本發(fā)明涉及一種使用了2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片的晶體振子。

背景技術(shù)：

已知有使用了2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片的2次旋轉(zhuǎn)晶體振子，所述2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片是將晶體與x′軸及z′軸平行地切斷而形成，所述x′軸是使作為晶體的結(jié)晶軸的x軸以作為結(jié)晶軸的z軸為中心而旋轉(zhuǎn)φ度所得，所述z′軸是使z軸以x′軸為中心而旋轉(zhuǎn)θ度所得。專利文獻(xiàn)1中，例如示出φ約為22度、θ約為34度的sc切割的晶體振子。此種2次旋轉(zhuǎn)晶體振子比起at切割晶體振子而熱沖擊特性良好，且在80℃左右的相對高的溫度下顯示出零溫度系數(shù)，因而例如收納在加熱到80℃左右的一定溫度的恒溫槽內(nèi)而作為穩(wěn)定度高的晶體振蕩器使用。

[背景技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開平5-243890號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

[發(fā)明所要解決的問題]

然而，如專利文獻(xiàn)1所示的2次旋轉(zhuǎn)晶體振子中，存在如下問題，即，輪廓系、彎曲系副振動與主振動耦合，而容易產(chǎn)生由溫度變化引起的急峻的頻率變化及晶體阻抗(crystalimpedance，簡稱：ci)的變化。而且，2次旋轉(zhuǎn)晶體振子與at切割的晶體振子彼此的振動模式不同，因而，難以直接將at切割的晶體振子的技術(shù)用于2次旋轉(zhuǎn)晶體振子來抑制副振動。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供抑制副振動與主振動的耦合且將ci值抑制得低的晶體振子。

[解決問題的技術(shù)手段]

第一觀點的晶體振子包括：晶體片，具有與x′軸及z′軸平行的一對主面，所述x′軸是使作為晶體的結(jié)晶軸的x軸以作為晶體的結(jié)晶軸的z軸為中心而在15度至25度的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)所得，所述z′軸是使z軸以x′軸為中心而在33度至35度的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)所得；以及激振電極，形成于晶體片的各主面。在各主面，形成著比主面的外周突出且形成為橢圓形狀(向晶體片的厚度方向突出且平面形狀形成為橢圓形狀)的臺面部或比主面的外周凹陷且形成為橢圓形狀(向晶體片的厚度方向凹陷且平面形狀形成為橢圓形狀)的逆臺面部。

第二觀點的晶體振子如第一觀點，橢圓形狀的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸。

第三觀點的晶體振子如第一觀點，橢圓形狀的長軸沿相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第四觀點的晶體振子如第一觀點至第三觀點，所述晶體片形成為1條對角線處于相對于z′軸為±10°的范圍的正方形或長方形，或者1條邊處于相對于所述z′軸為±10°的范圍的正方形或長方形(其中，正方形、長方形也包括晶體片的角部為r狀等的大致正方形、大致長方形)。另外，此處敘述為±10°的理由是，如果處于該范圍，則能夠選擇如下晶體片，即，將本發(fā)明提及的激振電極配置于特定的位置之后，進(jìn)而能夠減小支撐晶體片時的影響且容易進(jìn)行晶體片的加工。

第五觀點的晶體振子如第一觀點至第四觀點，長軸與橢圓形狀的短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第六觀點的晶體振子包括：晶體片，具有與x′軸及z′軸平行的一對主面，所述x′軸是使作為晶體的結(jié)晶軸的x軸以作為晶體的結(jié)晶軸的z軸為中心而在15度至25度的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)所得，所述z′軸是使z軸以x′軸為中心而在33度至35度的范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)所得；以及激振電極，形成于晶體片的各主面。在各主面，形成著比主面的外周突出的規(guī)定形狀的臺面部或比主面的外周凹陷的規(guī)定形狀的逆臺面部，規(guī)定形狀為第一橢圓形狀與第二橢圓形狀合成所得的形狀，所述第一橢圓形狀的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸，所述第二橢圓形狀的長軸沿相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第七觀點的晶體振子如第六觀點，第一橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍，第二橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第八觀點的晶體振子如第一觀點至第七觀點，各激振電極形成為橢圓形狀，激振電極的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向或相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第九觀點的晶體振子如第一觀點至第七觀點，各激振電極形成為第一橢圓形狀與第二橢圓形狀合成所得的形狀，所述第一橢圓形狀的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸，所述第二橢圓形狀的長軸沿相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第十觀點的晶體振子如第一觀點至第八觀點，晶體片以規(guī)定的頻率振動，激振電極包含：厚度為固定的中央部，及形成于中央部的周圍且從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)厚度變薄的傾斜部，傾斜部的內(nèi)周側(cè)與外周側(cè)的寬度比晶體片的不必要振動的波長的1/2長。

第十一觀點的晶體振子如第十觀點，激振電極的厚度處于晶體片的厚度的0.03％至0.18％之間。

第十二觀點的晶體振子如第一觀點至第七觀點，激振電極包含：外形為圓形狀的第一區(qū)域，及形成于第一區(qū)域的周圍且外形為橢圓形狀并且厚度比第一區(qū)域薄的第二區(qū)域。

第十三觀點的晶體振子如第十二觀點，第二區(qū)域的外形的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向或相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第十四觀點的晶體振子如第十三觀點，長軸與橢圓形狀的短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第十五觀點的晶體振子如第十三觀點及第十四觀點，晶體片以規(guī)定的頻率振動，橢圓形狀的中心與圓形狀的中心重疊，橢圓形狀的長半徑與圓形狀的半徑之差為與振動一起產(chǎn)生的不必要振動的波長的自然數(shù)倍。

第十六觀點的晶體振子如第十二觀點，第二區(qū)域的外形形成為第一橢圓形狀與第二橢圓形狀合成所得的形狀，所述第一橢圓形狀的長軸沿相對于x′軸延伸的方向為-5度至+15度的范圍的方向延伸，所述第二橢圓形狀的長軸沿相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸。

