1.一種晶圓的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：至少一第一通孔結(jié)構(gòu)，所述第一通孔結(jié)構(gòu)沿指向第一表面的方向貫穿所述控制晶圓，一所述第一通孔結(jié)構(gòu)電連接于一所述第一隔離器件和所述第一存儲器陣列之間。
3.如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一陣列晶圓具有至少一數(shù)據(jù)線；
4.如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制晶圓包括：
5.如權(quán)利要求4所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離器件通過所述第一通孔結(jié)構(gòu)與所述第一控制互連層電連接。
6.如權(quán)利要求4所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一陣列晶圓還包括：
7.如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制晶圓還包括：第二控制互連層，所述第二控制互連層位于所述控制器件層遠(yuǎn)離所述第一陣列晶圓的一側(cè)；
8.如權(quán)利要求7所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二控制互連層背向所述控制器件層的表面為所述第二表面；
9.如權(quán)利要求8所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制晶圓的第二表面內(nèi)還具有至少一第二隔離器件；
10.如權(quán)利要求9所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二陣列晶圓具有至少一數(shù)據(jù)線；一所述第二隔離器件電連接于所述外圍器件和一所述數(shù)據(jù)線之間。
11.如權(quán)利要求3或10所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線為位線，所述外圍器件為放大器；所述數(shù)據(jù)線為字線，所述外圍器件為驅(qū)動器。
12.如權(quán)利要求8所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二陣列晶圓包括：
13.如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外圍器件包括：靈敏放大器、驅(qū)動器中的至少一種。
14.如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
15.如權(quán)利要求2或14中任一項所述的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一通孔結(jié)構(gòu)、第一陣列通孔結(jié)構(gòu)和第二陣列通孔結(jié)構(gòu)中至少一個通孔結(jié)構(gòu)為硅通孔結(jié)構(gòu)。
16.一種晶圓的堆疊方法，其特征在于，包括：
17.如權(quán)利要求16所述的堆疊方法，其特征在于，還包括：在所述控制晶圓的另一個表面對所述控制晶圓進行減薄之后，形成至少一第一通孔結(jié)構(gòu)，所述第一通孔結(jié)構(gòu)貫穿減薄后的控制晶圓，一所述第一通孔結(jié)構(gòu)與一所述第一隔離器件電連接；
18.如權(quán)利要求17所述的堆疊方法，其特征在于，形成控制晶圓的步驟包括：提供控制襯底；
19.如權(quán)利要求18所述的堆疊方法，其特征在于，在減薄后的控制襯底遠(yuǎn)離所述控制器件層的表面形成第一控制互連層之前，形成至少一第一通孔結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求18所述的堆疊方法，其特征在于，形成所述控制晶圓的步驟還包括：在所述控制晶圓內(nèi)形成至少一第一通孔結(jié)構(gòu)之前，在所述控制器件層遠(yuǎn)離所述控制襯底一側(cè)形成第二控制互連層，所述第二控制互連層與所述第一隔離器件電連接；
21.如權(quán)利要求20所述的堆疊方法，其特征在于，在所述控制器件層遠(yuǎn)離所述控制襯底一側(cè)形成第二控制互連層的步驟中，所述第二控制互連層背向所述控制器件層的表面為所述第二表面；
22.如權(quán)利要求21所述的堆疊方法，其特征在于，形成控制晶圓的步驟中，所述控制晶圓的一個表面內(nèi)還具有至少一第二隔離器件；
23.如權(quán)利要求21所述的堆疊方法，其特征在于，將所述控制晶圓和所述第二陣列晶圓鍵合連接之后，在所述控制晶圓的另一個表面對所述控制晶圓進行減薄。
24.如權(quán)利要求16、18或23所述的堆疊方法，其特征在于，減薄后的控制晶圓的厚度大于所述控制晶圓的有效厚度。
25.如權(quán)利要求16所述的堆疊方法，其特征在于，還包括：
26.如權(quán)利要求25所述的堆疊方法，其特征在于，將所述控制晶圓和所述第一陣列晶圓鍵合連接之后，在所述第一陣列晶圓內(nèi)形成所述第一陣列通孔結(jié)構(gòu)；
27.一種存儲裝置的工作方法，其特征在于，包括：
28.如權(quán)利要求27所述的工作方法，其特征在于，所述控制晶圓的第二表面內(nèi)還具有至少一第一隔離器件；一所述外圍器件通過一所述第一隔離器件與所述第一存儲器陣列電連接；
29.如權(quán)利要求28所述的工作方法，其特征在于，所述控制晶圓的第二表面內(nèi)還具有至少一第二隔離器件；一所述外圍器件通過一所述第二隔離器件與所述第二存儲器陣列電連接；
30.如權(quán)利要求29所述的工作方法，其特征在于，不通過所述外圍器件調(diào)用所述第二存儲器陣列的步驟包括：關(guān)斷與所述外圍器件相連的第二隔離器件。
31.如權(quán)利要求29所述的工作方法，其特征在于，不通過所述外圍器件調(diào)用所述第一存儲器陣列的步驟包括：關(guān)斷與所述外圍器件相連的第一隔離器件。