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      兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān)的制作方法

      文檔序號:11681978閱讀:570來源:國知局
      兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān)的制造方法與工藝

      本發(fā)明屬于智能開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān)。



      背景技術(shù):

      傳統(tǒng)的單火雙控及多控技術(shù)要求串聯(lián)的多個(gè)開關(guān)k1~kn均是單火智能開關(guān),k1~kn通過無線433mhz或者zigbee等技術(shù)進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)既可以通過智能開關(guān)面板控制,也能通過遠(yuǎn)程控制的功能。下面以涉及的專利為例:

      專利cn201020644721.3的電子開關(guān),進(jìn)行雙控或多控的開關(guān)之間要通過相互控制或識(shí)別,每個(gè)開關(guān)都要具有進(jìn)行相互控制或識(shí)別的電路,使用前要進(jìn)行對碼調(diào)試,安裝麻煩;

      專利201610831165.2的電子開關(guān),雙控需要通過無線傳輸按鍵值來實(shí)現(xiàn),與專利cn201020644721.3的電子開關(guān)類似。

      還有一些不通過無線傳輸實(shí)現(xiàn)單火雙控的技術(shù),下面以涉及的專利為例:

      專利cn201110282362.0的電子開關(guān),采用繼電器實(shí)現(xiàn)了雙控,依靠回路失電來達(dá)到開關(guān)切換的目的,其實(shí)現(xiàn)原理與本發(fā)明存在本質(zhì)的區(qū)別。

      已有成熟的單火雙控、多控技術(shù)要求所有開關(guān)都替換為智能開關(guān),且這些開關(guān)需要先進(jìn)行人工配對或自動(dòng)配對,導(dǎo)致智能開關(guān)的成本高,安裝調(diào)試維護(hù)的難度大。故而適用性和實(shí)用性一定程度上受到限制,難以滿足市場的需求。

      使用本技術(shù)不要求k1~kn都是智能開關(guān),k1或kn為智能開關(guān)即可,非常適用于舊屋改造,只需按照原來的接線把其中一個(gè)開關(guān)面板替換即可實(shí)現(xiàn)智能化,靜態(tài)電流典型值小于30ua,能滿足絕大多數(shù)led燈、節(jié)能燈等單火雙控及多控的要求。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是提供一種使用穩(wěn)定性好的兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān)。

      實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān),包括機(jī)械開關(guān)、與所述機(jī)械開關(guān)串聯(lián)的單火雙控智能開關(guān)和與所述單火雙控智能開關(guān)相連接的負(fù)載燈具,所述單火雙控智能開關(guān)包括可控硅控制檢測電路、單火取電模塊、低功耗soc系統(tǒng)和按鍵,所述可控硅控制檢測電路的輸入端與所述機(jī)械開關(guān)相連接,所述單火取電模塊的輸入端與所述可控硅控制檢測電路的輸出端相連接,所述可控硅控制檢測電路的檢測端與低功耗soc系統(tǒng)相連接且所述低功耗soc系統(tǒng)的輸入端與所述單火取電模塊的輸出端相連接,所述按鍵與所述低功耗soc系統(tǒng)相連接且所述低功耗soc系統(tǒng)的輸出端與所述可控硅控制檢測電路相連接,所述負(fù)載燈具與所述可控硅控制檢測電路相連接。