第十七觀點的晶體振子如第十六觀點，激振電極的第一橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍，激振電極的第二橢圓形狀的長軸與短軸之比為1.05∶1至2.0∶1的范圍。

第十八觀點的晶體振子如第十六觀點及第十七觀點，晶體片以規(guī)定的頻率振動，激振電極的第一橢圓形狀的中心、激振電極的第二橢圓形狀的中心及激振電極的圓形狀的中心重疊，激振電極的第一橢圓形狀的長半徑與圓形狀的半徑之差及激振電極的第二橢圓形狀的長半徑與圓形狀的半徑之差分別為與振動一起產(chǎn)生的不必要振動的波長的自然數(shù)倍。

第十九觀點的晶體振子如第十二觀點至第十八觀點，激振電極的厚度處于相對于晶體片的厚度為0.02％至0.13％的范圍內(nèi)。

第二十觀點的晶體振子如第十二觀點至第十九觀點，第一區(qū)域與第二區(qū)域的厚度之差形成于相對于第二區(qū)域的厚度為1/4倍至1倍的范圍內(nèi)。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)本發(fā)明的晶體振子，能夠抑制副振動與主振動的耦合且將ci值抑制得低。

附圖說明

圖1是2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片110的說明圖。

圖2a是晶體振子100的平面圖。

圖2b是圖2a的iib-iib剖面圖。

圖3a是表示晶體片為平板狀且激振電極為單層的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖3b是表示使形成著圓形狀的臺面部的晶體振子以30mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖3c是表示使形成著橢圓形狀的臺面部的晶體振子以30mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖4a是晶體振子100a的概略平面圖。

圖4b是晶體振子100b的概略平面圖。

圖5a是晶體振子200a的平面圖。

圖5b是晶體振子200b的平面圖。

圖6a是臺面部113的平面圖。

圖6b是晶體振子300a的平面圖。

圖6c是晶體振子300b的平面圖。

圖7a是晶體振子400a的剖面圖。

圖7b是晶體振子400b的剖面圖。

圖8a是晶體振子500的平面圖。

圖8b是圖8a的viiib-viiib剖面圖。

圖8c是表示不必要振動的波長與頻率的關(guān)系的曲線圖。

圖9a是表示傾斜長度為0μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖9b是表示傾斜長度為50μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖9c是表示傾斜長度為55μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖9d是表示傾斜長度為400μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖10a是晶體振子600的平面圖。

圖10b是圖10a的xb-xb剖面圖。

圖11a是晶體振子700的平面圖。

圖11b是圖11a的xib-xib剖面圖。

圖11c是晶體振子700a的平面圖。

圖12a是晶體振子800的平面圖。

圖12b是圖12a的xiib-xiib剖面圖。

圖13a是表示使具有長軸為短軸的1.1倍的雙重電極的晶體振子以20mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖13b是表示使具有長軸為短軸的1.12倍的雙重電極的晶體振子以40mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。

圖14a是晶體振子900的平面圖。

圖14b是圖14a的xivb-xivb剖面圖。

符號的說明：

100、100a、100b、200a、200b、300a、300b、400a、400b、500、600、700、700a、800、900：晶體振子

110、110a、110b、210、310a、310b、410a、410b、510、710：晶體片

111、112、113、511：臺面部

114：逆臺面部

120、520、620、620a、720、720a、820、920：激振電極

121、221a、221b、321a、321b、721：引出電極

211：對角線

511a、520a：中央部

511b、520b：傾斜部

820a、920a：第一區(qū)域

820b、920b：第二區(qū)域

822、922：第一層

823、923：第二層

x、x′、y、y′、z、z′：軸

xa：臺面部111的短軸的長度

xb：臺面部112的長軸的長度

xc：激振電極620的短軸的長度、第二區(qū)域820b的短軸的長度、第二區(qū)域920b的短軸的長度

ya：晶體片110的整體的厚度、晶體片410a的整體的厚度、晶體片410b的厚度

ya1：臺面部111的厚度、從晶體片510的臺面部511的周圍的周邊部算起的中央部511a的厚度

ya2：逆臺面部114的深度

yb：激振電極120的厚度、中央部520a的厚度、激振電極620的厚度

yb1：第一區(qū)域820a的厚度、第一區(qū)域920a的厚度

yb2：第二區(qū)域820b的厚度、第二區(qū)域920b的厚度

za：臺面部111的長軸的長度

zb：臺面部111的長半徑與激振電極120的半徑之差、臺面部112的短軸的長度

zc：傾斜部520b的傾斜長度

zd：傾斜部511b的傾斜長度

ze：激振電極620的長軸的長度、第二區(qū)域820b的長軸的長度、第二區(qū)域920b的長軸的長度

zf：激振電極720的長軸的長度

zg：第二區(qū)域820b的長半徑與第一區(qū)域820a的半徑之差、第二區(qū)域920b的長半徑與第一區(qū)域920a的半徑之差

φ、θ、β1、β2：角度

α1：從z′軸逆時針的方向的旋轉(zhuǎn)的角度

α2：從z′軸順時針的方向的旋轉(zhuǎn)的角度

具體實施方式

以下，基于附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明的范圍在以下的說明中只要沒有意圖特別限定本發(fā)明的記載，則不限于這些形態(tài)。

(第一實施方式)

<晶體振子100的構(gòu)成>

圖1是2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片110的說明圖。圖1中，晶體的結(jié)晶軸表示為x軸、y軸、z軸。2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片110是通過與x′軸及z′軸平行地將晶體切斷而形成，所述x′軸是使作為晶體的結(jié)晶軸的x軸以作為晶體的結(jié)晶軸的z軸為中心而旋轉(zhuǎn)φ度所得，所述z′軸是使z軸以x′軸為中心而旋轉(zhuǎn)θ度所得。因此，2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片110以x′z′面成為主面的方式形成。而且，圖1中，表示與x′軸及z′軸垂直的y′軸。

