?qǐng)D1的柵極驅(qū)動(dòng)器)驅(qū)動(dòng)的顯示面板。作為示例，顯示面板可以是液晶顯示(lcd)面板。lcd面板可包括液晶以及中間夾有所述液晶的透明電極和偏振板。當(dāng)電壓被提供給一對(duì)透明電極時(shí)，由布置在一對(duì)透明電極后面的背光單元提供的光由于布置在透明電極之間的液晶的排列方式改變而被透射或阻擋。

作為另一示例，顯示面板可以是有機(jī)發(fā)光器件(oled)顯示面板。oled顯示面板可包括在陰極和陽極(兩個(gè)電極)之間傳輸電子的電子傳輸層、傳輸空穴的空穴傳輸層以及隨著傳輸?shù)碾娮雍涂昭◤?fù)合而發(fā)射光的光發(fā)射層，并且與無法自主地發(fā)射光并且透射和阻擋從其后側(cè)提供的光的lcd不同，oled顯示面板可具有通過提供給它的能量來自主地發(fā)射光的特性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子裝置1可包括電平移位器100、dac200和緩沖放大器300，并且可由介于上限電壓vh和下限電壓vl之間的電壓驅(qū)動(dòng)。

圖10示出電子裝置1是移動(dòng)裝置的示例，但僅是示例，電子裝置1可以是諸如平板個(gè)人計(jì)算機(jī)(pc)、膝上型計(jì)算機(jī)等的包括顯示面板的移動(dòng)電子裝置，并且可以是類似電視(tv)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器等的在固定位置顯示圖像的電子裝置。

依據(jù)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的源極驅(qū)動(dòng)器10、電平移位器100、dac200和緩沖放大器300，與傳統(tǒng)技術(shù)中不同，當(dāng)在上限電壓與非0v的下限電壓之間驅(qū)動(dòng)器件時(shí)，源極驅(qū)動(dòng)器10、電平移位器100、數(shù)模轉(zhuǎn)換器200和緩沖放大器300可通過減小器件的耐受電壓利用具有小尺寸的器件來形成。因此，由于晶片尺寸減小，所以與傳統(tǒng)技術(shù)相比可經(jīng)濟(jì)地制造器件。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，與傳統(tǒng)技術(shù)中相比，通過減小mos器件的電極的電壓差，可通過利用較小器件形成電路來減小晶片尺寸。因此，可經(jīng)濟(jì)地制造電路。

盡管參照附圖中所示的實(shí)施方式描述了本發(fā)明以方便本發(fā)明的理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，這些實(shí)施方式僅是示例并且僅是例示性的，各種修改以及等同的其它實(shí)施方式也是可以的。因此，本發(fā)明的技術(shù)精神和范圍可由所附權(quán)利要求書限定。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年3月21日提交的韓國專利申請(qǐng)no.10-2016-0033570的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開內(nèi)容以引用方式整體并入本文。