本實(shí)用新型涉及一種調(diào)光電路，尤其涉及一種可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路。

背景技術(shù)：

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED燈由于具有節(jié)能、環(huán)保、可光控、實(shí)用性強(qiáng)、穩(wěn)定性高、響應(yīng)時(shí)間短、長(zhǎng)壽命等很多優(yōu)點(diǎn)，在提倡低碳生活的今天已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種照明領(lǐng)域。

LED芯片一般在直流電下工作，需要驅(qū)動(dòng)電源將市交流電轉(zhuǎn)換成LED工作的直流電，然而，現(xiàn)有的LED燈具由于電路設(shè)計(jì)不合理，造成燈具的供電電壓在周期內(nèi)以正弦波的形式在波峰到波谷之間來(lái)回波動(dòng)，出現(xiàn)頻閃現(xiàn)像，對(duì)使用者的視覺(jué)上產(chǎn)生的負(fù)效應(yīng)。頻閃深度越大，負(fù)效應(yīng)越大，危害越嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路。

一種可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路，包括調(diào)光電路及連接于調(diào)光電路上的消除頻閃電路，所述消除頻閃電路包括一MOS管，所述MOS管的漏極連接于調(diào)光電路輸出端的正極或負(fù)極上；

MOS管的柵極連接于調(diào)光電路輸出端的正極時(shí)，所述消除頻閃電路包括電阻RN1、電容CN1、二極管DN1、二極管DN2、電阻RG1、MOS管QN1，所述電阻RN1與電容CN1串聯(lián)，并且并聯(lián)在調(diào)光電路輸出端的正、負(fù)極上；所述二極管DN1與二極管DN2串聯(lián)后并聯(lián)在RN1上，二極管DN1的K極連接在二極管DN2的A極上，二極管DN1的A極與調(diào)光電路輸出端的正極連接，所述MOS管連接在調(diào)光電路輸出端的正極上，MOS管的柵極通過(guò)電阻RG1連接在電容CN1和電阻RN1之間的連接電路上，MOS管的源極作為L(zhǎng)ED供電的正極輸出端；

MOS管連接于調(diào)光電路輸出端的負(fù)極時(shí)，消除頻閃電路包括電阻RN1、電容CN1、二極管DN1、二極管DN2、電阻RN2、MOS管QN1，所述MOS管的源極通過(guò)電阻RN2連接于調(diào)光電路的輸出端的負(fù)極上，所述MOS管的柵極通過(guò)電容CN1連接在調(diào)光電路的輸出端的負(fù)極上，電阻RN1的兩端分別連接在MOS管的柵極及漏極上，所述二極管DN1與二極管DN2串聯(lián)后并聯(lián)在電阻RN1上，二極管DN1和二極管DN2呈反向設(shè)置，二極管DN1的K極與二極管DN2的K極連接，MOS管的漏極作為L(zhǎng)ED的負(fù)極輸出端。

進(jìn)一步地，所述消除頻閃電路還包括由電阻R15和電容CC6組成的并聯(lián)LC并聯(lián)電路，調(diào)光電路的輸出端并聯(lián)在電阻R15和電容CC6上。

進(jìn)一步地，所述RN1、CN1的時(shí)間常數(shù)設(shè)置在不小于10MS的電壓范圍內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述調(diào)光電路包括EMI濾波整流電路、RC吸收電路、PWM控制電路、DC TO DC變換器電路、輸出整流濾波電路，所述EMI濾波整流電路、RC吸收電路、DC TO DC變換器電路、輸出整流濾波電路依次串聯(lián)連接，所述PWM控制電路分別連接于EMI濾波整流電路及DC TO DC變換器電路。

進(jìn)一步地，調(diào)光電路還包括一調(diào)光信號(hào)檢測(cè)電路，所述PWM控制電路與EMI濾波整流電路之間通過(guò)調(diào)光信號(hào)檢測(cè)電路進(jìn)行連接，

進(jìn)一步地，所述EMI濾波整流電路上設(shè)有可控硅調(diào)光芯片。

本實(shí)用新型的有益效果在于：利用調(diào)光電路與頻閃消除電路組合，調(diào)光電路上設(shè)有可控硅調(diào)光芯片，當(dāng)MOS管上工作在恒流區(qū)時(shí)，其柵源極的電壓不變，則流過(guò)漏源極的電流恒定不變，從而實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的全功率段無(wú)頻閃現(xiàn)象，保證LED工作穩(wěn)定，防止因LED頻閃對(duì)使用者眼睛造成傷害。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路第一實(shí)施例的電路圖。

圖2為本實(shí)用新型可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路第二實(shí)施例的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋實(shí)用新型，并不用于限定實(shí)用新型。

如圖1所示，其為實(shí)用新型的第一實(shí)施例，本實(shí)施例提供一種可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路，該可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路包括調(diào)光電路及連接于調(diào)光電路上的消除頻閃電路70，所述調(diào)光電路用于對(duì)LED接入電路進(jìn)行濾波、整流，所述消除頻閃電路70對(duì)調(diào)光電路輸出的電信號(hào)進(jìn)行消除頻閃處理。