關(guān)于圖1所示的2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片，已知有φ約為22度且θ約為34度的sc切割的晶體片，φ約為19度且θ約為34度的it切割的晶體片，及φ約為15度且θ為34.33度的fc切割的晶體片等。這些晶體片的φ為15度至25度之間且θ為33度至35度之間。以下的說明中，使用φ為15度至25度之間且θ為33度至35度之間的2次旋轉(zhuǎn)切割的晶體片而進(jìn)行說明。

圖2a是晶體振子100的平面圖。晶體振子100具有晶體片110、激振電極120、引出電極121。晶體片110形成為長邊沿z′軸方向延伸、短邊沿x′軸方向延伸的長方形，在+y′軸側(cè)及-y′軸側(cè)的各主面，形成著從各主面呈橢圓形狀突出的臺面部111。晶體片110為長方形形狀，但此種角板狀的晶體片容易調(diào)整外形的形狀，且可將制造成本抑制得低，因而優(yōu)選。

在晶體片110的主面表背(+y′軸側(cè)及-y′軸側(cè)的各面)分別形成著圓形狀的激振電極120。兩主面的各激振電極120為相同形狀，以各激振電極120的中心與各臺面部111的中心在y′軸方向上相互重疊的方式形成。而且，將引出電極121從激振電極120向晶體片110的+z′軸側(cè)的邊分別引出。

以前，伴隨晶體振子的小型化而晶體片的角板化推進(jìn)，但出于優(yōu)化電氣常數(shù)的目的而將激振電極的面積設(shè)得大，為此將激振電極的形狀也形成為方型。然而，方型的激振電極中，彎曲系的副振動與來自晶體片的端面的反射波容易耦合，也成為ci值的變動及增加的原因。與此相對，在將激振電極形成為圓形的情況下，能夠抑制來自晶體片的端面的反射波，能夠防止耦合，因而能夠防止ci值的變動及增加。

晶體片110的臺面部111形成為長軸沿z′軸方向延伸且短軸沿x′軸方向延伸。圖2a中，臺面部111的長軸的長度表示為za，臺面部111的短軸的長度表示為xa，臺面部111的長半徑與激振電極120的半徑之差表示為zb。此處，在臺面部111的長軸的長度za為短軸的長度xa的1.05倍至2.0倍的范圍的情況下，存在抑制ci值的變動及增加的傾向，因而優(yōu)選。其原因在于，在長軸的長度za小于短軸的長度xa的1.05倍的情況下，因接近于圓形狀，所以無法將激振電極的面積設(shè)得大，在長軸的長度za大于短軸的長度xa的2.0倍的情況下，圓形狀的激振電極中所看到的能夠防止ci值的變動及增加的效果減弱。

圖2b是圖2a的iib-iib剖面圖。圖2b中，將晶體片110的整體的厚度設(shè)為ya，臺面部111的厚度設(shè)為ya1，激振電極120的厚度設(shè)為yb。激振電極120及引出電極121例如通過如下而形成，即，形成作為基底的鉻(cr)或鎳(ni)，且在其上制成金(au)膜。而且，晶體振子伴隨晶體片的小型化對晶體片的支撐的振動的影響增大，但晶體振子100中因激振電極120與支撐晶體片的引出電極121在晶體片中形成為不同的層，所以可抑制不必要振動對振動的影響。

激振電極120的厚度yb優(yōu)選形成于至之間，尤其優(yōu)選形成為至之間的厚度。其原因在于，如果激振電極過薄則無法作為電極發(fā)揮功能且無法封閉主振動，如果過厚，則電極的質(zhì)量增加，由此導(dǎo)致ci值的增大及ci值的變動。而且，厚度ya與厚度yb之間存在優(yōu)選的關(guān)系，在厚度yb取厚度ya的0.03％至0.18％之間的值的情況下，ci值的變動減少，因而優(yōu)選。而且，晶體振子的振蕩頻率因與晶體片的厚度成反比例，所以厚度ya根據(jù)晶體振子100的振蕩頻率而決定。因此，厚度yb根據(jù)厚度ya而為厚度ya的0.03％至0.18％之間，以取至之間的值的方式?jīng)Q定。進(jìn)而，在激振電極120的厚度yb形成于相對于臺面部111的厚度ya1與激振電極120的厚度yb的合計值為1/4倍至1倍的范圍內(nèi)的情況下，以及在以處于厚度ya的0.07％至1.9％的范圍的方式?jīng)Q定厚度ya1的情況下，能夠抑制ci值的增大及ci值的變動，因而優(yōu)選。

<關(guān)于臺面部>

晶體振子100中，通過在晶體片110形成臺面部111而減小ci值。以下，對臺面部的效果進(jìn)行說明。

圖3a是表示晶體片為平板狀且激振電極為單層的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。橫軸表示晶體振子的溫度，縱軸表示ci值。圖3a中示出9個晶體振子的ci值的溫度變化，且示出使在amm見方的晶體片利用蒸鍍法形成厚度為且直徑為0.6amm的激振電極的晶體振子以30mhz振蕩的情況下的結(jié)果。

圖3a中可知，因晶體振子而ci值的溫度變化的傾向大不相同，ci值不穩(wěn)定。例如，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，最低ci值約為(r+50)ω，最高ci值約為(r+850)ω。即，圖3a的晶體振子中，顯示80℃下可產(chǎn)生約800ω的變動。

圖3b是表示使形成著圓形狀的臺面部的晶體振子以30mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖3b的晶體振子為如下的晶體振子，即，在具有bmm見方的正方形狀的主面的晶體片的各主面形成各自的厚度為晶體片的厚度的3％且圓形狀的臺面部。圖3b中，ci值大約在rω至(r+200)ω之間變化。而且，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，ci值約為(r+85)ω。

