1.一種改進的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：包括并聯(lián)在主芯片和CA卡端的3.3V/5V電平轉(zhuǎn)換電路和5V/3.3V電平轉(zhuǎn)換電路，所述3.3V/5V電平轉(zhuǎn)換電路包括與所述主芯片連接的NMOS管Q1，所述NMOS管Q1的柵極與所述主芯片連接，所述NMOS管Q1的源極接地，所述NMOS管Q1的漏極連接有NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的柵極與所述NMOS管Q1連接，所述NMOS管Q2的源極接地，所述NMOS管Q2的漏極與所述CA卡端連接；所述NMOS管Q1和所述NMOS管Q2的漏極分別通過上拉電阻R3、R5與5V電源連接；
所述5V/3.3V電平轉(zhuǎn)換電路包括與所述CA卡端連接的NMOS管Q3，所述NMOS管Q3的柵極與所述CA卡端連接，所述NMOS管Q3的源極接地，所述NMOS管Q3的漏極連接有NMOS管Q4，所述NMOS管Q4的柵極與所述NMOS管Q3連接，所述NMOS管Q4的源極接地，所述NMOS管Q4的漏極與所述主芯片連接；所述NMOS管Q3的漏極通過上拉電阻R6與5V電源連接；所述NMOS管Q4的漏極通過上拉電阻R2與3.3V電源連接。
2.如權(quán)利要求1所述的改進的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述NMOS管Q1的柵極與所述主芯片之間連接有高頻紋波抑制電阻R1。
3.如權(quán)利要求1所述的改進的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述NMOS管Q2的柵極與所述NMOS管Q1的漏極之間連接有高頻紋波抑制電阻R4。
4.如權(quán)利要求1所述的改進的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述NMOS管Q3的柵極與所述CA卡端之間連接有高頻紋波抑制電阻R8。
5.如權(quán)利要求1所述的改進的雙向電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于：所述NMOS管Q4的柵極與所述NMOS管Q3的漏極之間連接有高頻紋波抑制電阻R7。