本發(fā)明的一個方式涉及一種半導(dǎo)體裝置、存儲裝置及電子設(shè)備。此外，本發(fā)明的一個方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。注意，本發(fā)明的一個方式不局限于上述。作為本發(fā)明的一個方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置(例如，觸摸傳感器等)、輸入輸出裝置(例如，觸摸面板等)、它們的驅(qū)動方法或它們的制造方法。注意，在本說明書等中，半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。除了晶體管等半導(dǎo)體元件之外，半導(dǎo)體電路、運算裝置或存儲裝置是半導(dǎo)體裝置的一個方式。顯示裝置(液晶顯示裝置及發(fā)光顯示裝置等)、投影裝置、照明裝置、電光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、半導(dǎo)體電路、攝像裝置及電子設(shè)備等有時包括半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來，已對lsi(large?scale?integration：大規(guī)模集成電路)、cpu(centralprocessing?unit：中央處理器)、存儲器(存儲裝置)等半導(dǎo)體裝置進行開發(fā)。這些半導(dǎo)體裝置用于計算機、便攜式信息終端等各種電子設(shè)備。另外，根據(jù)運算處理執(zhí)行時的暫時存儲、數(shù)據(jù)的長期存儲等用途，已開發(fā)出各種存儲方式的存儲器。作為典型的存儲方式的存儲器，例如可以舉出dram(dynamic?random?access?memory：動態(tài)隨機存取存儲器)、sram(staticrandom?access?memory：靜態(tài)隨機存取存儲器)及快閃存儲器。

2、另外，隨著處理數(shù)據(jù)量的增大，需要存儲容量更大的半導(dǎo)體裝置。專利文獻1及非專利文獻1公開了層疊晶體管來形成的存儲單元。

3、另外，為了增大半導(dǎo)體裝置的存儲容量，正在進行半導(dǎo)體裝置中的晶體管的微型化。為了實現(xiàn)晶體管的微型化，縱向晶體管的研究日益火熱。例如，非專利文獻2及非專利文獻3公開了一種在形成溝道的區(qū)域(也稱為溝道形成區(qū)域)中包含金屬氧化物的縱向晶體管。

4、[先行技術(shù)文獻]

5、[專利文獻]

6、[專利文獻1]國際專利申請公開第2021/053473號

7、[非專利文獻]

8、[非專利文獻1]m.oota?et?al.，“3d-stacked?caac-in-ga-zn?oxide?fets?withgate?length?of?72nm”，iedm?tech.dig.，2019，pp.50-53

9、[非專利文獻2]x.duan?et?al.，“novel?vertical?channel-all-around(caa)igzo?fets?for?2t0c?dram?with?high?density?beyond?4f2?by?monolithic?stacking”，iedm?tech.dig.，2021，pp.222-225

10、[非專利文獻3]h.fujiwara?et?al.，“surrounding?gate?vertical-channel?fetwith?gate?length?of?40nm?using?beol?compatible?high-thermal-tolerance?in-al-zn?oxide?channel”，2020symposium?on?vlsi?technology，th2.2

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化或高集成化的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種工作速度快的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有優(yōu)異電特性的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種晶體管的電特性不均勻小的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種通態(tài)電流大的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種低功耗半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎半導(dǎo)體裝置。

3、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種存儲容量大的存儲裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種占有面積小的存儲裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的存儲裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種低功耗存儲裝置。本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎存儲裝置。

4、注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要實現(xiàn)所有上述目的?？梢詮恼f明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述目的以外的目的。

5、解決技術(shù)問題的手段

6、本發(fā)明的一個方式是一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括第一導(dǎo)電體、第一導(dǎo)電體上的第一絕緣體、第一絕緣體上的第二導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體上的第三導(dǎo)電體、第一絕緣體、第二導(dǎo)電體及第三導(dǎo)電體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第四導(dǎo)電體、第四導(dǎo)電體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第五導(dǎo)電體、第一氧化物、第二氧化物、第四絕緣體以及第五絕緣體。第二絕緣體、第四導(dǎo)電體及第三絕緣體中設(shè)置有到達第三導(dǎo)電體的第一開口。第四絕緣體具有與第一開口中的第四導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第一氧化物具有隔著第四絕緣體與第四導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第三導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第五導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。第一絕緣體、第二導(dǎo)電體、第二絕緣體及第三絕緣體中設(shè)置有到達第一導(dǎo)電體的第二開口。第五絕緣體具有與第二開口中的第二導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第二氧化物具有隔著第五絕緣體與第二導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第一導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第五導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。

