技術(shù)特征：

1.一種在絕緣表面上形成的多個(gè)發(fā)光器件中之一個(gè)發(fā)光器件，包括：

2.一種在絕緣表面上形成的多個(gè)發(fā)光器件中之一個(gè)發(fā)光器件，包括：

3.一種在絕緣表面上形成的多個(gè)發(fā)光器件中之一個(gè)發(fā)光器件，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，

10.一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟：

11.一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟：

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光裝置的制造方法，

技術(shù)總結(jié)
提供一種能夠得到高清晰、具有高可靠性且制造成本低的發(fā)光裝置的發(fā)光器件。提供包括第一電極、第二電極以及位于其間的第一層及第二層的發(fā)光器件，所述第一層位于比所述第二層更靠近的第一電極一側(cè)，所述第一電極及第一層為在各發(fā)光器件中獨(dú)立的層，所述第二電極及第二層為多個(gè)發(fā)光器件共用的連續(xù)的層，所述第一層包括包含發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層及第一電子傳輸層，所述第二層包括第二電子傳輸層，所述第一電子傳輸層位于所述發(fā)光層與所述第二電子傳輸層間，所述第一電子傳輸層包含具有電子傳輸性且玻璃轉(zhuǎn)化溫度為110℃以上的第一化合物，所述第二電子傳輸層包含具有電子傳輸性的第二化合物。

技術(shù)研發(fā)人員：杉澤希,鈴木恒德,青山智哉,福崎真也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10