本實(shí)用新型涉及電磁加熱技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種檢測(cè)被加熱裝置的電路以及應(yīng)用該電路的電磁加熱設(shè)備和家用電器。

背景技術(shù)：

電磁加熱的原理是通過(guò)電子線(xiàn)路板組成部分產(chǎn)生交變磁場(chǎng)、當(dāng)用含鐵質(zhì)容器放置上面時(shí)，容器表面即切割交變磁力線(xiàn)而在容器底部金屬部分產(chǎn)生交變的電流(即渦流)，渦流使容器底部的鐵原子高速無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)，原子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能。從而起到加熱物品的效果。因?yàn)槭氰F制容器自身發(fā)熱，所以熱轉(zhuǎn)化率特別高，最高可達(dá)到95％。目前的電磁爐，電磁灶都是采用的電磁加熱技術(shù)。該技術(shù)相對(duì)于傳統(tǒng)的電阻加熱技術(shù)具有使用壽命長(zhǎng)、安全可靠、高效節(jié)能、準(zhǔn)確控溫、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)。

由于電磁加熱設(shè)備本身相當(dāng)于一個(gè)變壓器，在使用電磁加熱設(shè)備時(shí)，當(dāng)沒(méi)有被加熱裝置或被加熱裝置被取走時(shí)，相當(dāng)于變壓器缺少了次級(jí)線(xiàn)圈，沒(méi)有負(fù)載，可能發(fā)生短路，進(jìn)而因線(xiàn)圈過(guò)熱，可能引起電磁加熱設(shè)備燒毀，因此需要檢測(cè)電路中是否有被加熱裝置的功能。

而現(xiàn)有的電磁加熱技術(shù)，例如電磁爐，當(dāng)在很低的功率，例如100-300W時(shí)，由于功率比較小，當(dāng)線(xiàn)盤(pán)空載時(shí)功率也可達(dá)到300W，會(huì)存在無(wú)法判鍋具是否存在的現(xiàn)象，因而需要一種能夠精確判斷鍋具是否存在電路，從而保護(hù)電磁爐在使用過(guò)程中不會(huì)因空載而燒毀，延長(zhǎng)其使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種檢測(cè)被加熱裝置的電路，該電路能夠準(zhǔn)確并及時(shí)判斷被加熱裝置是否存在，并不受應(yīng)用該電路的電磁加熱設(shè)備的工作功率的限制，從而能及時(shí)關(guān)閉加熱功能，起到保護(hù)電磁加熱設(shè)備的作用。

本實(shí)用新型的另外兩個(gè)方面分別提供了應(yīng)用所述檢測(cè)被加熱裝置的電路的電磁加熱設(shè)備及家用電器，該電磁加熱設(shè)備和家用電器可通過(guò)準(zhǔn)確判斷被加熱裝置是否存在，及時(shí)關(guān)閉加熱功能，從而具有優(yōu)秀的自保護(hù)功能，延長(zhǎng)了其使用壽命，并且提高了該設(shè)備和/或家用電器的安全性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種檢測(cè)被加熱裝置的電路，該電路用于電磁加熱設(shè)備，該電磁加熱設(shè)備包括加熱電路和濾波電路，該加熱電路和濾波電路組成環(huán)路，該電路包括：電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)所述環(huán)路中的電流；諧振電壓處理電路，連接于所述加熱電路的輸出端，用于根據(jù)所述加熱電路的電壓產(chǎn)生一定的分壓電壓VAD1；環(huán)路電流處理電路，與所述電流檢測(cè)電路相連，用于處理所述電流檢測(cè)電路檢測(cè)的環(huán)路電流，并輸出電壓VAD2；以及處理器，用于對(duì)所述電壓VAD2和所述電壓VAD1進(jìn)行比較，當(dāng)VAD1大于VAD2的預(yù)定倍時(shí)，判斷電路中無(wú)被加熱裝置。

其中，所述檢測(cè)被加熱裝置的電路判斷電路中是否存在被加熱裝置的原理為：當(dāng)所述檢測(cè)被加熱裝置的電路中沒(méi)有被加熱裝置時(shí)，整體電路中的電流主要消耗在線(xiàn)圈盤(pán)上，因而環(huán)路電流(即整體電路的低頻部分電流)很小，因而環(huán)路電流處理電路輸出的電壓VAD2也很??；同時(shí)，由于空載時(shí)加熱電路內(nèi)部電容電感充放電無(wú)處消耗，因此加熱電路的輸出電壓非常大，經(jīng)過(guò)諧振電壓處理電路分壓處理后輸出的分壓電壓VAD1也相應(yīng)很大；而當(dāng)所述檢測(cè)被加熱裝置的電路中有被加熱裝置時(shí)，所述電壓VAD1和VAD2的值相近，因此可以設(shè)定當(dāng)所述電壓VAD1大于所述電壓VAD2的預(yù)定倍時(shí)，判定電路中不存在被加熱裝置，從而及時(shí)關(guān)閉加熱電路。該檢測(cè)過(guò)程并不受電路中功率大小的限制，即使在電磁低功率狀態(tài)下，例如低于300W時(shí)，也不影響檢測(cè)的準(zhǔn)備性。

