1.一種垂直晶體管陣列，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直晶體管陣列，其特征在于，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直晶體管陣列，其特征在于，所述主體結(jié)構(gòu)的摻雜離子和所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)的摻雜離子均包括硼、銦、磷和砷中至少一種，所述主體結(jié)構(gòu)的摻雜離子和所述歐姆接觸結(jié)構(gòu)的摻雜離子為同族。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直晶體管陣列，其特征在于，還包括第一隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)包括多個第一子隔離結(jié)構(gòu)和多個第二子隔離結(jié)構(gòu)，所述第二子隔離結(jié)構(gòu)沿所述第一方向延伸，各所述位線與各所述第二子隔離結(jié)構(gòu)沿所述第二方向交替排列，所述第二子隔離結(jié)構(gòu)的底面比所述位線的底面靠近所述襯底的底面；所述第一子隔離結(jié)構(gòu)和沿所述第二方向排列的所述有源柱交替排列，所述第一子隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第二子隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直晶體管陣列，其特征在于，還包括多個第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第二隔離結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸；所述第二隔離結(jié)構(gòu)和沿所述第一方向排列的所述有源柱交替排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直晶體管陣列，其特征在于，所述第二子隔離結(jié)構(gòu)的頂面比所述位線的頂面遠(yuǎn)離所述襯底的底面。
7.一種存儲器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6中任一所述的垂直晶體管陣列。
8.一種基于權(quán)利要求1-6中任一所述垂直晶體管陣列的制造方法，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，對所述第一溝槽下方的襯底進(jìn)行第一次離子注入并經(jīng)過第一次退火，得到漏極層，所述漏極層包括位于所述初始有源柱下方的初始漏極和位于所述第一溝槽下方的第一初始犧牲結(jié)構(gòu)，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，對所述第一溝槽下方的襯底進(jìn)行第一次離子注入并經(jīng)過第一次退火，得到漏極層，所述漏極層包括位于所述初始有源柱下方的初始漏極和位于所述第一溝槽下方的第一初始犧牲結(jié)構(gòu)之前，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，對位于所述第二溝槽下方的第一初始犧牲結(jié)構(gòu)剩余的第二部分進(jìn)行第二次離子注入并經(jīng)過第二次退火，得到所述初始漏極形成的漏極和所述第二部分形成的第二初始犧牲結(jié)構(gòu)，所述漏極包括主體結(jié)構(gòu)和與所述第二初始犧牲結(jié)構(gòu)位于同層的歐姆接觸結(jié)構(gòu)，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一犧牲結(jié)構(gòu)，得到第二溝槽，包括：