本發(fā)明涉及電路板制造技術(shù)，尤其涉及一種雙層印制電路板及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

pcb(printedcircuitboard印制電路板，簡稱pcb)是重要的電子部件，是電子元器件的支撐體，是電子元器件電氣連接的載體。

印制電路板從單層發(fā)展到雙面、多層和撓性，并且仍舊保持著各自的發(fā)展趨勢。由于不斷地向高精度、高密度和高可靠性方向發(fā)展，不斷縮小體積、減少成本、提高性能，使得印制板在未來電子設(shè)備的發(fā)展工程中，仍然保持著強大的生命力。

當(dāng)在印制電路板上集成soc(systemonchip片上系統(tǒng)芯片，簡稱soc)以及ddr(doubledatarate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，簡稱ddr)時，soc和ddr之間需要構(gòu)成回路，回路的一部分可以在芯片端形成，但是回路的另一部分需要通過過孔形成，ddr所產(chǎn)生的高頻信號因為過孔的高阻抗而受到抑制，限制了ddr的頻率的提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述問題，本發(fā)明提出了一種雙層印制電路板，包括主體，所述主體正面的一頂層以及位于所述主體背面的一底層，所述頂層上設(shè)置有對應(yīng)一片上系統(tǒng)芯片的第一線路布局和對應(yīng)至少一個雙倍速率存儲器芯片的第二線路布局；

其中，

所述第一線路布局至少包括一第一接地焊盤；

所述第二線路布局至少包括一第二接地焊盤；

所述第一接地焊盤與所述第二接地焊盤通過一回路連接；

所述回路包括設(shè)置于所述頂層且分別連接所述第一接地焊盤和所述第二接地焊盤的第一導(dǎo)線，及設(shè)置于所述底層的第二導(dǎo)線；以及

所述第一導(dǎo)線與所述第二導(dǎo)線之間，通過一對分別臨近于所述第一線路布局和所述第二線路布局的過孔導(dǎo)通。

上述雙層印制電路板，其中，所述一對過孔包括一第一過孔，所述第一過孔鄰近所述第一線路布局設(shè)置，并于所述頂層連接所述第一接地焊盤，以及于所述底層連接所述第二導(dǎo)線對應(yīng)所述第一線路布局的一端。

上述雙層印制電路板，其中，所述一對過孔包括一第二過孔，所述第二過孔鄰近所述第二線路布局設(shè)置，并于所述頂層連接所述第二接地焊盤，以及于所述底層連接所述第二導(dǎo)線對應(yīng)所述第二線路布局的一端。

上述雙層印制電路板，其中，所述第二線路布局對應(yīng)兩個所述雙倍速率存儲器芯片。

上述雙層印制電路板，其中，所述回路設(shè)置有18個。

上述雙層印制電路板，其中，所述第一線路布局中的所有接地焊盤均通過一所述回路與所述第二線路布局中對應(yīng)的接地焊盤連接。

上述雙層印制電路板，其中，所述頂層和所述底層之間的距離為1.6mm。

上述雙層印制電路板，其中，所述雙倍速率存儲器芯片的工作頻率大于600mhz。

上述雙層印制電路板，其中，所述線路板由權(quán)利要求1-8中任一雙層印制電路板形成。

上述雙層印制電路板，其中，所述電子設(shè)備為電視機機頂盒。

有益效果：本發(fā)明在雙層印制電路板的頂層上也形成有連線，從而在soc和ddr之間形成有經(jīng)過頂層和底層的回路，以極大地降低soc和ddr之間的回路阻抗。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中雙層印制電路板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中雙層印制電路板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中過孔的等效模型；

圖4為本發(fā)明一實施例中過孔的等效電路圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中雙層印制電路板的布局示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明。

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提出了一種雙層印制電路板，包括主體，主體正面的一頂層10以及位于主體背面的一底層20，頂層10上設(shè)置有對應(yīng)一片上系統(tǒng)芯片的第一線路布局lay1和對應(yīng)至少一個雙倍速率存儲器芯片的第二線路布局lay2；

其中，

第一線路布局lay1至少包括一第一接地焊盤gp1；

第二線路布局lay2至少包括一第二接地焊盤gp2；

第一接地焊盤gp1與第二接地焊盤gp2通過一回路連接；

該回路可以包括設(shè)置于頂層10且分別連接第一接地焊盤gp1和第二接地焊盤gp2的第一導(dǎo)線l1，及設(shè)置于底層的第二導(dǎo)線l2；以及

第一導(dǎo)線l1與第二導(dǎo)線l2之間，通過一對分別臨近于第一線路布局lay1和第二線路布局lay2的過孔導(dǎo)通。

上述的技術(shù)方案中，由于第一線路布局lay1包括第一接地焊盤gp1，第二線路布局lay2包括第二接地焊盤gp2，且第一接地焊盤gp1與第二接地焊盤gp2通過一回路連接，實現(xiàn)了在第一線路布局lay1和第二線路布局lay2之間形成回路，該回路包括設(shè)置于頂層10且分別連接第一接地焊盤gp1和第二接地焊盤gp2的第一導(dǎo)線l1，及設(shè)置于底層的第二導(dǎo)線l2，即所形成的回路經(jīng)過了頂層10和底層20，使得soc和ddr之間的回路阻抗極小。

在一個較佳的實施例中，如圖2所示，一對過孔包括一第一過孔via1，第一過孔via1鄰近第一線路布局lay1設(shè)置，并于頂層10連接第一接地焊盤pd1，以及于底層20連接第二導(dǎo)線l2對應(yīng)第一線路布局lay1的一端。

在一個較佳的實施例中，一對過孔包括一第二過孔via2，第二過孔via2鄰近第二線路布局lay2設(shè)置，并于頂層10連接第二接地焊盤pd2，以及于底層20連接第二導(dǎo)線l2對應(yīng)第二線路布局lay2的一端。

上述技術(shù)方案中，過孔的等效模型可以如圖3所示，圖3中aa1可以為隔離區(qū)的邊緣，直徑用d1表示，aa2可以是過孔周圍的焊盤區(qū)的邊緣，直徑用d2表示；過孔的等效電路可以如圖4所示。

在一個較佳的實施例中，第二線路布局對應(yīng)兩個雙倍速率存儲器芯片。

上述實施例中，如圖5所示，優(yōu)選地，回路可以設(shè)置有18個，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)視為是對本發(fā)明的限制。

上述實施例中，優(yōu)選地，第一線路布局中的所有接地焊盤均通過一回路與第二線路布局中對應(yīng)的接地焊盤連接。

在一個較佳的實施例中，頂層10和底層20之間的距離為可以1.6mm，但這只是一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)視為是對本發(fā)明的限制。

在一個較佳的實施例中，雙倍速率存儲器芯片的工作頻率大于600mhz，例如可以是610mhz，或620mhz，或650mhz，或680mhz，或720mhz，或其他頻率。

在一個較佳的實施例中，還提出了一種電子設(shè)備，包括線路板，其中，該線路板由上述實施例中任一雙層印制電路板形成。

在一個較佳的實施例中，該電子設(shè)備可以為電視機機頂盒，也可以是具有ddr高速信號器件的其他產(chǎn)品，電視機機頂盒僅作為一種優(yōu)選的情況，不應(yīng)視為是對本發(fā)明的限制。

通過說明和附圖，給出了具體實施方式的特定結(jié)構(gòu)的典型實施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。