本實(shí)用新型涉及磁共振成像領(lǐng)域，特別涉及自屏蔽式磁共振裝置。

背景技術(shù)：

在磁共振成像領(lǐng)域，外界干擾信號會(huì)對掃描成像產(chǎn)生不利的影響。因此，為了屏蔽外界干擾信號，需要額外建立一個(gè)屏蔽室。此類屏蔽室建造過程漫長、占地面積龐大且造價(jià)昂貴，大大增加了設(shè)備的使用成本，如無特殊說明，本文中的“屏蔽”特指“射頻屏蔽”。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服上述問題，本實(shí)用新型提出一種新型的自屏蔽式磁共振裝置。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題提供的一種技術(shù)方案是：提供一種自屏蔽式磁共振裝置，包括磁體、前屏蔽裝置和后屏蔽裝置，所述磁體包括相對設(shè)置的第一端和第二端，所述前屏蔽裝置設(shè)置于第一端，所述后屏蔽裝置設(shè)置于第二端，所述前屏蔽裝置及所述后屏蔽裝置均包含波導(dǎo)通道。

優(yōu)選地，所述磁體的第一端設(shè)置有一第一通孔，且所述第一端沿所述第一通孔的周緣向外延伸形成一凸緣，所述凸緣與所述前屏蔽裝置之間填充有柔性屏蔽材料形成有柔性屏蔽層以實(shí)現(xiàn)第一端的射頻屏蔽。

優(yōu)選地，所述前屏蔽裝置包括支撐框、旋轉(zhuǎn)組件及開合組件，所述支撐框固定于所述磁體的第一端，所述開合組件通過所述旋轉(zhuǎn)組件轉(zhuǎn)動(dòng)連接于所述支撐框。

優(yōu)選地，所述支撐框?qū)?yīng)所述第一通孔設(shè)置有第二通孔，所述第二通孔包括內(nèi)徑不等的第一部分和第二部分，使得所述第一部分和第二部分之間形成階梯狀構(gòu)造，且第一部分和第二部分的梯度差等于所述凸緣的厚度。

優(yōu)選地，所述支撐框遠(yuǎn)離所述磁體一端環(huán)繞所述第二通孔設(shè)置有一周圈凹槽。

優(yōu)選地，所述支撐框遠(yuǎn)離所述磁體一端還設(shè)置有若干第一凹槽，所述第一凹槽兩端分別連通所述第二通孔遠(yuǎn)離磁體一端以及外界。

優(yōu)選地，所述開合組件包括開合主體，所述開合主體上設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽正對所述第一凹槽設(shè)置，當(dāng)開合組件蓋合于所述支撐框時(shí)，所述第一凹槽和所述第二凹槽形成波導(dǎo)通道。

優(yōu)選地，所述開合組件包括開合主體，所述開合主體包括一第三通孔，所述第三通孔遠(yuǎn)離所述磁體一端設(shè)置有透明件，所述透明件將所述第三通孔密封，所述透明件內(nèi)部嵌有一層、兩層或多層屏蔽層，以實(shí)現(xiàn)良好的屏蔽效果，所述透明件邊緣延伸設(shè)置一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層用以實(shí)現(xiàn)所述屏蔽層與所述開合主體的電氣連接。

優(yōu)選地，所述開合主體還包括設(shè)置于所述開合主體靠近所述磁體一側(cè)的屏蔽組件，所述屏蔽組件包括若干屏蔽件，若干所述屏蔽件環(huán)繞所述第三通孔設(shè)置，形成一個(gè)包圍所述第三通孔的屏蔽圈，所述屏蔽件為彈性屏蔽件，所述開合組件蓋合于所述支撐框時(shí)，所述屏蔽組件嵌入到所述周圈凹槽內(nèi)。

優(yōu)選地，所述磁體第二端設(shè)置有若干線纜引出孔，所述后屏蔽裝置包括一屏蔽框及若干屏蔽管，所述屏蔽框上設(shè)置有若干線纜引出孔、一組進(jìn)風(fēng)口、一組出風(fēng)口及透明件，若干所述屏蔽管插入到磁體第二端的線纜引出孔及屏蔽框的線纜引出孔內(nèi)，所述屏蔽管插入到磁體第二端及屏蔽框的線纜引出孔內(nèi)的一端設(shè)置有導(dǎo)電層和/或屏蔽層，以實(shí)現(xiàn)屏蔽管與線纜引出孔的電氣連接，所述進(jìn)風(fēng)口及所述出風(fēng)口由若干波導(dǎo)通道構(gòu)成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述自屏蔽式磁共振裝置通過在磁體的兩端設(shè)置前屏蔽裝置和后屏蔽裝置，采用柔性屏蔽材料形成柔性屏蔽層、彈性屏蔽件與周圈凹槽配合實(shí)現(xiàn)周向屏蔽，透明件包含屏蔽層實(shí)現(xiàn)軸向屏蔽，此外，在前屏蔽裝置和后屏蔽裝置均形成有波導(dǎo)通道，與柔性屏蔽層、彈性屏蔽件、透明件的屏蔽層共同完成了磁共振裝置的射頻屏蔽。