圖3c是表示使形成著橢圓形狀的臺面部的晶體振子以30mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖3c中，示出2個晶體振子的ci值的溫度變化。圖3c的晶體振子為如下的晶體振子，即，在具有bmm見方的正方形狀的主面的晶體片的各主面分別形成著厚度為晶體片的厚度的1.4％、且沿x′軸方向延伸的長軸的長度為0.87bmm、短軸的長度為0.65bmm的橢圓形狀的臺面部。圖3c中，在整體的溫度范圍內(nèi)ci值大約具有rω左右的ci值。而且，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，一ci值約為(r-30)ω，另一ci值約為(r-15)ω。

可知圖3c所示的具有橢圓形狀的臺面部的晶體振子，相對于圖3a所示的未形成臺面部的晶體振子及圖3b所示的具有圓形狀的臺面部的晶體振子，在整體的溫度范圍及80℃下ci值低。因此，認(rèn)為優(yōu)選在晶體振子形成著橢圓形狀的臺面部。

<關(guān)于臺面部的長軸延伸的方向>

圖4a是晶體振子100a的概略平面圖。晶體振子100a具有形成著臺面部111的晶體片110a及激振電極120。在晶體振子100a還形成著引出電極等，但圖4a中僅示出晶體片110a與激振電極120。

在晶體振子中外形的形狀為橢圓形狀的臺面部的長軸沿z′軸方向延伸的情況下，能夠抑制傳遞至z′軸方向的副振動即彎曲振動，由此能夠抑制ci值的上升。而且，關(guān)于臺面部111的長軸的延伸的方向，如果將從z′軸逆時針的方向的旋轉(zhuǎn)的角度設(shè)為α1，從z′軸順時針的方向的旋轉(zhuǎn)的角度設(shè)為α2，只要α1及α2為5度的范圍內(nèi)的方向則容易獲得能夠抑制彎曲振動的效果。即，如果將逆時針的方向設(shè)為正方向，順時針的方向設(shè)為負(fù)方向，則臺面部111的長軸在沿相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向延伸的情況下優(yōu)選。

圖4b是晶體振子100b的概略平面圖。晶體振子100b具有形成著臺面部112的晶體片110b與激振電極120。在晶體振子100b還形成著引出電極等，但圖4b中，僅示出晶體片110b與激振電極120。臺面部112形成為長軸沿x′軸方向延伸的橢圓形狀，晶體片110b形成為長邊沿x′軸方向延伸的矩形形狀。

在臺面部的長軸沿x′軸方向延伸的情況下，長軸宜沿相對于x′為-5度至+15度的范圍(即圖4b的β1、β2所示的范圍)延伸。據(jù)此，根據(jù)發(fā)明人的實驗，容易進(jìn)行為主振動的c模式的封閉，能夠抑制副振動的端面反射，從而能夠抑制ci值的上升。

(第二實施方式)

晶體片能夠形成為各種形狀。以下，對晶體片的變形例進(jìn)行說明。

<晶體振子200a及晶體振子200b的構(gòu)成>

圖5a是晶體振子200a的平面圖。晶體振子200a包括：具有正方形狀的主面且形成著臺面部111的晶體片210，形成于晶體片210的兩主面的臺面部111的激振電極120，以及從各激振電極120引出的引出電極221a。晶體片110(參照圖2a)形成為長方形狀，但即便形成為短邊及長邊的長度相等的正方形狀也容易調(diào)整形狀并能夠?qū)⒅圃斐杀疽种频玫?，因而?yōu)選。

晶體片210具有與z′軸平行的1條對角線211，臺面部111的長軸以沿著對角線211的方式形成。通過臺面部111沿對角線211形成，在規(guī)定了大小的晶體片210中，能夠?qū)⑴_面部111的面積形成得大。如果臺面部111的面積變大，則等效串聯(lián)電容c1增大而可塑性增強，等效串聯(lián)電阻r1減小而振動能量的損失減小，因而優(yōu)選。而且，晶體振子200a中，引出電極221a分別被朝向晶體片210的+x′軸側(cè)及-x′軸側(cè)的晶體片210的對角線上的角引出。

圖5b是晶體振子200b的平面圖。晶體振子200b包括：具有正方形狀的主面且形成著臺面部111的晶體片210，形成于晶體片210的兩主面的臺面部111的激振電極120，及從各激振電極120引出的引出電極221b。引出電極221b被引出到激振電極120的+z′軸側(cè)及-z′軸側(cè)的晶體片210的角。在圖5a、圖5b的任一情況下，均由晶體片的對角線的角部保持晶體片，因而能夠穩(wěn)定地保持晶體片。然而，保持位置不限于此。而且，在圖5a、圖5b的例中，示出晶體片的對角線與z′軸平行，因此，晶體片的角部位于z′軸或x′軸上的示例，但考慮到支撐的影響等，也存在如下情況，即，晶體片的對角線位于相對于z′軸非平行且±10度的范圍的優(yōu)選的位置關(guān)系，即，晶體片的角部偏離z′軸或x′軸規(guī)定角度的線上。

<晶體振子300a及晶體振子300b的構(gòu)成>

圖6a是臺面部113的平面圖。臺面部113形成為將圖4a所示的臺面部111與圖4b所示的臺面部112對準(zhǔn)彼此的中心重合所得的形狀。如果將臺面部112的長軸的長度設(shè)為xb，短軸的長度設(shè)為zb，則與圖2a所示的臺面部111同樣地，以臺面部112的長軸的長度xb為短軸的長度zb的1.1倍至2.0倍的范圍的方式形成著臺面部112。臺面部111與臺面部112的短軸彼此及長軸彼此的長度可相同，也可不同。

在如臺面部111那樣長軸與z′軸平行的情況下，能夠抑制傳遞至z′軸方向的副振動即彎曲振動，在如臺面部112那樣長軸與x′軸平行的情況下，容易進(jìn)行為主振動的c模式的封閉，能夠抑制副振動的端面反射。臺面部113形成為長軸沿z′軸方向延伸的橢圓形狀及長軸沿x′軸方向延伸的橢圓形狀合成所得的形狀，兼具臺面部111與臺面部112的特征。