優(yōu)選地，所述環(huán)路電流處理電路包括：運(yùn)算放大器；電阻R65，連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端和輸出端之間；電阻R67，連接于所述運(yùn)算放大器的同相輸入端并接地；電阻R1046連接于所述運(yùn)算放大器的輸出端和所述環(huán)路電流處理電路的輸出端之間。

優(yōu)選地，所述環(huán)路電流處理電路還包括：電阻R1047和電容EC09，該電阻R1047和該電容EC09互相并聯(lián)，連接于所述環(huán)路電流處理電路的輸出端并接地。

優(yōu)選地，所述諧振電壓處理電路包括：分壓電阻R1043，連接于所述加熱電路的輸出端和所述諧振電壓處理電路的輸出端之間。

優(yōu)選地，所述諧振電壓處理電路包括：濾波電容EC098和電阻R1037，該電容EC098和電阻R1037互相并連后連接于所述諧振電壓處理電路的輸出端并接地。

優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)電路包括電流互感器。

優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)電路包括康銅絲。

優(yōu)選地，所述電流檢測(cè)電路包括電阻器件和放大電路，所述放大電路用于對(duì)經(jīng)過(guò)電阻器件的電流進(jìn)行放大處理。

通過(guò)上述技術(shù)方案，檢測(cè)加熱電路中的諧振電壓和環(huán)路中的環(huán)路電流，并對(duì)其進(jìn)行處理后進(jìn)行對(duì)比，從而可以及時(shí)準(zhǔn)確地檢測(cè)所述檢測(cè)被加熱裝置的電路中是否存在被加熱裝置，并及時(shí)關(guān)閉加熱電路，防止因電路空載而燒毀，延長(zhǎng)整體電路的使用壽命，并且即使電路中的功率較小也不影響其檢測(cè)的準(zhǔn)備性。

本實(shí)用新型還提供了一種應(yīng)用所述的檢測(cè)被加熱裝置的電路的電磁加熱設(shè)備以及家用電器。該電磁加熱設(shè)備以及家用電器中的所述加熱電路可以為為半橋或全橋電路，包括晶體管和晶體管驅(qū)動(dòng)電路、諧振電容以及線(xiàn)圈盤(pán)，其中，所述線(xiàn)圈盤(pán)連接于晶體管的中點(diǎn)和諧振電容的中點(diǎn)之間，所述晶體管驅(qū)動(dòng)電路與所述處理器連接，用于根據(jù)所述處理器的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述晶體管導(dǎo)通。

通過(guò)利用上述技術(shù)方案，能夠延長(zhǎng)所述電磁加熱設(shè)備以及家用電器的使用壽命，同時(shí)及時(shí)關(guān)閉其中加熱功能又能夠節(jié)省消耗的電量，并保證使用安全。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的檢測(cè)被加熱裝置的電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的檢測(cè)被加熱裝置的電路的整體示意圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)例例二的檢測(cè)被加熱裝置的電路的電路圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例三的使用全橋式電路的加熱電路的電路圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

100：濾波電路 200：加熱電路

300：電流檢測(cè)電路 400：諧振電壓處理電路

500：環(huán)路電流處理電路 600：處理器

510：電流檢測(cè)電路 610：微控制器

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的檢測(cè)被加熱裝置的電路的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，所述檢測(cè)被加熱裝置的電路包括加熱電路200和濾波電路100，該加熱電路200和濾波電路100組成環(huán)路；電流檢測(cè)電路300，用于檢測(cè)所述環(huán)路中的電流；諧振電壓處理電路400，連接于所述加熱電路200的輸出端LOUT，用于根據(jù)所述加熱電路200中的諧振電壓產(chǎn)生一定的分壓電壓VAD1；環(huán)路電流處理電路500，與所述電流檢測(cè)電路300相連，用于處理所述電流檢測(cè)電路300檢測(cè)的環(huán)路電流，并輸出電壓VAD2；以及處理器600，用于對(duì)所述電壓VAD2和所述電壓VAD1進(jìn)行比較，當(dāng)VAD1大于VAD2的預(yù)定倍時(shí)，判斷電路中無(wú)被加熱裝置。

