1.一種復(fù)合傳輸層，其特征在于，包括按照光入射方向依次層疊的過渡層、空穴傳輸層和緩沖層，所述過渡層的制備材料為nixaysizsnmon或cuxaysizsnmon，其中，x>0、y>＝0、z>＝0，m>＝0，n>0，a為鋁或硼，在過渡層的制備材料中至少包含a、si、sn中任意一種元素，空穴傳輸層的制備材料是niox、cuxo、cuscn中的任意一種，緩沖層的制備材料為niaebncod或cuaebncod，其中，a>0、b>＝0、c>0、d>＝0，e為al、b、si、zn、co、zr中任意一種元素。
2.一種復(fù)合傳輸層，其特征在于，包括按照光入射方向依次層疊的過渡層、空穴傳輸層和緩沖層，所述過渡層的制備材料為nixaysizsnmon或cuxaysizsnmon，其中，x>0、y>＝0、z>＝0，m>＝0，n>0，a為鋁或硼，在過渡層的制備材料中至少包含a、si、sn中任意一種元素，空穴傳輸層的制備材料是niox、cuxo、cuscn中的任意一種，緩沖層的制備材料為niaebncod或cuaebncod，其中，a>0、b>＝0、c>0、d>＝0，e為al、b、si、zn、co、zr中任意一種元素；在過渡層和/或緩沖層的制備材料中還添加摻雜了偶聯(lián)劑，得到相應(yīng)的含偶聯(lián)劑的陣列過渡層和/或陣列緩沖層，摻雜有偶聯(lián)劑的過渡層和/或緩沖層制成的薄膜中包含有多個離散排列的含偶聯(lián)劑的陣列分子團(tuán)以及間隔相鄰兩個分子團(tuán)的開口，每個開口分別將所在薄膜的上下表面連通，偶聯(lián)劑為硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑、磷酸酯偶聯(lián)劑、硼酸酯偶聯(lián)劑中任意一種。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合傳輸層，其特征在于，所述偶聯(lián)劑的添加量為要添加到的制備過渡層和/或緩沖層的納米顆粒懸濁液的體積的0.5～5％，所述納米顆粒懸濁液的濃度為0.1～10wt.％。
4.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合傳輸層，其特征在于，所述開口的長度為10nm～200nm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合傳輸層，其特征在于，所述過渡層的厚度0.2nm～30nm，空穴傳輸層的厚度1nm～100nm，緩沖層的厚度0.2nm～50nm。
6.一種鈣鈦礦太陽能電池，所述鈣鈦礦太陽能電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分別包括依次層疊在一起的透明導(dǎo)電層、鈣鈦礦吸光層、電子傳輸層和背電極，其特征在于，在所述透明導(dǎo)電層與鈣鈦礦吸光層之間設(shè)置有如權(quán)利要求1所述的復(fù)合傳輸層，所述復(fù)合傳輸層的過渡層與透明導(dǎo)電層貼合接觸，其緩沖層與鈣鈦礦吸光層貼合接觸。
7.一種鈣鈦礦太陽能電池，所述鈣鈦礦太陽能電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分別包括依次層疊在一起的透明導(dǎo)電層、鈣鈦礦吸光層、電子傳輸層和背電極，其特征在于，在所述透明導(dǎo)電層與鈣鈦礦吸光層之間設(shè)置有如權(quán)利要求2所述的復(fù)合傳輸層，所述復(fù)合傳輸層的過渡層與透明導(dǎo)電層貼合接觸，其緩沖層與鈣鈦礦吸光層貼合接觸。
8.一種如權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
9.一種如權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
10.一種如權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：