【附圖說明】

圖1為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的又一立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的局部剖面示意圖；

圖4為圖3中A部分的局部放大示意圖；

圖5為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的支撐框的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的開合組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的開合組件蓋合在支撐框上的剖面示意圖；

圖8為圖7中B部分的局部放大示意圖；

圖9為圖7中C部分的局部放大示意圖；

圖10為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的旋轉(zhuǎn)組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的后屏蔽裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本實(shí)用新型自屏蔽式磁共振裝置的后屏蔽裝置的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

需要說明，本實(shí)用新型實(shí)施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后、內(nèi)、外……)僅限于指定視圖上的相對位置，而非絕對位置。

另外，在本實(shí)用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

請參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種自屏蔽式磁共振裝置100，其包括磁體10、前屏蔽裝置20和后屏蔽裝置30，所述磁體10包括相對設(shè)置的第一端11和第二端13，所述前屏蔽裝置20設(shè)置于第一端11，第一端11靠近掃描床設(shè)置，所述后屏蔽裝置30設(shè)置于第二端13，第二端13用以連接線纜，被所述后屏蔽裝置30密封。

所述磁體10的第一端11設(shè)置有一第一通孔15，且所述第一端11沿所述第一通孔15的周緣向外延伸形成有一凸緣17，所述凸緣17與所述前屏蔽裝置20之間填充有柔性屏蔽材料形成有柔性屏蔽層19，以實(shí)現(xiàn)第一端11的屏蔽。例如可以是，所述凸緣17和/或前屏蔽裝置20相接處設(shè)置有一環(huán)形槽道，環(huán)形槽道內(nèi)填充柔性屏蔽材料。

請繼續(xù)參閱圖2，所述前屏蔽裝置20包括支撐框21、旋轉(zhuǎn)組件23及開合組件25，所述支撐框21固定于所述磁體10的第一端11，所述開合組件25通過所述旋轉(zhuǎn)組件23轉(zhuǎn)動(dòng)連接于所述支撐框21。具體地，所述支撐框21對應(yīng)所述第一通孔15設(shè)置有第二通孔211，所述第二通孔211包括內(nèi)徑不等的第一部分2111和第二部分2113，使得所述第一部分2111和第二部分2113之間形成階梯狀構(gòu)造，且第一部分2111和第二部分2113的梯度差等于所述凸緣17的厚度。所述凸緣17收容于所述第一部分2111并抵接于第二部分2113，且柔性屏蔽材料填充于所述第一部分2111的內(nèi)壁與所述凸緣17之間，所述第二部分2113的內(nèi)徑等于所述第一通孔15的內(nèi)徑。

請參閱圖3至圖5，所述支撐框21遠(yuǎn)離所述磁體10一端環(huán)繞所述第二通孔211設(shè)置有一周圈凹槽213，用于與開合組件25上對應(yīng)的部件配合以對第二通孔211周向形成屏蔽，所述支撐框21一側(cè)向外延伸形成兩個(gè)轉(zhuǎn)接柱215，所述轉(zhuǎn)接柱215開設(shè)有轉(zhuǎn)孔，所述轉(zhuǎn)孔為盲孔，所述旋轉(zhuǎn)組件23部分伸入到所述轉(zhuǎn)孔內(nèi)。所述支撐框21與所述轉(zhuǎn)接柱215相對的一側(cè)設(shè)置有鎖緊腔217，所述開合組件25蓋合與所述支撐框21時(shí)通過所述鎖緊腔217鎖定。所述鎖緊腔217于所述周圈凹槽213外側(cè)、靠近所述支撐框21邊緣設(shè)置。

所述鎖緊腔217包括鎖合腔和一鎖孔2171，所述鎖合腔為所述支撐框的一內(nèi)腔，并通過所述鎖孔2171與外界連通，所述鎖孔2171大體呈狹長的十字形。

所述支撐框21遠(yuǎn)離所述磁體10一端還設(shè)置有若干第一凹槽219，所述第一凹槽219兩端分別連通所述第二通孔211的遠(yuǎn)離磁體10一端以及外界(空氣)。所述周圈凹槽213橫穿所述第一凹槽219將相鄰的第一凹槽219連通，且所述第一凹槽219的深度小于所述周圈凹槽213的深度。