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的檢測(cè)被加熱裝置的電路的整體示意圖。圖2主要示出了所述諧振電壓處理電路400、環(huán)路電流處理電路500以及電流檢測(cè)電路300與所述環(huán)路之間的連接關(guān)系。在圖2中，ACL和ACN為市電接口，BD101為橋堆，其起到整流的作用；扼流圈L101、濾波電容C101和C104組成濾波電路100，實(shí)際應(yīng)用中，濾波電路并不限于該形式。圖2中的加熱電路200為半橋電路，包括電容諧振電容C102和C103；晶體管Q1001和Q1002，晶體管Q1001和Q10012即組成加熱電路上下橋的IGBT，其中，Q1001與IGBT驅(qū)動(dòng)1連接，Q1002與IGBT驅(qū)動(dòng)2連接，IGBT驅(qū)動(dòng)1和IGBT驅(qū)動(dòng)2連接于微控制器(MCU)610，微處理器通過(guò)控制所述IGBT驅(qū)動(dòng)1和IGBT驅(qū)動(dòng)2控制晶體管Q1001和Q1002開(kāi)通和關(guān)斷；以及線(xiàn)圈盤(pán)L210，其一端連接于晶體管Q1001和Q1002的中點(diǎn)，另一端連接于諧振電容C101和C102的中點(diǎn)。其中，微控制器610也可以用其它具有相似功能的器件代替，例如單片機(jī)，F(xiàn)PGA等。

如圖2所示，電流檢測(cè)電路300串聯(lián)在所述濾波電路和所述加熱電路組成的環(huán)路中，用于檢測(cè)環(huán)路中的電流，需要說(shuō)明的是，電流檢測(cè)電路300的連接位置并不限于圖2中所示的位置，也可以連接在環(huán)路中的其它位置，只要能夠檢測(cè)環(huán)路中的電流即可。為了對(duì)電流檢測(cè)電路檢測(cè)的環(huán)路電路進(jìn)行處理，還可以包括環(huán)路電流處理電路500，其一端連接于所述電流檢測(cè)電路300，另一端連接于微控制器610，用于對(duì)所述環(huán)路電流進(jìn)行處理后產(chǎn)生輸出電壓VAD2。為了檢測(cè)所述加熱電路200中產(chǎn)生的諧振電壓，將所述線(xiàn)圈盤(pán)連接于諧振電容C101和C103中點(diǎn)的一端作為加熱電路200的輸出端，諧振電壓處理電路400連接于所述加熱電路的輸出端，其另一端連接于微控制器，用于對(duì)所述加熱電路的輸出電壓進(jìn)行分壓處理，經(jīng)過(guò)分壓處理后的產(chǎn)生分壓電壓VAD1。

微控制器進(jìn)一步所述電壓VAD1和電壓VAD2這二者進(jìn)行比較，當(dāng)VAD1大于VAD2的預(yù)定倍數(shù)時(shí)，可判定為無(wú)被加熱裝置。其判斷原理在上述內(nèi)容中已描述過(guò)，根據(jù)電路設(shè)計(jì)的不同，所述VAD1大于VAD2的預(yù)定倍數(shù)也會(huì)不同。

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)例例二的檢測(cè)被加熱裝置的電路的電路圖。在圖3所示的實(shí)施例二的電路圖中，電源連接部分、濾波電路100、加熱電路200以及各主要組成部分的連接關(guān)系與圖2所示的實(shí)施例一相同，此處不再贅敘。

如圖3所示，諧振電壓處理電路400可以包括分壓電阻R1043和R1036，所述分壓電阻R1043和R1036并聯(lián)后一端連接于所述加熱電路的輸出端，另一端連接所述諧振電壓處理電路的輸出端，所述諧振電壓處理電路的輸出端連接于處理器。所述諧振電壓處理電路還可以包括：濾波電容EC098和電阻R1037，該電容EC098和電阻R1037互相并后連連接于所述諧振電壓處理電路的輸出端并接地。因?yàn)榧訜犭娐?00中的諧振電壓有可能很大，只有一個(gè)分壓電阻的情況下，被分壓處理的分壓電壓VAD1值也有可能過(guò)大，不利于處理，因此可以在諧振電壓處理電路中并聯(lián)兩個(gè)或以上的電阻，在圖2所示的實(shí)施例二中，除了所述分壓電阻R1043和R1036，在諧振電壓處理電路的輸出端還并聯(lián)了電阻R1041。

