本實用新型涉及微波技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種微波掃頻裝置。

背景技術(shù)：

微波等離子體燈，是上世紀(jì)九十年代剛剛出現(xiàn)的一種新型的環(huán)保節(jié)能燈，它具有光效較高、光感舒適，超長壽命、光衰較小、節(jié)約能源，更加環(huán)保，性能穩(wěn)定等特性。LEP( Light Emitting Plasma，等離子光源)由于其熱光源的發(fā)光特性，決定了其光譜分布接近太陽光光譜，是國際公認(rèn)的高效、節(jié)能、高品質(zhì)光源。

雖然第一代LEP在光效和光譜方面都有非常大的優(yōu)勢，但基于磁控管技術(shù)第一代微波等離子體燈因體積龐大，結(jié)構(gòu)復(fù)雜、故障率高等弊端沒有得到很好的發(fā)展，近年來隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，使微波LEP技術(shù)重新進(jìn)入人們的視野，并極有發(fā)展?jié)摿Α?/p>

第二代LEP最重要的問題就是要解決大功率頻率源的問題，并且頻率源能適應(yīng)不同負(fù)載條件下的應(yīng)用，目前在LEP方面的技術(shù)大都采用射頻發(fā)生VCO/PLL、功率放大器及控制模塊MCU的架構(gòu)，可參考電子科技大學(xué)碩士論文—《微波等離子體燈射頻源研究》，華東師范大學(xué)碩士論文《小型微波等離子體功率源研究》。公開號CN103731141A名稱為《一種基于鎖相環(huán)的微波等離子體燈掃頻源系統(tǒng)》的專利，該基于鎖相環(huán)的微波等離子體燈掃頻源系統(tǒng)包括：輸出電路單元，連接芯片電路單元，用于差分輸出或單端輸出，得到所需的輸出功率；環(huán)路濾波器電路單元，連接芯片電路單元，用于濾除鑒相器輸出中的高頻部分；芯片電路單元，連接輸出電路單元和環(huán)路濾波器電路單元，內(nèi)部集成了鑒相器、壓控振蕩器和分頻器，用于對掃頻信號的分頻、鑒相、壓控振蕩，實現(xiàn)掃頻信號的穩(wěn)定輸出。該系統(tǒng)的環(huán)路濾波器電路單元及芯片電路單元實現(xiàn)了頻率發(fā)生器的功能，輸出電路單元實現(xiàn)了功率放大器的功能。

但是在實際工程應(yīng)用上，常常發(fā)生反饋不靈敏或不能調(diào)節(jié)吸收頻率的問題因此，一款能便于反饋和能調(diào)節(jié)吸收頻率的微波掃頻裝置正是目前所需。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型為克服上述現(xiàn)有技術(shù)所述的至少一種缺陷（不足），提供一種微波掃頻裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案如下：一種微波掃頻裝置，包括頻率信號源、信號放大器及分析系統(tǒng)，還包括反饋控制器、光電探測器和吸收頻率控制器；

所述頻率信號源一端通過信號放大器與分析系統(tǒng)相連接；另一端通過分析系統(tǒng)和吸收頻率控制器與光電探測器相連接；

所述反饋控制器首尾兩端分別與光電探測器和吸收頻率控制器相連接，通過光電探測器和吸收頻率控制器，能實現(xiàn)微波等離子體燈的光電調(diào)節(jié)控制，而利用信號放大器與分析系統(tǒng)，能分析放大了的信號，并通過反饋控制器，實現(xiàn)反饋調(diào)節(jié)。

進(jìn)一步的，所述光電探測器包括第一耦合器、第二耦合器、與第一耦合器相連接的第一探測器、與第二耦合器相連接的第二探測器及光電比較電路，所述第一探測器通過光電比較電路與第二探測器相連接，通過探測器與耦合器的連接，可以快速將探測到的信號傳遞到耦合器中，而通過光電比較電路，能對比出光電的轉(zhuǎn)化比率。

更進(jìn)一步的，所述第一耦合器和第二耦合器外圍設(shè)有絕緣塊，通過外圍的絕緣塊，能使得第一耦合器和第二耦合器的絕緣性更好。

進(jìn)一步的，所述第一耦合器為前向微帶耦合器，第二耦合器為反向微帶耦合器，通過前向微帶耦合器和反向微帶耦合器的配合正反測量，能使得測量的數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確，使得數(shù)據(jù)能得到有效的反饋。

更進(jìn)一步的，所述吸收頻率控制器包括光頻吸收半導(dǎo)體和調(diào)頻控制器，所述光頻吸收半導(dǎo)體與調(diào)頻控制器相連接，通過調(diào)頻控制器調(diào)節(jié)光頻吸收半導(dǎo)體的吸收率，能調(diào)節(jié)微波等離子體燈的光電轉(zhuǎn)換率。

