本發(fā)明涉及一種薄膜電路電磁屏蔽封裝方法，特別是涉及一種適用于包含金屬上蓋側(cè)邊焊接，實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)屏蔽功能的薄膜電路電磁屏蔽封裝方法；適用于薄膜電路集成、焊接，電磁屏蔽等工藝技術(shù)，特別是器件級(jí)工藝。

背景技術(shù)：

為了解決射頻信號(hào)干擾的問題，傳統(tǒng)微波薄膜電路采用的是將電路片放置在金屬腔體內(nèi)通過金屬殼體屏蔽的方式。這樣可以達(dá)到較好的屏蔽效果，但該方法存在電路體積重量過大的缺點(diǎn)，極大影響了微波薄膜電路的小型化和集成化。而在新型電子設(shè)備應(yīng)用中，為提高產(chǎn)品性能，降低產(chǎn)品重量，電路片的小型化和集成化是不可或缺的。若能將屏蔽結(jié)構(gòu)整合到薄膜電路器件上，實(shí)現(xiàn)薄膜電路自身的器件級(jí)電磁屏蔽，可以極大提高微波薄膜電路的集成度，也可以極大的節(jié)約材料降低成本，對(duì)薄膜電路在微波射頻領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展具有重大意義。

目前業(yè)內(nèi)可見使用金屬殼體表貼在薄膜電路正面進(jìn)行封裝的方法，但該方法一方面需正面集成大面積焊盤，電路成本高，體積大，另一方面需逐件焊接封裝，批量可生產(chǎn)性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種成本低、體積小、批量可生產(chǎn)性高的薄膜電路電磁屏蔽封裝方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種薄膜電路電磁屏蔽封裝方法，具體方法為：

一、將完成陣列化排布電路制作的基板正面粘貼在高溫膠帶上；

二、將焊料覆蓋在電路片的背面和側(cè)面；

三、去除高溫膠帶；

四、選取和各個(gè)電路分片對(duì)應(yīng)大小的金屬封蓋，將金屬封蓋下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊，內(nèi)壁與電路緊貼；

五、將夾持好的陣列結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)，使底面焊料向上、固定，通過回流焊實(shí)現(xiàn)金屬封蓋與薄膜電路片的批量焊接封裝；

所述步驟一中，在完成陣列化排布電路制作的基板的各個(gè)電路分片正面，先涂覆一層阻焊薄膜后，再在涂覆的阻焊薄膜上粘貼高溫膠帶；

電路基板在高溫焊料的作用下，所述高溫膠帶能夠保持在電路基板上不脫落。

所述方法還包括：完成焊接后，采用激光分片的方式獲得所需的獨(dú)立器件。

在各個(gè)分片正面涂覆阻焊薄膜的具體方法為：在完成陣列化排布電路制作的基板正面涂覆一層阻焊薄膜后，通過光刻圖形化獲得各個(gè)電路分片的阻焊環(huán)。

所述阻焊薄膜為聚酰亞胺薄膜。

所述步驟二中，將焊料覆蓋在電路片的背面和側(cè)面的具體方法為：采用浸入熔融焊料或涂覆焊料的方式，使得焊料覆蓋電路片的背面和側(cè)面。

將金屬封蓋至少一條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。

將金屬封蓋兩條相對(duì)或相鄰兩條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。

將金屬封蓋長(zhǎng)邊相對(duì)兩條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：實(shí)現(xiàn)了器件級(jí)射頻信號(hào)電磁屏蔽，較機(jī)械加工金屬殼體封裝方式體積重量降低90%以上，成本降低20%以上。同時(shí)器件采用批量裝配方式，可支持自動(dòng)裝配，生產(chǎn)效率提升約20%。

附圖說明

圖1為本發(fā)明其中一實(shí)施例的陣列排布電路制作基板上蓋封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1所示實(shí)施例的上蓋的金屬封蓋結(jié)構(gòu)圖。

圖3為圖1所示實(shí)施例的虛線處粘貼上高溫膠帶后的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本說明書（包括摘要和附圖）中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或者具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。

具體實(shí)施例1

一種薄膜電路電磁屏蔽封裝方法，如圖1、圖2和圖3所示，具體方法為：

一、將完成陣列化排布電路制作的基板1正面粘貼在高溫膠帶3-2上；

二、將焊料覆蓋在電路片的背面3-3和側(cè)面3-4；

三、去除高溫膠帶；

四、選取和各個(gè)電路分片對(duì)應(yīng)大小的金屬封蓋2，將金屬封蓋下折封邊2-1嵌入基板通腔1-3中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊，內(nèi)壁與電路緊貼；

