技術(shù)特征：

1.一種包括多個非易失性存儲元件的非易失性存儲裝置，其中，

2.一種包括多個非易失性存儲元件的非易失性存儲裝置，其中，

3.一種包括多個非易失性存儲元件的非易失性存儲裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的非易失性存儲裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的非易失性存儲裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的非易失性存儲裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲裝置，其中，

11.一種包括多個非易失性存儲元件的非易失性存儲裝置，其中，

12.一種包括多個非易失性存儲元件的非易失性存儲裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、11或12所述的非易失性存儲裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、11或12所述的非易失性存儲裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
非易失性存儲裝置包括多個非易失性存儲元件，其中，所述非易失性存儲元件包括包含金屬氧化物的半導(dǎo)體層、與所述半導(dǎo)體層相對的柵電極以及由設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述柵電極之間的反鐵電體構(gòu)成的柵極絕緣層。其中，構(gòu)成所述柵電極的第一材料的電子親和力小于構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的第二材料的電子親和力，并且所述第二材料為n型半導(dǎo)體，或者，構(gòu)成所述柵電極的第一材料的電子親和力大于構(gòu)成所述半導(dǎo)體層的第二材料的電子親和力，并且所述第二材料為p型半導(dǎo)體。

技術(shù)研發(fā)人員：小林正治,李卓,平本俊郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：國立研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10