所述調(diào)光電路包括EMI濾波整流電路10、RC吸收電路20、PWM控制電路50、DC TO DC變換器電路30、輸出整流濾波電路40，所述EMI濾波整流電路10、RC吸收電路20、DC TO DC變換器電路30、輸出整流濾波電路40依次串聯(lián)連接，EMI濾波整流電路10上設(shè)有可控硅調(diào)光芯片IW3688，所述PWM控制電路50分別連接于EMI濾波整流電路10及DC TO DC變換器電路30上，調(diào)光電路還包括一調(diào)光信號(hào)檢測(cè)電路60，所述PWM控制電路50通過(guò)調(diào)光信號(hào)檢測(cè)電路60與EMI濾波整流電路10之間進(jìn)行連接，所述PWM控制電路50實(shí)現(xiàn)對(duì)EMI濾波整流電路10的功率因數(shù)進(jìn)行校正，通過(guò)調(diào)整直流電壓信號(hào)的大小，改變?cè)撾娐分兴B接的電流峰值大小，從而實(shí)現(xiàn)LED進(jìn)行調(diào)光。

所述消除頻閃電路70包括電阻RN1、電容CN1、二極管DN1、二極管DN2、電阻RG1、MOS管QN1，所述電阻RN1與電容CN1串聯(lián)，并且并聯(lián)在調(diào)光電路輸出端的正、負(fù)極上；所述二極管DN1與二極管DN2串聯(lián)后并聯(lián)在電阻RN1上，其中，二極管DN1的K極連接在DN2的A極上，二極管DN1的A極與調(diào)光電路輸出端的正極連接，所述MOS管連接在調(diào)光電路輸出端的正極上，MOS管的柵極通過(guò)電阻RG1連接在電容CN1和電阻RN1之間的連接電路上，MOS管的源極作為L(zhǎng)ED供電的正極輸出端；較佳地，所述消除頻閃電路70還包括電阻R15和電容CC6組成的并聯(lián)LC并聯(lián)電路，調(diào)光電路的輸出端并聯(lián)在電阻R15和電容CC6上。

本實(shí)用新型可控硅調(diào)光全范圍無(wú)頻閃電路的工作原理如下：

1、電路中CN1RN1組成幾分濾波電路，消除工頻紋波，DN1DN2起到快速充電作用，同時(shí)防止電容CN1放電損壞QN1。

2、控制MOS管QN1工作于恒流區(qū)，并控制MOS管QN1的柵源極電壓恒定，使流過(guò)MOS管QN1的漏、源極的電流保持恒定。

3、為了使濾波電路能夠消除LED驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓中包含100HZ左右的交流分量，將RN1、CN1的時(shí)間常數(shù)設(shè)置在不小于10MS的電壓范圍內(nèi)，其中時(shí)間常數(shù)為RN1*CN1，從而濾波電路能夠去除交流紋波的最低頻率為10HZ。

4、MOS管QN1的開(kāi)啟電壓VTH為常量，當(dāng)其處在恒流區(qū)時(shí)，若其柵源極的電壓不變，則流過(guò)漏、源極的電流IDS恒定不變，由于MOS管具有上述特性，因此只需控制MOS管QN1在恒流區(qū)，且VGS恒定不變，則QN1具有恒流特性，使得LED負(fù)載電流中不含交流分量，從而無(wú)頻閃。

如圖2所示，其為本實(shí)用新型的第二實(shí)施，本實(shí)施例與實(shí)施例一基本類似，同樣包括調(diào)光電路和消除頻閃電路70，其主要區(qū)別在于：實(shí)施例一的MOS管連接在正極上，而本實(shí)施例中，所述MOS管連接于負(fù)極上，具體地，本實(shí)施例的消除頻閃電路70包括電阻RN1、電容CN1、二極管DN1、二極管DN2、電阻RN2、MOS管QN1；

所述MOS管的源極通過(guò)電阻RN2連接于調(diào)光電路的輸出端的負(fù)極上，所述MOS管的柵極通過(guò)電容CN1連接在調(diào)光電路的輸出端的負(fù)極上，電阻RN1的兩端分別連接在MOS管的柵極及漏極上，所述二極管DN1與二極管DN2串聯(lián)后并聯(lián)在RN1上，二極管DN1和二極管DN2呈反向設(shè)置，二極管DN1的K極與二極管DN2的K極連接，MOS管的漏極作為L(zhǎng)ED的負(fù)極輸出端。較佳地，所述消除頻閃電路70還包括電阻R15和電容CC6組成的并聯(lián)LC并聯(lián)電路，調(diào)光電路的輸出端并聯(lián)在電阻R15和電容CC6上。

本實(shí)用新型的有益效果在于：利用調(diào)光電路與頻閃消除電路組合，調(diào)光電路上設(shè)有可控硅調(diào)光芯片，當(dāng)MOS管上的柵極處在恒流區(qū)時(shí)，其柵源極的電壓不變，則流過(guò)漏、源極的電流恒定不變，從而實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的全功率段無(wú)頻閃現(xiàn)象，保證LED工作穩(wěn)定，防止因LED頻閃對(duì)使用者眼睛造成傷害。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。