      所述可控硅控制檢測電路包括第一可控硅、第二可控硅、第一三極管、第二三極管、第一電阻、第三電阻、第四電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第一穩(wěn)壓二極管、第二穩(wěn)壓二極管、第一壓敏電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第一可控硅光耦、第二可控硅光耦、第一整流二極管、第二整流二極管和第二壓敏電阻,第一火線輸入端通過第一整流二極管連接在單火取電模塊、第二火線輸入端通過第二整流二極管連接在單火取電模塊,火線輸出端通過第三電容連接在單火取火模塊相連接,所述第一可控硅連接在第一火線輸入端與火線輸出端之間,所述第二可控硅連接在第二火線輸入端與火線輸出端之間,所述第一壓敏電阻與所述第一可控硅相并聯(lián),所述第二壓敏電阻與第二可控硅相并聯(lián),第一穩(wěn)壓二極管、第一電阻、第三電阻和第四電阻串聯(lián)且第一穩(wěn)壓二極管的正極連接的第一可控硅的控制端、第四電阻的另一端接火線輸出端,所述第一可控硅光耦中可控硅的一端與第一火線輸入端相連接且第一可控硅光耦中可控硅的另一端連接在第一電阻與第三電阻的連接點(diǎn)上,所述第一可控硅光耦中發(fā)光二極管的正極通過第六電阻接電源、負(fù)極連接在低功耗soc系統(tǒng)的第一開關(guān)控制信號端,第一三極管的基極通過第八電阻連接在第三電阻與第四電阻的連接點(diǎn)上、發(fā)射極接地且集電極通過第七電阻連接電源同時(shí)發(fā)射極與低功耗soc系統(tǒng)的第一開關(guān)位置信號端相連接,第一電容的一端連接在第三電阻與第四電阻的連接點(diǎn)上且另一端連接在火線輸出端,第四電容連接在第一三極管的集電極與發(fā)射極之間,第二穩(wěn)壓二極管、第九電阻、第十一電阻和第十二電阻串聯(lián)且第一穩(wěn)壓二極管的正極連接的第二可控硅的控制端、第十二電阻的另一端接火線輸出端,所述第二可控硅光耦中可控硅的一端與第二火線輸入端相連接且第二可控硅光耦中可控硅的另一端連接在第九電阻與第十一電阻的連接點(diǎn)上,所述第二可控硅光耦中發(fā)光二極管的正極通過第十電阻接電源、負(fù)極連接在低功耗soc系統(tǒng)的第二開關(guān)控制信號端,第二三極管的基極通過第十三電阻連接在第十一電阻與第十二電阻的連接點(diǎn)上、發(fā)射極接地且集電極通過第十四電阻連接電源同時(shí)發(fā)射極與低功耗soc系統(tǒng)的第二開關(guān)位置信號端相連接,第二電容的一端連接在第十一電阻與第十二電阻的連接點(diǎn)上且另一端連接在火線輸出端,第五電容連接在第二三極管的集電極與發(fā)射極之間,

      所述第一三極管和第二三極管均為npn型三極管。

      述低功耗soc系統(tǒng)的檢測控制包括如下步驟:

      步驟a,開始時(shí),令de斷開、df斷開,此時(shí)燈滅,其中機(jī)械開關(guān)的進(jìn)入端為a點(diǎn),b、c為兩個(gè)輸出端,e、f為智能開關(guān)的兩個(gè)輸入端,d為智能開關(guān)的輸出端且e與b相導(dǎo)通,c與f相導(dǎo)通,流過d、e端的電流經(jīng)過可控硅控制及檢測電路處理后的信號為s1,流過d、f端的電流經(jīng)過可控硅控制及檢測電路處理后的信號為s2,如該信號保持為高電平表示為h,如該信號保持為工頻方波表示為p;

      步驟b,連接de,判斷是否s1=p,如果是則ab相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟c,否則執(zhí)行步驟d;

      步驟c,判斷是否s1=h,是則ab斷開,此時(shí)燈滅,執(zhí)行步驟f;

      步驟d,連接df,判斷是否s2=p,如果否則斷開df,執(zhí)行步驟b,是則ac相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟e;

      步驟e,判斷是否s2=h,是則ac斷開,此時(shí)燈滅,執(zhí)行步驟g;

      步驟f,每隔500毫秒連接de,判斷是否s1=p,如果是則ab相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟c;

      步驟g,每隔500毫秒連接df,判斷是否s2=p,如果是則ac相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟e。