請繼續(xù)參閱圖6至圖9，所述開合組件25包括開合主體251、旋鈕鎖253以及樞接軸255，所述旋鈕鎖253與所述樞接軸255均依托于所述開合主體251設(shè)置，所述樞接軸255設(shè)置于所述開合主體251一側(cè)，對應(yīng)所述轉(zhuǎn)接柱215設(shè)置，兩個(gè)所述轉(zhuǎn)接柱215之間的距離大體等于所述樞接軸255的長度，所述旋鈕鎖253設(shè)置于所述開合主體251與所述樞接軸255相對的一側(cè)。

所述樞接軸255設(shè)置有轉(zhuǎn)孔，旋轉(zhuǎn)組件23伸入到所述樞接軸255的轉(zhuǎn)孔及所述轉(zhuǎn)接柱215的轉(zhuǎn)孔內(nèi)，所述樞接軸255的轉(zhuǎn)孔可以是貫穿所述樞接軸255長度方向的通孔，也可以是設(shè)置于所述樞接軸255兩端的盲孔，可以理解，當(dāng)所述樞接軸255的轉(zhuǎn)孔為通孔時(shí)，所述轉(zhuǎn)孔只設(shè)置一個(gè)，為盲孔時(shí)，則所述樞接軸兩端各設(shè)置一個(gè)轉(zhuǎn)孔。

所述開合主體251包括一第三通孔2511，所述第三通孔2511遠(yuǎn)離所述磁體10一端設(shè)置有透明件2513，所述透明件2513將所述第三通孔2511密封，所述透明件2513還具有射頻屏蔽功能，具體地，所述透明件2513包括一層、兩層或多層屏蔽層，所述屏蔽層內(nèi)嵌于所述透明件2513內(nèi)部，以實(shí)現(xiàn)良好的屏蔽效果，所述透明件2513邊緣延伸設(shè)置一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)所述屏蔽層與所述開合主體251的電氣連接。

所述開合主體251還包括屏蔽組件2515，所述屏蔽組件2515設(shè)置于所述開合主體251靠近所述磁體10一側(cè)，且環(huán)繞所述第三通孔2511設(shè)置，所述屏蔽組件2515包括若干屏蔽件，若干所述屏蔽件環(huán)繞所述第三通孔2511設(shè)置，形成一個(gè)包圍所述第三通孔的屏蔽圈，所述屏蔽組件2515與所述周圈凹槽213相配合。所述屏蔽件為彈性屏蔽件，當(dāng)所述開合組件25蓋合于所述支撐框21時(shí)，所述屏蔽組件2515剛好嵌入到所述周圈凹槽213內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)第二通孔211周向方向的屏蔽。

所述開合主體251上還設(shè)置有若干第二凹槽2517，所述第二凹槽2517正對所述第一凹槽219設(shè)置，當(dāng)開合組件25蓋合于所述支撐框21時(shí)，所述第一凹槽219和所述第二凹槽2517共同構(gòu)成若干波導(dǎo)通道，當(dāng)射頻信號穿過波導(dǎo)通道時(shí)，射頻信號隨著不斷深入波導(dǎo)通道而不斷衰減，最終衰減為對磁共振裝置使用無妨礙的較弱信號，從而實(shí)現(xiàn)射頻屏蔽。所述第二凹槽2517連通第三通孔及外界。

所述旋鈕鎖253為旋轉(zhuǎn)式開關(guān)，包括鎖扣(圖未標(biāo))及旋鈕(圖未標(biāo))，所述鎖扣與所述鎖孔對應(yīng)，呈狹長十字形，需要關(guān)閉時(shí)，按壓旋鈕，在旋轉(zhuǎn)一定角度，使得鎖扣進(jìn)入到鎖合腔，并且被卡合，完成關(guān)閉過程，開啟過程與之相反。

所述旋轉(zhuǎn)組件23包括旋轉(zhuǎn)軸231，所述旋轉(zhuǎn)軸231外側(cè)涂覆有阻尼脂，使得所述旋轉(zhuǎn)軸231在所述樞接軸255與所述轉(zhuǎn)接柱215的轉(zhuǎn)孔內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，具有一定的阻力，從而使所述開合組件25可以相對所述支撐框21開合停放于任意角度。當(dāng)所述樞接軸255的轉(zhuǎn)孔為通孔時(shí)，所述旋轉(zhuǎn)軸231從所述樞接軸的轉(zhuǎn)孔中穿過，兩端分別伸入到所述轉(zhuǎn)接柱215的轉(zhuǎn)孔內(nèi)，此時(shí)將所述旋轉(zhuǎn)軸231的兩端分別與所述轉(zhuǎn)接柱215固定，開合組件25在開合時(shí)，開合組件25相對所述旋轉(zhuǎn)軸231轉(zhuǎn)動(dòng)。

