本公開涉及顯示，特別涉及顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum?dot?light?emitting?diodes，qled)等電致發(fā)光二極管具有自發(fā)光、低能耗等優(yōu)點(diǎn)，是當(dāng)今電致發(fā)光顯示裝置應(yīng)用研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括：

2、襯底基板，具有多個(gè)子像素；所述多個(gè)子像素中的至少一個(gè)包括像素電路；其中，所述像素電路包括驅(qū)動晶體管、與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接的氧化物晶體管以及與所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述氧化物晶體管電連接的存儲電容；

3、硅半導(dǎo)體層，位于所述襯底基板上；所述硅半導(dǎo)體層包括所述驅(qū)動晶體管的硅有源層；

4、第一導(dǎo)電層，位于所述硅半導(dǎo)體層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第一導(dǎo)電層包括所述驅(qū)動晶體管的柵極；

5、氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述氧化物半導(dǎo)體層包括所述氧化物晶體管的氧化物有源層；

6、第二導(dǎo)電層，位于所述第一導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第二導(dǎo)電層包括存儲導(dǎo)電部和沿第一方向延伸的輔助掃描線；所述存儲導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影與所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影至少部分交疊以形成所述存儲電容；所述輔助掃描線的一部分用于形成所述氧化物晶體管的柵極；

7、第三導(dǎo)電層，位于所述第二導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第三導(dǎo)電層包括第一電源線部和第二連接部；同一所述子像素中，所述氧化物晶體管的第二極通過所述第二連接部與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接；

8、第四導(dǎo)電層，位于所述第三導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第四導(dǎo)電層包括第二電源線部；所述第二電源線部與所述存儲導(dǎo)電部電連接；所述第二電源線部與所述氧化物半導(dǎo)體層至少部分不交疊。

9、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一電源線部位于所述第三導(dǎo)電層，并與所述第二電源線部電連接。

10、可選地，在本公開實(shí)施例中，同一所述子像素中，所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影覆蓋所述第二連接部在所述襯底基板的正投影，所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影超過所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影在第二方向上的兩側(cè)邊緣，且超過所述存儲導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影在所述第二方向上的兩側(cè)邊緣，所述第一方向與所述第二方向相交。

11、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層還包括：間隔設(shè)置的多條第三掃描線；其中，所述第三掃描線沿第一方向延伸且沿第二方向排列；

12、所述子像素還包括數(shù)據(jù)寫入晶體管，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的柵極與所述第三掃描線電連；

13、所述第三掃描線在所述襯底基板的正投影與所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影具有交疊區(qū)域；

14、所述輔助掃描線與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間的距離小于所述輔助掃描線與所述第三掃描線之間的距離；

15、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間的距離小于所述數(shù)據(jù)寫入晶體管與所述氧化物晶體管之間的距離。

16、可選地，在本公開實(shí)施例中，同一所述子像素中，所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影與所述氧化物晶體管的氧化物有源層在所述襯底基板的正投影具有第六交疊區(qū)域，所述第二電源線部在所述襯底基板上的正投影與所述第六交疊區(qū)域交疊。

17、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述子像素還包括：第一發(fā)光控制晶體管和第二發(fā)光控制晶體管；

18、所述硅半導(dǎo)體層還包括所述第一發(fā)光控制晶體管的硅有源層和所述第二發(fā)光控制晶體管的硅有源層；

19、所述第一導(dǎo)電層還包括所述第一發(fā)光控制晶體管的柵極和所述第二發(fā)光控制晶體管的柵極；

20、同一所述子像素中，所述第一電源線部與所述第一發(fā)光控制晶體管的第一極電連接，所述第一發(fā)光控制晶體管的第二極與所述驅(qū)動晶體管的第一極電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的第一極與所述驅(qū)動晶體管的第二極電連接，所述第二發(fā)光控制晶體管的第二極與發(fā)光器件的第一電極電連接。

21、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層還包括間隔設(shè)置的多條發(fā)光控制線；

22、同一所述子像素中，所述發(fā)光控制線在所述襯底基板的正投影位于所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影背離所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影一側(cè)；

23、所述發(fā)光控制線與所述第一發(fā)光控制晶體管的柵極以及所述第二發(fā)光控制晶體管的柵極電連接。

24、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影與所述發(fā)光控制線在所述襯底基板的正投影具有交疊區(qū)域。

25、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第二連接部包括相互電連接的第一導(dǎo)電部和第一主體部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述氧化物晶體管的氧化物有源層電連接；

26、所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影具有交疊區(qū)域，且所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述第三掃描線在所述襯底基板的正投影不交疊，所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影不交疊；

27、所述第一導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影與所述輔助掃描線在所述襯底基板上的正投影不交疊。

28、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層還包括：與所述第二連接部間隔設(shè)置的第一連接部；