      本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明使用單個(gè)智能開關(guān)及若干個(gè)機(jī)械開關(guān)即可實(shí)現(xiàn)燈的雙控或多控,不要求串接的所有開關(guān)均為智能開關(guān),新裝使用標(biāo)準(zhǔn)的接線方式,舊屋改造也無需改線,從而可以一定程度上節(jié)省成本,同時(shí)其可以自動(dòng)檢測到機(jī)械開關(guān)的狀態(tài)因此不需要進(jìn)行配對,可有效的降低組成的硬件成本及安裝維護(hù)難度,使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng),實(shí)用性好。

      附圖說明

      為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中:

      圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖;

      圖2為本發(fā)明中可控硅控制檢測電路的電路圖;

      圖3為本發(fā)明中低功耗soc系統(tǒng)的檢測控制的具體步驟圖。

      具體實(shí)施方式

      (實(shí)施例1)

      圖1至圖3顯示了本發(fā)明的一種具體實(shí)施方式,其中圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖;圖2為本發(fā)明中可控硅控制檢測電路的電路圖;圖3為本發(fā)明中低功耗soc系統(tǒng)的檢測控制的具體步驟圖。

      見圖1至圖3,一種兼容機(jī)械開關(guān)布線的單火雙控智能開關(guān),包括機(jī)械開關(guān)1、與所述機(jī)械開關(guān)1串聯(lián)的單火雙控智能開關(guān)2和與所述單火雙控智能開關(guān)2相連接的負(fù)載燈具3,所述單火雙控智能開關(guān)2包括可控硅控制檢測電路21、單火取電模塊22、低功耗soc系統(tǒng)23和按鍵24,所述可控硅控制檢測電路21的輸入端與所述機(jī)械開關(guān)1相連接,所述單火取電模塊22的輸入端與所述可控硅控制檢測電路21的輸出端相連接,所述可控硅控制檢測電路21的檢測端與低功耗soc系統(tǒng)23相連接且所述低功耗soc系統(tǒng)23的輸入端與所述單火取電模塊22的輸出端相連接,所述按鍵24與所述低功耗soc系統(tǒng)23相連接且所述低功耗soc系統(tǒng)23的輸出端與所述可控硅控制檢測電路21相連接,所述負(fù)載燈具3與所述可控硅控制檢測電路21相連接。

      所述可控硅控制檢測電路21包括第一可控硅tr1、第二可控硅te2、第一三極管q1、第二三極管q2、第一電阻r1、第三電阻r3、第四電阻r4、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第十電阻r10、第十一電阻r11、第十二電阻r12、第十三電阻r13、第十四電阻r14、第一穩(wěn)壓二極管z1、第二穩(wěn)壓二極管z2、第一壓敏電阻rv1、第一電容c1、第二電容c2、第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第一可控硅光耦u1、第二可控硅光耦u2、第一整流二極管d1、第二整流二極管d2和第二壓敏電阻rv2,第一火線輸入端通過第一整流二極管d1連接在單火取電模塊、第二火線輸入端通過第二整流二極管d2連接在單火取電模塊,火線輸出端通過第三電容c3連接在單火取火模塊相連接,所述第一可控硅tr1連接在第一火線輸入端與火線輸出端之間,所述第二可控硅tr2連接在第二火線輸入端與火線輸出端之間,所述第一壓敏電阻rv1與所述第一可控硅tr1相并聯(lián),所述第二壓敏電阻rv2與第二可控硅tr2相并聯(lián),第一穩(wěn)壓二極管z1、第一電阻r1、第三電阻r3和第四電阻r4串聯(lián)且第一穩(wěn)壓二極管z1的正極連接的第一可控硅tr1的控制端、第四電阻r4的另一端接火線輸出端,所述第一可控硅光耦u1中可控硅的一端與第一火線輸入端相連接且第一可控硅光耦u1中可控硅的另一端連接在第一電阻r1與第三電阻r3的連接點(diǎn)上,所述第一可控硅光耦u1中發(fā)光二極管的正極通過第六電阻r6接電源、負(fù)極連接在低功耗soc系統(tǒng)的第一開關(guān)控制信號端,第一三極管q1的基極通過第八電阻r8連接在第三電阻r3與第四電阻r4的連接點(diǎn)上、發(fā)射極接地且集電極通過第七電阻r7連接電源同時(shí)發(fā)射極與低功耗soc系統(tǒng)的第一開關(guān)位置信號端相連接,第一電容c1的一端連接在第三電阻r3與第四電阻r4的連接點(diǎn)上且另一端連接在火線輸出端,第四電容c4連接在第一三極管q1的集電極與發(fā)射極之間,第二穩(wěn)壓二極管z2、第九電阻r9、第十一電阻r11和第十二電阻r12串聯(lián)且第一穩(wěn)壓二極管z2的正極連接的第二可控硅tr2的控制端、第十二電阻r12的另一端接火線輸出端,所述第二可控硅光耦u2中可控硅的一端與第二火線輸入端相連接且第二可控硅光耦u2中可控硅的另一端連接在第九電阻r9與第十一電阻r11的連接點(diǎn)上,所述第二可控硅光耦u2中發(fā)光二極管的正極通過第十電阻r10接電源、負(fù)極連接在低功耗soc系統(tǒng)的第二開關(guān)控制信號端,第二三極管q2的基極通過第十三電阻r13連接在第十一電阻r11與第十二電阻r12的連接點(diǎn)上、發(fā)射極接地且集電極通過第十四電阻r14連接電源同時(shí)發(fā)射極與低功耗soc系統(tǒng)的第二開關(guān)位置信號端相連接,第二電容c2的一端連接在第十一電阻r11與第十二電阻r12的連接點(diǎn)上且另一端連接在火線輸出端,第五電容c5連接在第二三極管q2的集電極與發(fā)射極之間,