圖6b是晶體振子300a的平面圖。晶體振子300a具有：形成著臺面部113的晶體片310a，形成于晶體片310a的兩主面的激振電極120，及分別從各激振電極120引出的引出電極321a。圖6b中，示出長度za與長度xb具有相同的長度，晶體片310a具有正方形的主面，晶體片310a的各邊以與z′軸或者x′軸平行的方式形成的情況下的示例。而且，引出電極321a分別從激振電極120被朝向晶體片310a的對角線上即晶體片310a的+x′軸側(cè)的-z′軸側(cè)的角及-x′軸側(cè)的+z′軸側(cè)的角引出。

晶體振子300a中，晶體片310a的各邊以沿著臺面部111及臺面部112的長軸的方式且以沿x′軸及z′軸延伸的方式形成，由此能夠使臺面部113的面積形成得大，因而優(yōu)選。

圖6c是晶體振子300b的平面圖。晶體振子300b具有：形成著臺面部113的晶體片310b，形成于晶體片310b的兩主面的激振電極120，及分別從各激振電極120引出的引出電極321b。圖6c中，長度za與長度xb具有相同長度，晶體片310b具有正方形的主面，晶體片310b的對角線以與z′軸及x′軸平行的方式形成。而且，引出電極321b分別從激振電極120被朝向晶體片310b的+z′軸側(cè)的角及-z′軸側(cè)的角引出。

晶體振子300b中，晶體片310b的對角線形成為與z′軸或x′軸平行。由此，能夠使臺面部113的面積相對于晶體片的主面的面積形成得大，因而優(yōu)選。另外，在圖6b、圖6c的任一情況下，均利用晶體片的對角線的角部保持晶體片，因而能夠穩(wěn)定地保持晶體片。然而，保持位置不限于此。而且，圖6c的例中，示出了晶體片的對角線與z′軸平行，因此，晶體片的角部位于z′軸或x′軸上的示例，考慮到支撐的影響等，也存在如下情況，即，晶體片的對角線位于相對于z′軸非平行且±10度的范圍的優(yōu)選的位置關(guān)系，即，晶體片的角部偏離z′軸或x′軸規(guī)定角度的線上。

<晶體振子400a及晶體振子400b的構(gòu)成>

圖7a是晶體振子400a的剖面圖。晶體振子400a具有晶體片410a、激振電極120、引出電極121。晶體片410a的整體的厚度形成為ya，僅在+y′軸側(cè)的面形成著臺面部111，-y′軸側(cè)的面形成為平面狀。晶體振子400a是未在圖2b所示的晶體振子100的-y′軸側(cè)的主面形成著臺面部111的晶體振子，圖7a中示出與圖2a的iib-iib剖面對應(yīng)的部分的晶體振子400a的剖面。晶體振子中，也可如圖7a所示那樣僅在單側(cè)的主面形成著臺面部。

圖7b是晶體振子400b的剖面圖。晶體振子400b具有晶體片410b、激振電極120、引出電極121。晶體片410b在+y′軸側(cè)及-y′軸側(cè)的主面形成著逆臺面部114。逆臺面部114的平面形狀為與晶體片110的臺面部111(參照圖2a)相同的長軸沿z′軸方向延伸的橢圓形狀，但與臺面部111相反地以從晶體片的表面凹陷的方式形成。逆臺面部114的晶體片410b的厚度形成為ya，各逆臺面部114從表面起凹陷厚度ya2而形成。

在晶體振子中因小型化而晶體片的大小減小的情況下，晶體振子的支撐對振動造成的影響增大。與此相對，晶體振子400b中，因保持晶體振子400b的引出電極121形成為與形成著使晶體片410b的振動產(chǎn)生的激振電極120的面所不同的高度，所以可防止妨礙到晶體振子的振動。而且，橢圓形狀的逆臺面部114能夠與臺面部111同樣地抑制不必要振動且減小ci值。

(第三實施方式)

通過在激振電極的周圍及臺面部的周圍形成表面傾斜的傾斜部，也能夠抑制彎曲振動。以下，對形成著傾斜部的晶體振子進(jìn)行說明。

<晶體振子500的構(gòu)成>

圖8a是晶體振子500的平面圖。晶體振子500包括具備臺面部511的晶體片510、激振電極520、及引出電極121。激振電極520形成為與圖2a所示的激振電極120相同的圓形狀，具有厚度為固定的中央部520a、及形成于中央部520a的周圍且從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)厚度變薄的傾斜部520b。圖8a中，激振電極520的虛線的內(nèi)側(cè)表示為中央部520a，虛線的外側(cè)表示為傾斜部520b。而且，臺面部511形成為與圖2a所示的臺面部111相同的橢圓形狀，具有厚度為固定的中央部511a、及形成于中央部511a的周圍且從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)厚度變薄的傾斜部511b。圖8a中，臺面部511的虛線的內(nèi)側(cè)表示為中央部511a，虛線的外側(cè)表示為傾斜部511b。

圖8b是圖8a的viiib-viiib剖面圖。激振電極520的中央部520a的厚度形成為yb，傾斜部520b中從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的長度(傾斜長度)以在長度zc的范圍內(nèi)厚度變薄的方式形成。激振電極520中，在傾斜部520b的長度zc大于不必要振動的波長的1/2的情況下，能夠抑制不必要振動的產(chǎn)生且減小ci值。而且，臺面部511從晶體片510的臺面部511的周圍的周邊部算起的中央部511a的厚度形成為ya1，傾斜部511b中從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)的長度(傾斜長度)以在長度zd的范圍內(nèi)厚度變薄的方式形成。臺面部511中，在傾斜部511b的長度zd大于不必要振動的波長的1/2的情況下，能夠抑制不必要振動的發(fā)生且減小ci值。