29、同一所述子像素中，所述第一連接部與所述氧化物晶體管的氧化物有源層電連接。

30、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一連接部與所述第一導(dǎo)電部之間的距離大于閾值；

31、所述像素電路還包括初始化晶體管；其中，所述初始化晶體管與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接；

32、所述子像素還包括初始化線；

33、所述初始化晶體管與所述初始化線通過第三連接部電連接；

34、所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影與所述第三連接部在所述襯底基板的正投影不交疊。

35、另一方面，本公開實(shí)施例還提供了另一種顯示面板，包括：

36、襯底基板，具有多個(gè)子像素；所述多個(gè)子像素中的至少一個(gè)包括像素電路；其中，所述像素電路包括驅(qū)動晶體管、與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接的氧化物晶體管以及與所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述氧化物晶體管電連接的存儲電容；

37、硅半導(dǎo)體層，位于所述襯底基板上；所述硅半導(dǎo)體層包括所述驅(qū)動晶體管的硅有源層；

38、第一導(dǎo)電層，位于所述硅半導(dǎo)體層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第一導(dǎo)電層包括所述驅(qū)動晶體管的柵極；

39、氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述氧化物半導(dǎo)體層包括所述氧化物晶體管的氧化物有源層；

40、第二導(dǎo)電層，位于所述第一導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第二導(dǎo)電層包括存儲導(dǎo)電部和沿第一方向延伸的輔助掃描線；所述存儲導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影與所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影至少部分交疊以形成所述存儲電容；所述輔助掃描線的一部分用于形成所述氧化物晶體管的柵極；

41、第三導(dǎo)電層，位于所述第二導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第三導(dǎo)電層包括第一電源線部和第二連接部；同一所述子像素中，所述氧化物晶體管的第二極通過所述第二連接部與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接；

42、第四導(dǎo)電層，位于所述第三導(dǎo)電層背離所述襯底基板一側(cè)；所述第四導(dǎo)電層包括第二電源線部；所述第二電源線部與所述存儲導(dǎo)電部電連接；

43、所述第二連接部在所述襯底基板的正投影與所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影不交疊。

44、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一電源線部位于所述第三導(dǎo)電層，并與所述第二電源線部電連接。

45、可選地，在本公開實(shí)施例中，同一所述子像素中，所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影覆蓋所述第二連接部在所述襯底基板的正投影，所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影超過所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影在第二方向上的兩側(cè)邊緣，且超過所述存儲導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影在所述第二方向上的兩側(cè)邊緣，所述第一方向與所述第二方向相交。

46、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層還包括：間隔設(shè)置的多條第三掃描線；其中，所述第三掃描線沿第一方向延伸且沿第二方向排列；

47、所述子像素還包括數(shù)據(jù)寫入晶體管，所述數(shù)據(jù)寫入晶體管的柵極與所述第三掃描線電連；

48、所述第三掃描線在所述襯底基板的正投影與所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影具有交疊區(qū)域；

49、所述輔助掃描線與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間的距離小于所述輔助掃描線與所述第三掃描線之間的距離；

50、所述數(shù)據(jù)寫入晶體管與所述驅(qū)動晶體管的柵極之間的距離小于所述數(shù)據(jù)寫入晶體管與所述氧化物晶體管之間的距離。

51、可選地，在本公開實(shí)施例中，同一所述子像素中，所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影與所述氧化物晶體管的氧化物有源層在所述襯底基板的正投影具有第六交疊區(qū)域，所述第二電源線部在所述襯底基板上的正投影與所述第六交疊區(qū)域交疊。

52、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第二連接部包括相互電連接的第一導(dǎo)電部和第一主體部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述氧化物晶體管的氧化物有源層電連接；

53、所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述驅(qū)動晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影具有交疊區(qū)域，且所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述第三掃描線在所述襯底基板的正投影不交疊，所述第一主體部在所述襯底基板的正投影與所述輔助掃描線在所述襯底基板的正投影不交疊；

54、所述第一導(dǎo)電部在所述襯底基板的正投影與所述輔助掃描線在所述襯底基板上的正投影不交疊。

55、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層還包括：與所述第二連接部間隔設(shè)置的第一連接部；

56、同一所述子像素中，所述第一連接部與所述氧化物晶體管的氧化物有源層電連接。

57、可選地，在本公開實(shí)施例中，所述第一連接部與所述第一導(dǎo)電部之間的距離大于閾值；

58、所述像素電路還包括初始化晶體管；其中，所述初始化晶體管與所述驅(qū)動晶體管的柵極電連接；

59、所述子像素還包括初始化線；

60、所述初始化晶體管與所述初始化線通過第三連接部電連接；

61、所述第二電源線部在所述襯底基板的正投影與所述第三連接部在所述襯底基板的正投影不交疊。

62、另一方面，本公開實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本公開實(shí)施例提供的上述顯示面板。