本實(shí)用新型涉及柔性電路板,特別是涉及一種新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板。
背景技術(shù):
隨著電子產(chǎn)品的微型化,對(duì)柔性線(xiàn)路板的高密度布線(xiàn)要求越來(lái)越高,所以更細(xì)的線(xiàn)寬線(xiàn)距成為市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)。目前國(guó)內(nèi)柔性線(xiàn)路板產(chǎn)業(yè)大多采用蝕刻法制作線(xiàn)路,蝕刻法所使用的普通干膜解析度(顯影后最小干膜間距)在25μm左右,蝕刻時(shí)按照線(xiàn)路單邊最少補(bǔ)償5μm計(jì)算,如此蝕刻出來(lái)的最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距在35μm或35μm左右(如圖1所示)。
然而,普通干膜已經(jīng)無(wú)法完成更細(xì)線(xiàn)寬線(xiàn)距的制作,無(wú)法滿(mǎn)足高密度布線(xiàn)需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型目的在于提供一種新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
一種新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板,包括基材,所述基材包括雙面柔性覆銅板,所述雙面柔性覆銅板包括非導(dǎo)電層以及將所述非導(dǎo)電層夾設(shè)于其中的上銅箔和下銅箔,所述上銅箔和下銅箔上形成銅線(xiàn)路,所述銅線(xiàn)路的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為25μm。
優(yōu)選的,該柔性線(xiàn)路板還包括分別設(shè)于所述基材的正面和背面的上電鍍銅層、下電鍍銅層以及分別與所述上電鍍銅層和下電鍍銅層貼合的上保護(hù)膜和下保護(hù)膜。
優(yōu)選的,通過(guò)銅蝕刻法在所述上銅箔和下銅箔上形成所述銅線(xiàn)路。
進(jìn)一步的,所述銅蝕刻法所采用的銅蝕刻液至少包括氯化銅、鹽酸和過(guò)氧化氫。
優(yōu)選的,所述非導(dǎo)電層為聚酰亞胺或聚酯薄膜。
優(yōu)選的,所述非導(dǎo)電層的厚度為25μm,和/或,所述上銅箔和下銅箔的厚度為12μm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)至少在于:
本實(shí)用新型在上銅箔和下銅箔上形成銅線(xiàn)路,所述銅線(xiàn)路的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為25μm,相對(duì)于原來(lái)的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為35μm,本實(shí)用新型完成更細(xì)線(xiàn)寬線(xiàn)距的制作,提高了柔性電路板的布線(xiàn)密度。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中或現(xiàn)有技術(shù)中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的柔性線(xiàn)路板的基材的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的柔性線(xiàn)路板的基材的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的柔性線(xiàn)路板的的基材通過(guò)蝕刻法制作線(xiàn)路的流程圖;
圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板的基材通過(guò)蝕刻法制作線(xiàn)路的流程圖;
圖5為現(xiàn)有技術(shù)中的柔性線(xiàn)路板的基材的紫外光曝光橫截面示意圖;
圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板的基材的紫外光曝光橫截面示意圖;
圖7為現(xiàn)有技術(shù)中和本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的玻璃底片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種新型干膜制作的具有超細(xì)線(xiàn)路的柔性線(xiàn)路板,包括基材、設(shè)于基材的正面和背面的上電鍍銅層、下電鍍銅層以及分別與上電鍍銅層和下電鍍銅層貼合的上保護(hù)膜和下保護(hù)膜;
參見(jiàn)圖2所示,基材包括雙面柔性覆銅板,雙面柔性覆銅板包括厚度為25μm的聚酰亞胺A以及將聚酰亞胺夾設(shè)于其中的且厚度為12μm的上、下銅箔B,上、下銅箔B上形成銅線(xiàn)路,銅線(xiàn)路的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為25μm。
參見(jiàn)圖4所示,上述的柔性電路板的基材通過(guò)蝕刻法制作線(xiàn)路的過(guò)程包括:干膜壓合、紫外光曝光、干膜顯影、銅蝕刻以及干膜剝離工序。
其中,干膜壓合是:在上、下銅箔B的表面各壓合一張干膜C;
紫外光曝光是:在上、下干膜C上分別放置玻璃底片D進(jìn)行干膜局部紫外光曝光,玻璃底片D分為透光部分和不透光部分,紫外光可以透過(guò)玻璃底片D的透光部分作用于干膜C1上使之發(fā)生交叉聚合化學(xué)反應(yīng),而玻璃底片D的不透光部分下的干膜C2不發(fā)生變化,普通干膜和新型干膜紫外光曝光橫截面示意圖分別見(jiàn)圖5和6,本實(shí)用新型為了獲得更細(xì)的線(xiàn)寬線(xiàn)距,在制作新型干膜所用玻璃底片時(shí),將不透光部分區(qū)域的寬度由原來(lái)的25μm減少至15μm(如圖7所示);
干膜顯影是:將未曝光部分干膜在1%氫氧化鈉顯影液中乳化分離于銅箔表面,而干膜曝光部分在顯影后繼續(xù)保留在銅箔表面,普通干膜顯影后干膜間距是25μm,而新型干膜顯影后干膜間距減少至15μm(如圖3和4所示);
銅蝕刻是:用腐蝕液體溶解暴露在外的銅箔,即對(duì)表面沒(méi)有干膜C的銅箔進(jìn)行蝕刻,銅蝕刻法所采用的銅蝕刻液至少包括氯化銅,鹽酸和過(guò)氧化氫。
干膜剝離是:使用堿性藥水溶脹剝離銅箔表面所有的干膜,最后得到有銅線(xiàn)路的半成品,使用普通干膜獲得線(xiàn)寬/線(xiàn)距為35/35μm的線(xiàn)路(如圖3所示),而使用新型干膜可以獲得線(xiàn)寬線(xiàn)距為25/25μm的線(xiàn)路(如圖4所示)。
綜上所述,本實(shí)用新型在上銅箔和下銅箔上形成銅線(xiàn)路,所述銅線(xiàn)路的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為25μm,相對(duì)于原來(lái)的最小線(xiàn)寬和/或線(xiàn)距為35μm,本實(shí)用新型完成更細(xì)線(xiàn)寬線(xiàn)距的制作,提高了柔性電路板的布線(xiàn)密度。
對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明,使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的,本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下,在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此,本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例,而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。