圖8c是表示不必要振動的波長與頻率的關(guān)系的曲線圖。圖8c中，橫軸表示晶體振子的頻率(mhz)，縱軸表示不必要振動的波長(μm)。伴隨主振動發(fā)生的不必要振動中有彎曲振動、輪廓切變振動、伸縮振動等各種振動。圖8c中由單點劃線表示彎曲振動，由實線表示輪廓切變振動，由虛線表示伸縮振動。

2次旋轉(zhuǎn)晶體振子中，不必要振動中的彎曲振動最會影響到ci值，因而抑制彎曲振動對于減小ci值最為重要。例如，在晶體振子的振蕩頻率為20mhz的情況下，彎曲振動具有162.0μm的波長。因此，如果將長度zc及長度zd設(shè)為彎曲振動的波長的一半即81.0μm以上，則能夠大幅抑制彎曲振動的發(fā)生。而且，輪廓切變振動及伸縮振動如圖8c所示那樣波長比彎曲振動長，因而如果將長度zc及長度zd的長度取抑制彎曲振動的長度，則認(rèn)為也可抑制輪廓切變振動及伸縮振動的發(fā)生。

<關(guān)于傾斜長度>

以下表示：在amm見方的未形成臺面部的晶體片形成厚度為且直徑為0.6amm的激振電極，在使該激振電極以30mhz振蕩的情況下，改變激振電極的傾斜長度而測定ci值與溫度的關(guān)系并求出的結(jié)果。

圖9a是表示傾斜長度為0μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。橫軸表示晶體振子的溫度，縱軸表示ci值。圖9a中示出9個晶體振子的ci值的溫度變化。圖9a的各晶體振子中，激振電極利用蒸鍍法而形成，傾斜長度形成為0μm。即，圖9a中所示的各晶體振子未形成傾斜部。

圖9a中，可知因晶體振子而ci值的溫度變化的傾向大不相同，ci值不穩(wěn)定。例如，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，最低ci值約為(r+50)ω，最高ci值約為(r+850)ω。即，圖9a的晶體振子中，在80℃下產(chǎn)生約800ω的變動。

圖9b是表示傾斜長度為50μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖9b中示出關(guān)于3個晶體振子的ci值的溫度變化。各晶體振子的激振電極利用蒸鍍法形成，傾斜長度為50μm。圖9b中，ci值大約限制在(r-100)ω到rω的范圍內(nèi)。尤其在考慮用于2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的80℃的溫度下，最低ci值為(r-77.94)ω，最高ci值為(r-58.89)ω。即，圖9b的晶體振子中，在80℃下產(chǎn)生18.05ω的變動。這些結(jié)果表示，比起圖9a所示的晶體振子的情況，通過在激振電極形成傾斜部而ci值大幅降低并且穩(wěn)定。

圖9c是表示傾斜長度為55μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖9c中，示出關(guān)于7個晶體振子的ci值的溫度變化。圖9c所示的各晶體振子中，激振電極利用濺鍍而形成，傾斜長度為55μm。即，與圖9b的晶體振子相比，激振電極的形成方法及傾斜長度不同。圖9c中，ci值大約限制在(r-150)ω至(r-100)ω的范圍內(nèi)。尤其在考慮用于2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的80℃的溫度下，最低ci值為(r-140.11)ω，最高ci值為(r-120.23)ω。即，圖9c的晶體振子中，在80℃下產(chǎn)生19.88ω的變動。

關(guān)于圖9c的晶體振子，表示與圖9b的晶體振子同樣地，相比于圖9a的晶體振子，通過形成傾斜部而ci值大幅降低并且穩(wěn)定。而且，圖9c的晶體振子比圖9b的晶體振子而ci值整體降低了50ω左右。認(rèn)為該結(jié)果起因于圖9c的晶體振子的傾斜長度比圖9b的晶體振子長。進(jìn)而，關(guān)于傾斜長度差5μm而ci值降低了50ω左右，認(rèn)為是因為在圖9b及圖9c中，傾斜長度在30mhz下比彎曲振動的波長的1/2即54μm短，因而彎曲振動未被充分抑制，由于微小的傾斜長度的差異而被抑制的彎曲振動大不相同。

圖9d是表示傾斜長度為400μm的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖9d中，示出關(guān)于6個晶體振子的ci值的溫度變化。圖9d所示的各晶體振子中，激振電極利用濺鍍而形成，傾斜長度為400μm。圖9d中，ci值大約限制在(r-200)ω至(r-150)ω的范圍內(nèi)。尤其在考慮用于2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的80℃的溫度下，最低ci值為(r-201.3)ω，最高ci值為(r-189.4)ω。即，圖9d的晶體振子中，在80℃下產(chǎn)生了11.9ω的變動。

圖9d的晶體振子與圖9a至圖9c的晶體振子相比，ci值低且ci值的變動也小。認(rèn)為這些結(jié)果是起因于傾斜長度形成得長。而且，圖9d的晶體振子中，傾斜長度在30mhz下比彎曲振動的波長的1/2即54μm長，因而彎曲振動得到充分抑制。而且，圖9a至圖9d中對激振電極的傾斜部的效果進(jìn)行了說明，但在臺面部形成著傾斜部的情況也與激振電極的情況同樣地抑制彎曲振動，能夠?qū)i值抑制得低，且將ci值的變動也抑制得小。

圖9d所示的晶體振子的激振電極例如能夠通過如下方法而形成，即，將金屬板利用光刻(photolithography)技術(shù)及濕式蝕刻(wetetching)技術(shù)而形成金屬制遮罩。具體來說能夠通過如下方法而形成，即，利用側(cè)面蝕刻與金屬板的厚度方向的蝕刻同時進(jìn)行的性質(zhì)而獲得懸突(overhang)形狀的遮罩，或者積層開口尺寸一點點變小的多個薄遮罩并將這些遮罩點焊而形成1塊遮罩。通常的激振電極的形成方法中，能夠制作的傾斜長度最大為50μm左右，無法將傾斜長度設(shè)為400μm，但通過使用懸突形狀的遮罩或積層多個薄遮罩而成的遮罩，能夠形成圖9d的晶體振子。