優(yōu)選地，所述支撐框21、所述旋轉(zhuǎn)組件23及所述開合主體251由滿足屏蔽需要的無磁或接近無磁的材料制成。

所述前屏蔽裝置20通過所述周圈凹槽213與環(huán)繞所述第三通孔2511設(shè)置的屏蔽組件2515，實(shí)現(xiàn)了第一通孔15在周向方向的屏蔽，通過在透明件2513設(shè)置屏蔽層，實(shí)現(xiàn)軸向方向的屏蔽，此外，若干所述第一凹槽219與若干所述第二凹槽2517形成的若干波導(dǎo)通道也實(shí)現(xiàn)了射頻屏蔽。

請參閱圖10至圖11，所述磁體10第二端13設(shè)置有若干線纜引出孔，所述后屏蔽裝置30包括一屏蔽框31及若干屏蔽管，所述屏蔽框31與所述磁體10第二端13的固定類似與所述支撐框21與所述磁體10第一端11的固定，所述磁體10的第二端13開設(shè)有第四通孔以及環(huán)繞所述第四通孔設(shè)置有第二凸緣，所述屏蔽框與所述第二凸緣之間也設(shè)置有柔性屏蔽材料。

所述屏蔽框31上設(shè)置有若干線纜引出孔311、一組進(jìn)風(fēng)口313、一組出風(fēng)口315及透明件，若干所述屏蔽管插入到磁體第二端的線纜引出孔及屏蔽框的線纜引出孔內(nèi)，所述屏蔽管插入到磁體第二端及屏蔽框的線纜引出孔內(nèi)的一端設(shè)置有導(dǎo)電層或屏蔽層，以實(shí)現(xiàn)屏蔽管與線纜引出孔的電氣連接，所述進(jìn)風(fēng)口313及所述出風(fēng)口315由若干波導(dǎo)通道構(gòu)成。

所述透明件與所述前屏蔽裝置20的透明件相同，為內(nèi)嵌有屏蔽層的透明件。

所述屏蔽管伸入到所述線纜引出孔內(nèi)以將所述自屏蔽式磁共振裝置100的線纜引出，線纜收容在所述屏蔽管內(nèi)。

優(yōu)選地，所述屏蔽框31、所述屏蔽管由滿足屏蔽需要的無磁或接近無磁的材料制成。

以對動(dòng)物進(jìn)行成像為例，使用所述自屏蔽式磁共振裝置100進(jìn)行掃描時(shí)，將待掃描的動(dòng)物穩(wěn)固置于掃描床上且處于麻醉狀態(tài)，需要佩戴有麻醉管、氧氣管和生命體征的監(jiān)護(hù)裝置。此處假設(shè)開合組件25閉合為初始狀態(tài)，操作人員將按以下步驟進(jìn)行操作：

第一步，解開旋鈕鎖253，使開合組件25處于開啟狀態(tài)，并且讓開合組件25穩(wěn)定處于一個(gè)合適的位置；

第二步，將掃描床經(jīng)過支承框21的第二通孔211送入磁體10內(nèi)部合適的位置；

第三步，將麻醉管、氧氣管等其他管狀物置于支承框21的第一凹槽219內(nèi)；

第四步，將開合組件25關(guān)閉，并鎖緊旋鈕鎖253。

此時(shí)，開合組件25上的彈性屏蔽件與支承框21的周圈凹槽213內(nèi)壁嚴(yán)密接觸；開合組件25上的第二凹槽2517與支承框21上的第一凹槽219共同構(gòu)成狹長通道，形成了波導(dǎo)，進(jìn)一步使得磁體10處于屏蔽狀態(tài)。此時(shí)，可啟動(dòng)相關(guān)設(shè)備對待掃描的動(dòng)物進(jìn)行掃描。在整個(gè)掃描過程中，相關(guān)人員可以通過透明件觀察磁體10內(nèi)部情況。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述自屏蔽式磁共振裝置100通過在磁體的兩端設(shè)置前屏蔽裝置20和后屏蔽裝置30，采柔性屏蔽材料形成柔性屏蔽層、彈性屏蔽件與周圈凹槽213配合實(shí)現(xiàn)周向屏蔽，透明件包含屏蔽層實(shí)現(xiàn)軸向屏蔽，此外，在前屏蔽裝置20和后屏蔽裝置30均形成有波導(dǎo)通道，與柔性屏蔽層、彈性屏蔽件、透明件的屏蔽層共同完成了磁共振裝置的射頻屏蔽。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是在本實(shí)用新型的構(gòu)思之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。