      所述第一三極管和第二三極管均為npn型三極管。

      所述低功耗soc系統(tǒng)的檢測控制包括如下步驟:

      步驟a,開始時(shí),令de斷開、df斷開,此時(shí)燈滅,其中機(jī)械開關(guān)的進(jìn)入端為a點(diǎn),b、c為兩個(gè)輸出端,e、f為智能開關(guān)的兩個(gè)輸入端,d為智能開關(guān)的輸出端且e與b相導(dǎo)通,c與f相導(dǎo)通,流過d、e端的電流經(jīng)過可控硅控制及檢測電路處理后的信號為s1,流過d、f端的電流經(jīng)過可控硅控制及檢測電路處理后的信號為s2,如該信號保持為高電平表示為h,如該信號保持為工頻方波表示為p;

      步驟b,連接de,判斷是否s1=p,如果是則ab相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟c,否則執(zhí)行步驟d;

      步驟c,判斷是否s1=h,是則ab斷開,此時(shí)燈滅,執(zhí)行步驟f;

      步驟d,連接df,判斷是否s2=p,如果否則斷開df,執(zhí)行步驟b,是則ac相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟e;

      步驟e,判斷是否s2=h,是則ac斷開,此時(shí)燈滅,執(zhí)行步驟g;

      步驟f,每隔500毫秒連接de,判斷是否s1=p,如果是則ab相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟c;

      步驟g,每隔500毫秒連接df,判斷是否s2=p,如果是則ac相連,此時(shí)燈亮,執(zhí)行步驟e。

      本發(fā)明使用單個(gè)智能開關(guān)及若干個(gè)機(jī)械開關(guān)即可實(shí)現(xiàn)燈的雙控或多控,不要求串接的所有開關(guān)均為智能開關(guān),新裝使用標(biāo)準(zhǔn)的接線方式,舊屋改造也無需改線,從而可以一定程度上節(jié)省成本,同時(shí)其可以自動(dòng)檢測到機(jī)械開關(guān)的狀態(tài)因此不需要進(jìn)行配對,可有效的降低組成的硬件成本及安裝維護(hù)難度,使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng),實(shí)用性好。

      顯然,本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例,而并非是對本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而這些屬于本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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