(第四實施方式)

激振電極也可形成為各種形狀。以下，對激振電極的變形例進(jìn)行說明。

<晶體振子600的構(gòu)成>

圖10a是晶體振子600的平面圖。晶體振子600具有晶體片110、激振電極620、及引出電極121。晶體振子600與圖2a所示的晶體振子100，僅激振電極的形狀不同。激振電極620在臺面部111上，形成為長軸沿z′軸方向延伸、短軸沿x′軸方向延伸的橢圓形狀。圖10a中，激振電極620的長軸的長度表示為ze，短軸的長度表示為xc。

在激振電極如圖2a所示的激振電極120那樣形成為圓形的情況下，能夠防止ci值的變動及增加，但在激振電極形成為橢圓形狀的情況下，因激振電極的面積進(jìn)一步擴大，所以能夠?qū)崿F(xiàn)電氣常數(shù)的優(yōu)化。而且，在激振電極的長軸沿z′軸方向延伸的情況下，能夠抑制傳遞至z′軸方向的副振動即彎曲振動，且能夠抑制ci值的上升。進(jìn)而，激振電極的長軸延伸的方向理想的是與圖4a的臺面部111同樣地，是相對于z′軸延伸的方向為±5度的范圍的方向。

而且，在長軸的長度ze為短軸的長度xc的1.05倍至2.0倍的范圍的情況下，存在抑制ci值的變動及增加的傾向，因而優(yōu)選。認(rèn)為在長軸的長度ze小于短軸的長度xc的1.05倍的情況下，因接近于圓形狀，所以無法將激振電極的面積設(shè)得大，在長軸的長度ze大于短軸的長度xc的2.0倍的情況下，圓形狀的激振電極中所看到的能夠防止ci值的變動及增加的效果減弱。

圖10b是圖10a的xb-xb剖面圖。激振電極620的厚度與激振電極120(參照圖2b)同樣地形成為yb，以處于晶體片110的厚度ya的0.03％至0.18％之間的方式形成。晶體振子600中，激振電極620形成得小于臺面部111的面積，但激振電極的面積也可比臺面部111大，以覆蓋臺面部111整體的方式形成。

<晶體振子700的構(gòu)成>

圖11a是晶體振子700的平面圖。晶體振子700包括具有臺面部112的晶體片710、激振電極720、及引出電極721。臺面部112形成為長軸沿x′軸方向延伸的橢圓形狀，激振電極720形成為長軸沿z′軸方向延伸的橢圓形狀。而且，晶體片710形成為具有正方形的主面，該正方形具有與x′軸及z′軸平行的邊。圖11a中，示出臺面部112的長軸的長度為xb，如果將激振電極720的長軸的長度設(shè)為zf，則長度xb與長度zf相等的情況，但長度xb與長度zf也可不同。引出電極721分別從激振電極720被朝向晶體片710的+x′軸側(cè)的+z′軸側(cè)的角、及-x′軸側(cè)的-z′軸側(cè)的角引出。

圖11b是圖11a的xib-xib剖面圖。晶體振子700中，在晶體片710的+y′軸側(cè)及-y′軸側(cè)的面分別形成著臺面部112及激振電極720，以各臺面部112及各激振電極720的中心在y′軸方向上重疊的方式形成。晶體振子700中，利用長軸沿x′軸方向延伸的臺面部112，進(jìn)行為主振動的c模式的封閉并且抑制副振動的端面反射，利用長軸沿z′軸方向延伸的激振電極720抑制傳遞至z′軸方向的副振動即彎曲振動，由此能夠抑制ci值的上升。晶體振子700中，臺面部的長軸沿x′軸方向延伸且激振電極的長軸沿z′軸方向延伸，但也可為臺面部的長軸沿z′軸方向延伸且激振電極的長軸沿x′軸方向延伸。

<晶體振子700a的構(gòu)成>

圖11c是晶體振子700a的平面圖。晶體振子700a包括具有臺面部111的晶體片210、激振電極720a、及引出電極221b。臺面部111形成為長軸沿z′軸方向延伸的橢圓形狀，激振電極720a形成為如下形狀，即，長軸沿z′軸方向延伸且形成為橢圓形狀的激振電極620與長軸沿x′軸方向延伸且形成為橢圓形狀的激振電極620a合成所得的形狀。長軸沿x′軸方向延伸的激振電極620a因容易進(jìn)行為晶體振子的主振動的c模式的封閉且能夠抑制副振動的端面反射，所以能夠抑制ci值的上升。而且，激振電極620a的長軸延伸的方向與圖4b的臺面部112同樣地，包含于相對于x′軸為-5度至+15度的范圍內(nèi)。另外，圖11a、圖11c中示出臺面部的橢圓的長軸沿x′軸或沿z′軸的示例，但在臺面部的橢圓的長軸沿x′軸的方向延伸的情況下，橢圓的長軸也可為相對于x′軸為-5度至+15度的范圍內(nèi)的任意方向。而且，在臺面部的橢圓的長軸沿z′軸的方向延伸的情況下，橢圓的長軸也可為相對于z′軸為±5度的范圍內(nèi)的任意方向。

具有激振電極620與激振電極620a合成所得的形狀的激振電極720a具有激振電極620及激振電極620a的特征，抑制傳遞至z′軸方向的副振動即彎曲振動并且容易進(jìn)行為晶體振子的主振動的c模式的封閉，且能夠抑制副振動的端面反射，由此，能夠抑制ci值的上升。