五、將夾持好的陣列結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)，使底面焊料向上、固定，通過回流焊實(shí)現(xiàn)金屬封蓋與薄膜電路片的批量焊接封裝；

所述步驟一中，在完成陣列化排布電路制作的基板的各個(gè)電路分片正面，先涂覆一層阻焊薄膜后，再在涂覆的阻焊薄膜上粘貼高溫膠帶；

電路基板在高溫焊料的作用下，所述高溫膠帶能夠保持在電路基板上不脫落。

在基片正面，使用高溫膠帶貼緊基片正面作為阻擋層，由于有高溫膠帶和阻焊環(huán)的遮擋，焊料不會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)電路造成影響。待高溫焊料冷卻后，除去高溫膠帶，即可實(shí)現(xiàn)薄膜電路片的側(cè)背面共金屬化。

完成基片制備后，選取和電路相對(duì)應(yīng)大小的金屬薄片，沖壓彎折，獲得具有下折邊2-1的金屬封蓋結(jié)構(gòu)，用于嵌入基板通腔中。

最后，將上部封蓋1-1逐一套在薄膜電路1-2上方，下折邊2-1邊緣嵌入基片腔槽1-3中以實(shí)現(xiàn)快速對(duì)位，折邊下沿與電路底部3-3平齊。嵌套完成后，將封蓋和基片一并翻轉(zhuǎn)，置入烘箱中加熱進(jìn)行回流焊，完成殼體與電路焊接。

本發(fā)明所涉及的薄膜電路電磁屏蔽封裝方法采用正面金屬殼體和底部基片金屬化的方式實(shí)現(xiàn)了器件級(jí)射頻信號(hào)電磁屏蔽，較機(jī)械加工金屬殼體封裝方式體積重量降低90%以上，成本降低20%以上。同時(shí)器件采用批量裝配方式，可支持自動(dòng)裝配，生產(chǎn)效率提升約20%。

具體實(shí)施例2

在具體實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，所述方法還包括：完成焊接后，采用激光分片的方式獲得所需的獨(dú)立器件。整體焊接完成后，按電路尺寸分片即可獲得所需自屏蔽薄膜電路器件。

具體實(shí)施例3

在具體實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上，在各個(gè)分片正面涂覆阻焊薄膜的具體方法為：在完成陣列化排布電路制作的基板正面涂覆一層阻焊薄膜后，通過光刻圖形化獲得各個(gè)電路分片的阻焊環(huán)3-1。完成后，使用高溫膠帶3-2貼緊基片正面，作為阻擋層。

具體實(shí)施例4

在具體實(shí)施例1到3之一的基礎(chǔ)上，在本具體實(shí)施例中，所述阻焊薄膜為聚酰亞胺薄膜。

具體實(shí)施例5

在具體實(shí)施例1到4之一的基礎(chǔ)上，所述步驟二中，將焊料覆蓋在電路片的背面和側(cè)面的具體方法為：采用浸入熔融焊料或涂覆焊料的方式，使得焊料覆蓋電路片的背面和側(cè)面。

將貼有膠帶的基板浸入熔融焊料中，使電路底面3-3和電路側(cè)面3-4覆蓋焊料；或視具體情況，采用涂覆焊料的方式將焊料涂覆在貼有膠帶的基板的電路片的背面和側(cè)面。待高溫焊料冷卻后，除去高溫膠帶，即可實(shí)現(xiàn)薄膜電路片的側(cè)背面共金屬化。

具體實(shí)施例6

在具體實(shí)施例1到5之一的基礎(chǔ)上，將金屬封蓋至少一條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。在不影響金屬封蓋穩(wěn)定性，不容易脫落的情況下，可以僅將金屬封蓋一條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。

具體實(shí)施例7

在具體實(shí)施例1到6之一的基礎(chǔ)上，將金屬封蓋兩條相對(duì)或相鄰兩條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊?；诮饘俜馍w穩(wěn)定性，不容易脫落的情況下，將金屬封蓋兩條相對(duì)或相鄰兩條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。

具體實(shí)施例8

在具體實(shí)施例1到7之一的基礎(chǔ)上，在本具體實(shí)施例中，將金屬封蓋長(zhǎng)邊相對(duì)兩條下折封邊嵌入基板通腔中，使封邊外緣與電路片底部對(duì)齊。