本實(shí)用新型涉及一種zvs感應(yīng)加熱電路。

背景技術(shù)：

目前市場上高頻感應(yīng)金屬3D打印機(jī)噴頭成本高，單單高頻機(jī)就很大，占用空間，且價(jià)格昂貴；同時(shí)高頻機(jī)的感應(yīng)線圈狀在噴頭上，導(dǎo)致機(jī)器大量空間浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了zvs感應(yīng)加熱電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：

zvs感應(yīng)加熱電路，包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、電容F1、電容F2、電容F3、電容 F4、諧振電容F5、穩(wěn)壓管Z1、穩(wěn)壓管Z2、穩(wěn)壓管Z3、穩(wěn)壓管Z4、二極管D1、二極管D2、加熱線圈T、鐵芯電感L；

所述電阻R1為兩個(gè)且并聯(lián)，其中一個(gè)電阻R1的負(fù)極連接MOS管M3的柵極和MOS管M4的柵極，另一個(gè)電阻R1的負(fù)極連接MOS管M1的柵極和MOS管M2 的柵極；兩個(gè)電阻R1的正極接電源正極；

MOS管M1的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z1和電阻R2連接到MOS管M1的柵極，且MOS管M1的源極接電源負(fù)極；MOS管M1的源極通過電容F1連接到MOS管M1 的漏極；MOS管M1的漏極與加熱線圈T的一端連接；

MOS管M2的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z3和電阻R3連接到MOS管M2的柵極，且MOS管M2的源極接電源負(fù)極；MOS管M2的源極通過電容F3連接到MOS管M2 的漏極；MOS管M2的漏極與加熱線圈T的一端連接；

MOS管M3的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z2和電阻R4連接到MOS管M3的柵極，且MOS管M3的源極接電源負(fù)極；MOS管M3的源極通過電容F2連接到MOS管M3 的漏極；MOS管M3的漏極與加熱線圈T的另一端連接；

MOS管M4的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z4和電阻R5連接到MOS管M4的柵極，且MOS管M4的源極接電源負(fù)極；MOS管M4的源極通過電容F4連接到MOS管M4 的漏極；MOS管M4的漏極與加熱線圈T的另一端連接；

MOS管M1的柵極和MOS管M2的柵極均與二極管D2的正極連接，二極管D2 的負(fù)極與加熱線圈T的另一端練級；

MOS管M3的柵極和MOS管M4的柵極均與二極管D1的正極連接，二極管D1 的負(fù)極與加熱線圈的一端連接；

諧振電容F5與加熱線圈T并聯(lián)；

鐵芯電感L為兩個(gè)且并聯(lián)；其中一個(gè)鐵芯電感L的一端與加熱線圈的一端連接，另一個(gè)鐵芯電感L的一端與加熱線圈的另一端連接；兩個(gè)鐵芯電感L的另一端均接電源正極。

進(jìn)一步地，所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4的型號均為IRFP260。

再進(jìn)一步地，所述二極管D1和二極管D2的型號均為UF4007。

更進(jìn)一步地，所述電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5的阻值均為20kΩ。

另外，所述電容F1、電容F2、電容F3、電容F4的電容值均為56μf。

此外，所述鐵芯電感的電感值為200μH。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：

本實(shí)用新型成本低廉，制作工藝簡單，能實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)高頻機(jī)一樣的功能，但成本僅需要高頻機(jī)的百分之五，更容易普及；另外，本實(shí)用新型體積小，不會(huì)浪費(fèi)空間，且能夠應(yīng)用于3D打印機(jī)，對噴頭進(jìn)行加熱，從而打印出超高溫的材料，例如金屬。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，本實(shí)用新型的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。

實(shí)施例

如圖1所示，zvs感應(yīng)加熱電路，包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、電容F1、電容F2、電容 F3、電容F4、諧振電容F5、穩(wěn)壓管Z1、穩(wěn)壓管Z2、穩(wěn)壓管Z3、穩(wěn)壓管Z4、二極管D1、二極管D2、加熱線圈T、鐵芯電感L；