<晶體振子800的構(gòu)成>

圖12a是晶體振子800的平面圖。晶體振子800包括具備臺面部111的晶體片110、激振電極820、及引出電極121。激振電極820包括外形為圓形狀的第一區(qū)域820a、及形成于第一區(qū)域820a的周圍且厚度比第一區(qū)域820a薄而外形為橢圓形狀的第二區(qū)域820b。激振電極820以第一區(qū)域820a的中心與第二區(qū)域820b的中心重疊的方式形成。而且，分別將引出電極121從激振電極820朝向晶體片110的+z′軸側(cè)的邊的兩端引出。

激振電極820的第二區(qū)域820b以長軸沿z′軸方向延伸、短軸沿x′軸方向延伸的方式形成。圖12a中，第二區(qū)域820b的長軸的長度表示為ze，第二區(qū)域820b的短軸的長度表示為xc，第二區(qū)域820b的長半徑與第一區(qū)域820a的半徑之差表示為zg。

圖12b是圖12a的xiib-xiib剖面圖。圖12b中，將晶體片110的厚度設(shè)為ya，激振電極820的第一區(qū)域820a的厚度設(shè)為yb1，激振電極820的第二區(qū)域820b的厚度設(shè)為yb2。而且，激振電極820為第一層822及第二層823這兩個電極層重合而形成的雙重電極。第一層822及第二層823例如通過如下而形成，即，分別形成作為基底的鉻(cr)或鎳(ni)，且在其上制成金(au)膜。激振電極820的第一區(qū)域820a由第一層822及第二層823形成，第二區(qū)域820b由第二層823形成。因此，第一層822的厚度為從厚度yb1減去厚度yb2所得的值，第二層823的厚度為厚度yb2。

激振電極820的厚度即厚度yb1優(yōu)選形成于至之間，尤其優(yōu)選形成為至之間的厚度。而且，厚度ya與厚度yb1之間存在優(yōu)選關(guān)系，在厚度yb1取厚度ya的0.02％至0.13％之間的值的情況下，ci值的變動減少，因而優(yōu)選。進(jìn)而，在第一區(qū)域820a與第二區(qū)域820b的厚度之差(yb1-yb2)形成于相對于第二區(qū)域820b的厚度yb2為1/4倍至1倍的范圍內(nèi)的情況下，能夠抑制ci值的增大及ci值的變動，因而優(yōu)選。

<關(guān)于雙重電極>

晶體振子800中，通過形成雙重電極而減少ci值。以下對雙重電極的效果進(jìn)行說明。

圖13a是表示使具有長軸為短軸的1.1倍的雙重電極的晶體振子以20mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖13a中，示出5個晶體振子的ci值的溫度變化。圖13a的晶體振子具有形成為雙重電極的激振電極，該激振電極的第一區(qū)域直徑為0.75cmm，第二區(qū)域為長軸的長度為1.1cmm、短軸的長度為cmm的橢圓形狀，且長軸與z′軸平行。

圖13a中，ci值大約限制于(r-200)ω至(r-150)ω之間。而且，例如，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，最低ci值為(r-189.4)ω，最高ci值為(r-159.7)ω。即，圖13a的晶體振子中，顯示在80℃下ci值可能產(chǎn)生29.7ω的變動。

圖13b是表示使具有長軸為短軸的1.12倍的雙重電極的晶體振子以40mhz振蕩的情況下的ci值的溫度變化的曲線圖。圖13b中，示出36個晶體振子的ci值的溫度變化。圖13b的晶體振子具有形成為雙重電極的激振電極，該激振電極的第一區(qū)域直徑為dmm，第二區(qū)域為長軸的長度為1.345×dmm、短軸的長度為1.2×dmm的橢圓形狀，且長軸與z′軸平行。

圖13b中，ci值大約限制于(r-200)ω至(r-150)ω之間。而且，例如，在考慮使用2次旋轉(zhuǎn)晶體振子的溫度即80℃下，最低ci值為(r-202.92)ω，最高ci值為(r-147.84)ω。即，圖13b的晶體振子中，顯示在80℃下ci值可能產(chǎn)生54.98ω的變動。

可知具有圖13a及圖13b所示的形成為雙重電極的激振電極的晶體振子，比起圖3a所示的單層的激振電極而ci值低，且ci值的變動也少。

<晶體振子900的構(gòu)成>

圖14a是晶體振子900的平面圖。晶體振子900具有晶體片110、激振電極920、引出電極121，激振電極920包括：外形為圓形狀的第一區(qū)域920a，及形成于第一區(qū)域920a的周圍且厚度比第一區(qū)域920a薄而外形為橢圓形狀的第二區(qū)域920b。第二區(qū)域920b與第二區(qū)域820b(參照圖12a)同樣地以長軸沿z′軸方向延伸、短軸沿x′軸方向延伸的方式形成，第二區(qū)域920b的長軸的長度為ze，第二區(qū)域920b的短軸的長度為xc，第二區(qū)域920b的長半徑與第一區(qū)域920a的半徑之差為zg，長軸的長度ze以成為短軸的長度xc的1.1倍至2.0倍的范圍的方式形成。

圖14b是圖14a的xivb-xivb剖面圖。晶體振子900與晶體振子800同樣地，將晶體片110的厚度設(shè)為ya，激振電極920的第一區(qū)域920a的厚度設(shè)為yb1，激振電極920的第二區(qū)域920b的厚度設(shè)為yb2。而且，激振電極920為第一層922及第二層923這兩個電極層重合而形成的雙重電極，但與激振電極820(參照圖12b)不同，在第一區(qū)域920a，第一層922形成于第二層923之上。

激振電極形成為雙重電極的晶體振子中，即便如晶體振子900那樣改變第一區(qū)域中的第一層及第二層的形成順序而形成，只要激振電極的外形的形狀不改變，則能夠與晶體振子800同樣地減小ci值，抑制ci值的變動。

以上，已對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知那樣，本發(fā)明能夠在其技術(shù)范圍內(nèi)對實施方式添加各種變更、變形而實施。而且，所述實施方式也可進(jìn)行各種組合而實施。