1.一種功率放大電路，其特征在于，包括：功率放大模塊和偏置控制模塊；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大電路，其特征在于，所述偏置控制模塊包括分壓子電路、整流子電路和控制子電路；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大電路，其特征在于，所述分壓子電路包括第一電容和第二電容；
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大電路，其特征在于，所述整流子電路包括第一二極管、第二二極管和第三電容；
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率放大電路，其特征在于，所述控制子電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率放大電路，其特征在于，所述功率放大電路還包括第四電阻；
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項所述的功率放大電路，其特征在于，所述功率放大模塊包括扼流子電路、放大子電路和匹配子電路；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大電路，其特征在于，所述變壓器耦合子電路包括變壓器，所述放大子電路包括功率開關(guān)管和第四電容，所述扼流子電路包括第一電感，所述匹配子電路包括第二電感和第五電容；
9.一種射頻電源，其特征在于，所述射頻電源包括射頻功率放大器，所述射頻功率放大器包括多級功率放大電路，至少第一級功率放大電路包括權(quán)利要求1～8任一項所述的功率放大電路。
10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的射頻電源、匹配器和工藝腔室，所述射頻電源用于向所述工藝腔室提供電源，所述匹配器用于使所述射頻電源與所述工藝腔室的阻抗匹配。