進(jìn)一步的，所述分析系統(tǒng)為數(shù)據(jù)分析中央處理器，通過數(shù)據(jù)分析中央處理器，能集中處理信息。

更進(jìn)一步的，所述信號放大器包括放大元件、第一晶體管、第二晶體管和線圈，所述放大元件兩端分別通過線圈與第一晶體管、第二晶體管相連接，通過第一晶體管、第二晶體管和放大元件，能實現(xiàn)電路信號的發(fā)大，能更好的分析數(shù)據(jù)。

進(jìn)一步的，所述反饋控制器包括正弦反饋振蕩器、反饋MCU和積分放大器，所述反饋MCU一端與積分放大器相連接，另一端與正弦反饋振蕩器相連接，通過積分放大器可以有效的放大反饋的信息，而利用正弦反饋振蕩器，可以快速判斷電流的波值，而通過反饋MCU，進(jìn)行反饋控制。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型技術(shù)方案的有益效果是：

本實用新型公開的微波掃頻裝置，通過光電探測器和吸收頻率控制器，能實現(xiàn)微波等離子體燈的光電調(diào)節(jié)控制，而利用信號放大器與分析系統(tǒng)，能分析放大了的信號，并通過反饋控制器，實現(xiàn)反饋調(diào)節(jié)。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中微波等離子體燈頻率源的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型中微波掃頻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是光電比較電路圖。

圖中，1為頻率發(fā)生器、2為功率放大器、3為MCU電路、4為頻率信號源、5為信號放大器、6為分析系統(tǒng)、7為反饋控制器、8為吸收頻率控制器、9為第一耦合器、10為第二耦合器、11為第一探測器、12為第二探測器、13為光電比較電路、14為光電探測器。

具體實施方式

附圖僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；為了更好說明本實施例，附圖某些部件會有省略、放大或縮小，并不代表實際產(chǎn)品的尺寸；對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，附圖中某些公知結(jié)構(gòu)及其說明可能省略是可以理解的。

在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以是通過中間媒介間接連接，可以說兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型的具體含義。下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說明。

如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的微波等離子體燈頻率源的結(jié)構(gòu)示意圖，通過頻率發(fā)生器1、功率放大器2和MCU電路3，實現(xiàn)微波等離子體燈頻率源的調(diào)節(jié)和反饋。

如圖2-3所示，本實用新型公開一種微波掃頻裝置，包括頻率信號源4、信號放大器5及分析系統(tǒng)6，反饋控制器7、光電探測器14和吸收頻率控制器8；頻率信號源4一端通過信號放大器5與分析系統(tǒng)7相連接；另一端通過分析系統(tǒng)7和吸收頻率控制器8與光電探測器14相連接；反饋控制器首尾兩端分別與光電探測器14和吸收頻率控制器8相連接，通過光電探測器和吸收頻率控制器8，能實現(xiàn)微波等離子體燈的光電調(diào)節(jié)控制，而利用信號放大器與分析系統(tǒng)，能分析放大了的信號，并通過反饋控制器，實現(xiàn)反饋調(diào)節(jié)。

其中，光電探測器包括第一耦合器9、第二耦合器10、與第一耦合器9相連接的第一探測器11、與第二耦合器10相連接的第二探測器12及光電比較電路13，第一探測器9通過光電比較電路13與第二探測器12相連接，通過探測器與耦合器的連接，可以快速將探測到的信號傳遞到耦合器中，而通過光電比較電路13，能對比出光電的轉(zhuǎn)化比率。除此之外，在第一耦合器9和第二耦合器10外圍設(shè)有絕緣塊，通過外圍的絕緣塊，能使得第一耦合器和第二耦合器的絕緣性更好。

在本實用新型中，第一耦合器9為前向微帶耦合器，第二耦合器10為反向微帶耦合器，通過前向微帶耦合器和反向微帶耦合器的配合正反測量，能使得測量的數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確，使得數(shù)據(jù)能得到有效的反饋，而吸收頻率控制器8包括光頻吸收半導(dǎo)體和調(diào)頻控制器，光頻吸收半導(dǎo)體與調(diào)頻控制器相連接，通過調(diào)頻控制器調(diào)節(jié)光頻吸收半導(dǎo)體的吸收率，能調(diào)節(jié)微波等離子體燈的光電轉(zhuǎn)換率。

在本實用新型中，分析系統(tǒng)為數(shù)據(jù)分析中央處理器，通過數(shù)據(jù)分析中央處理器，能集中處理信息，而信號放大器包括放大元件、第一晶體管、第二晶體管和線圈，放大元件兩端分別通過線圈與第一晶體管、第二晶體管相連接，通過第一晶體管、第二晶體管和放大元件，能實現(xiàn)電路信號的發(fā)大，能更好的分析數(shù)據(jù)。

此外，反饋控制器包括正弦反饋振蕩器、反饋MCU和積分放大器，所述反饋MCU一端與積分放大器相連接，另一端與正弦反饋振蕩器相連接，通過積分放大器可以有效的放大反饋的信息，而利用正弦反饋振蕩器，可以快速判斷電流的波值，而通過反饋MCU，進(jìn)行反饋控制。

圖中，描述位置關(guān)系僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制；顯然，本實用新型的上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非是對本實用新型的實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。