所述電阻R1為兩個(gè)且并聯(lián)，其中一個(gè)電阻R1的負(fù)極連接MOS管M3的柵極和MOS管M4的柵極，另一個(gè)電阻R1的負(fù)極連接MOS管M1的柵極和MOS管M2 的柵極；兩個(gè)電阻R1的正極接電源正極；

MOS管M1的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z1和電阻R2連接到MOS管M1的柵極，且MOS管M1的源極接電源負(fù)極；MOS管M1的源極通過電容F1連接到MOS管M1 的漏極；MOS管M1的漏極與加熱線圈T的一端連接；

MOS管M2的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z3和電阻R3連接到MOS管M2的柵極，且MOS管M2的源極接電源負(fù)極；MOS管M2的源極通過電容F3連接到MOS管M2 的漏極；MOS管M2的漏極與加熱線圈T的一端連接；

MOS管M3的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z2和電阻R4連接到MOS管M3的柵極，且MOS管M3的源極接電源負(fù)極；MOS管M3的源極通過電容F2連接到MOS管M3 的漏極；MOS管M3的漏極與加熱線圈T的另一端連接；

MOS管M4的源極通過并聯(lián)的穩(wěn)壓管Z4和電阻R5連接到MOS管M4的柵極，且MOS管M4的源極接電源負(fù)極；MOS管M4的源極通過電容F4連接到MOS管M4 的漏極；MOS管M4的漏極與加熱線圈T的另一端連接；

MOS管M1的柵極和MOS管M2的柵極均與二極管D2的正極連接，二極管D2 的負(fù)極與加熱線圈T的另一端練級；

MOS管M3的柵極和MOS管M4的柵極均與二極管D1的正極連接，二極管D1 的負(fù)極與加熱線圈的一端連接；

諧振電容F5與加熱線圈T并聯(lián)；

鐵芯電感L為兩個(gè)且并聯(lián)；其中一個(gè)鐵芯電感L的一端與加熱線圈的一端連接，另一個(gè)鐵芯電感L的一端與加熱線圈的另一端連接；兩個(gè)鐵芯電感L的另一端均接電源正極。

其中，所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4的型號均為IRFP260。所述二極管D1和二極管D2的型號均為UF4007；所述電阻R2、電阻R3、電阻 R4、電阻R5的阻值均為20kΩ；所述電容F1、電容F2、電容F3、電容F4的電容值均為56μf；所述鐵芯電感的電感值為200μH；電阻R1的阻值為470Ω。

本實(shí)用新型是一種非常簡單的加熱電路，能感應(yīng)產(chǎn)生2000度的高溫(與高頻機(jī)功能一樣)。這種電路非常小，只要100mm×100mm×60mm的面積，所以安裝在打印機(jī)上不占空間，制作工藝簡單，成本低，操作方便，無噪音。

值得說明的是，本實(shí)用新型原理是交變電流通過線圈產(chǎn)生交變磁場，當(dāng)磁場內(nèi)的磁感線穿過磁場內(nèi)的金屬(即需要加熱的工件)，會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢，在導(dǎo)體本身構(gòu)成的回路中，便會(huì)有電流產(chǎn)生，根據(jù)角耳定律可知，導(dǎo)體(非超導(dǎo)體)內(nèi)有電流流過便會(huì)產(chǎn)生熱量。由于線圈中間的導(dǎo)體在圓周方向是可以等效成一圈圈的閉合電路，電流的方向沿導(dǎo)體的圓周方向轉(zhuǎn)圈，就像一圈圈的漩渦，所以導(dǎo)體內(nèi)的感應(yīng)電流又被稱為渦流。

按照上述實(shí)施例，便可很好地實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。值得說明的是，基于上述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的前提下，為解決同樣的技術(shù)問題，即使在本實(shí)用新型上做出的一些無實(shí)質(zhì)性的改動(dòng)或潤色，所采用的技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)仍然與本實(shí)用新型一樣，故其也應(yīng)當(dāng)在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。