7、在上述半導(dǎo)體裝置中，第四導(dǎo)電體延伸的方向優(yōu)選平行于第一導(dǎo)電體延伸的方向。

8、另外，在上述半導(dǎo)體裝置中，當從平面看時，第二開口之徑的尺寸優(yōu)選比第一開口之徑的尺寸大。

9、另外，當從上述半導(dǎo)體裝置的截面看時，第一開口的側(cè)壁及第二開口的側(cè)壁優(yōu)選都具有錐形形狀。

10、本發(fā)明的一個方式是一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體、第一絕緣體、第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第三導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體上的第四導(dǎo)電體、第二絕緣體、第三導(dǎo)電體及第四導(dǎo)電體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第五導(dǎo)電體、第五導(dǎo)電體上的第四絕緣體、第四絕緣體上的第六導(dǎo)電體、第一氧化物、第二氧化物、第五絕緣體以及第六絕緣體。第一導(dǎo)電體具有隔著第二絕緣體與第三導(dǎo)電體重疊的區(qū)域。第三絕緣體、第五導(dǎo)電體及第四絕緣體中設(shè)置有到達第四導(dǎo)電體的第一開口。第五絕緣體具有與第一開口中的第五導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第一氧化物具有隔著第五絕緣體與第五導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第四導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第六導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。第二絕緣體、第三導(dǎo)電體、第三絕緣體及第四絕緣體中設(shè)置有到達第二導(dǎo)電體的第二開口。第六絕緣體具有與第二開口中的第三導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第二氧化物具有隔著第六絕緣體與第三導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第二導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第六導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。

11、在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電體延伸的方向平行于第二導(dǎo)電體延伸的方向，第五導(dǎo)電體延伸的方向平行于第二導(dǎo)電體延伸的方向。

12、另外，在上述半導(dǎo)體裝置中，第一導(dǎo)電體與第二導(dǎo)電體優(yōu)選設(shè)置在同一層中。

13、本發(fā)明的一個方式是一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體、第一絕緣體、第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第三導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體上的第四導(dǎo)電體、第二絕緣體、第三導(dǎo)電體及第四導(dǎo)電體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第五導(dǎo)電體、第五導(dǎo)電體上的第四絕緣體、第四絕緣體上的第六導(dǎo)電體及第七導(dǎo)電體、第一氧化物、第二氧化物、第五絕緣體以及第六絕緣體。第一導(dǎo)電體具有隔著第二絕緣體與第三導(dǎo)電體重疊的區(qū)域。第三絕緣體、第五導(dǎo)電體及第四絕緣體中設(shè)置有到達第四導(dǎo)電體的第一開口。第五絕緣體具有與第一開口中的第五導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第一氧化物具有隔著第五絕緣體與第五導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第四導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第六導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。第二絕緣體、第三導(dǎo)電體、第三絕緣體及第四絕緣體中設(shè)置有到達第二導(dǎo)電體的第二開口。第六絕緣體具有與第二開口中的第三導(dǎo)電體的側(cè)面接觸的區(qū)域。第二氧化物具有隔著第六絕緣體與第三導(dǎo)電體相對的區(qū)域、與第二導(dǎo)電體的頂面的至少一部分接觸的區(qū)域以及與第七導(dǎo)電體的底面的至少一部分接觸的區(qū)域。

14、在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電體延伸的方向平行于第二導(dǎo)電體延伸的方向，第五導(dǎo)電體延伸的方向平行于第二導(dǎo)電體延伸的方向，第六導(dǎo)電體延伸的方向平行于第七導(dǎo)電體延伸的方向。

15、另外，在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電體與第二導(dǎo)電體設(shè)置在同一層中，第六導(dǎo)電體與第七導(dǎo)電體設(shè)置在同一層中。

16、另外，在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，金屬氧化物包含選自銦、元素m和鋅中的兩個或三個，元素m為選自鋁、鎵、釔和錫中的一種或多種。

17、發(fā)明效果

18、根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化或高集成化的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種工作速度快的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種具有優(yōu)異電特性的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種晶體管的電特性不均勻小的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種通態(tài)電流大的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種低功耗半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎半導(dǎo)體裝置。

19、根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種存儲容量大的存儲裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種占有面積小的存儲裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種可靠性高的存儲裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種低功耗存儲裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎存儲裝置。

20、注意，這些效果的記載并不妨礙其他效果的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要具有所有上述效果。可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述效果以外的效果。