如圖3所示，所述環(huán)路電流處理電路可以包括：運(yùn)算放大器，因環(huán)路電流可能太小，不利于后續(xù)處理，因此需要利用運(yùn)算放大器或其他放大處理器件對(duì)環(huán)路電流作放大處理，圖3中選用的是運(yùn)放芯片LM358，實(shí)際應(yīng)用中可選用任何運(yùn)放芯片或任何包含放大功能的器件代替，圖中的-IN1、+IN2、OUT1分別是運(yùn)放芯片LM358的其中一組運(yùn)算放大器的反相輸入端、正相輸入端和輸出端相對(duì)應(yīng)的芯片引腳；電阻R65，連接于所述運(yùn)算放大器的反相輸入端和輸出端之間；電阻R67，連接于所述運(yùn)算放大器的同相輸入端并接地；電阻R1046串聯(lián)于所述運(yùn)算放大器的輸出端和所述環(huán)路電流處理電路的輸出端之間。所述環(huán)路電流處理電路還可以包括：電阻R1047和電容EC09，該電阻R1047和該電容EC09互相并聯(lián)，連接于所述環(huán)路電流處理電路的輸出端并接地，所述環(huán)路電流處理電路500的輸出端的電壓為VAD2。

如圖3所示，在實(shí)施例二中所述電流檢測(cè)電路可以包括康銅絲。所述環(huán)路電流處理電路500的輸入電壓即圖3中所示的環(huán)路電流檢測(cè)電路的電壓V0，不難理解的是電壓V0由環(huán)路電流和環(huán)路電流檢測(cè)電路300的電阻值決定。

所述電流檢測(cè)電路還可以包括電阻器件和放大電路，所述放大電路用于對(duì)經(jīng)過(guò)電阻器件的電流進(jìn)行放大處理，當(dāng)選用普通電阻代替康銅絲時(shí)，由于選用的電阻阻值有可能較小，再加上檢測(cè)到的環(huán)路電流可能很小，因此其電壓V0也會(huì)因太小而不利于后續(xù)處理，因此可以在環(huán)路電流檢測(cè)電路設(shè)置放大電路，對(duì)環(huán)路電流或環(huán)路檢測(cè)電路的電壓進(jìn)行一級(jí)放大后再由環(huán)路電流處理電路進(jìn)行處理。

實(shí)踐中所述電流檢測(cè)電路也可以包括電流互感器，由于電流互感器可以感生出較大的電流，因此使用電流互感器時(shí)不需要額外的放大電路就能滿(mǎn)足后續(xù)的處理需要。

在實(shí)施例二中，假設(shè)如圖3所示的加熱電路的輸出端LOUT的電壓為VLOUT，環(huán)路電流檢測(cè)電路的輸出電壓為V0，電路中的諧振頻率為f，那么諧振電壓處理電路400的輸出端電壓，即分壓處理后的分壓電壓VAD1的計(jì)算公式為：

環(huán)路電流處理電路500的輸出電壓VAD2的計(jì)算公式為：

如上述已描述的內(nèi)容所示，當(dāng)電壓VAD1大于電壓VAD2的預(yù)定倍時(shí)，處理器判定線(xiàn)圈盤(pán)上沒(méi)有放置放被加熱裝置，因諧振電壓處理電路400和環(huán)路電流處理電路500的實(shí)際設(shè)置不同，電壓VAD1和電壓VAD2的實(shí)際大小也會(huì)不同，所述電壓VAD1大于電壓VAD2的預(yù)定倍數(shù)可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，本實(shí)用新型提供的所述預(yù)定倍數(shù)的參考值為5-10倍。當(dāng)加熱電路中沒(méi)有放置被加熱裝置時(shí)，或者在被加熱裝置被取走時(shí)，加熱電路中的感生電流會(huì)有一個(gè)變大的過(guò)程，因此對(duì)于一個(gè)所述檢測(cè)被加熱裝置的電路來(lái)說(shuō)，所述預(yù)定倍數(shù)也可以根據(jù)實(shí)際需要選擇設(shè)定，可以選擇設(shè)定一個(gè)即能保證加熱電路及時(shí)關(guān)斷，也能避免加熱電路被燒毀的倍數(shù)來(lái)設(shè)定。

上述描述的檢測(cè)被加熱裝置的電路可以應(yīng)用于電磁加熱設(shè)備和家用電器中，例如電磁爐。上述實(shí)施例一和實(shí)施例二中的加熱電路采用的都是半橋電路，但實(shí)際應(yīng)用時(shí)，上述技術(shù)方案也適用于采用全橋電路的加熱電路。如圖4所示，是加熱電路采用全橋電路的連接示意圖，圖中省略的其它部分與上述描述過(guò)的實(shí)施例一和實(shí)施例相同。在全橋式電路中，與半橋式電路相比，增加了與上述半橋式電路對(duì)稱(chēng)的晶體管Q1003、Q1004以及與其對(duì)應(yīng)的IGBT驅(qū)動(dòng)3、IGBT驅(qū)動(dòng)4和諧振電容C202、C203。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說(shuō)明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過(guò)任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說(shuō)明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開(kāi)的內(nèi)容。