1.一種電磁波全自動檢測和消除方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的步驟a具體為：當(dāng)兩眼插頭插入插排后，該兩眼插頭的其中一根線通過雙路可控硅輸出電路形成火線的感應(yīng)點(diǎn)m1，所述的檢測電路輸出火線的感應(yīng)點(diǎn)m2，該感應(yīng)點(diǎn)m2與感應(yīng)點(diǎn)m1之間形成感應(yīng)間距；所述的雙路可控硅輸出電路包括第一可控硅輸出電路和第二可控硅輸出電路，所述的第一可控硅輸出電路包括第一光耦器件u2、第一可控硅q1、電阻r4、電阻r5和電阻r6，該第一光耦器件u2的第1引腳串聯(lián)電阻r4后接入vcc-5v，該第一光耦器件u2的第2引腳接入單片機(jī)ic3的第32引腳，該第一光耦器件u2的第4引腳串聯(lián)電阻r5后接入第一可控硅q1的第2接線端，且在該第一可控硅q1的第2接線端形成第二加熱區(qū)域；該第一可控硅q1的第3接線端與電阻r6的一端以及第一光耦器件u2的第6引腳連接，該第一可控硅q1的第1接線端與電阻r6的另一端連接后接入火線的感應(yīng)點(diǎn)m1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的第二可控硅輸出電路包括第二光耦器件u3、第二可控硅q2、電阻r7、電阻r8和電阻r9，該第二光耦器件u3的第1引腳串聯(lián)電阻r7后接入vcc-5v，該第二光耦器件u3的第2引腳接入單片機(jī)ic3的第4引腳，該第二光耦器件u3的第4引腳串聯(lián)電阻r9后接入第二可控硅q2的第2接線端，且在該第二可控硅q2的第2接線端形成第一加熱區(qū)域；該第二可控硅q2的第3接線端與電阻r8的一端以及第二光耦器件u3的第6引腳連接，該第二可控硅q2的第1接線端與電阻r8的另一端連接后接入火線的感應(yīng)點(diǎn)m1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的步驟a具體為：當(dāng)兩眼插頭插入插排后，該兩眼插頭的其中一根線通過單路可控硅輸出電路形成火線的感應(yīng)點(diǎn)m1，所述的單路可控硅輸出電路包括第三光耦器件u21、第三可控硅q3、電阻r71、電阻r51和電阻r34，該第三光耦器件u21的第1引腳接入5v電壓，該第三光耦器件u21的第2引腳串聯(lián)電阻r71后接入單片機(jī)ic3的第25引腳，該第三光耦器件u21的第4引腳接入第三可控硅q3的第3接線端以及電阻r34的一端，所述第三可控硅q3的第1接線端與電阻r34的另一端連接后接入火線的感應(yīng)點(diǎn)m1；該第三光耦器件u21的第6引腳串聯(lián)電阻r51后接入第三可控硅q3的第2接線端，同時(shí)形成加熱區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述兩眼插頭的火線線路還接入非隔離電源電路，該非隔離電源電路包括二極管d13、隔離開關(guān)電源u7、二極管d11、二極管d12、極性電容ce4、極性電容ce5、電容c25、電阻r50和電感，該二極管d13的正極接入所述的火線線路，負(fù)極與極性電容ce4的正極以及隔離開關(guān)電源u7的二極管連接端連接，所述隔離開關(guān)電源u7的電源連接端與二極管d11的負(fù)極以及電容c25的一端連接，所述隔離開關(guān)電源u7的接地端與電容c25的一端、電感的一端以及二極管d12的負(fù)極連接在一起，該電感的另一端與二極管d11的正極、極性電容ce5的正極以及電阻r50的一端連接后接入vcc-5v引腳；所述極性電容ce4的負(fù)極、二極管d12的正極、極性電容ce5的負(fù)極以及電阻r50的另一端均接入零線線路，在該二極管d12的正極以及電阻r11的另一端均形成加熱點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的檢測電路包括達(dá)林頓晶體管q4、電容c31和電阻r60，該達(dá)林頓晶體管q4的發(fā)射極接入vcc-5v，該達(dá)林頓晶體管q4的基極接入感應(yīng)點(diǎn)m2，該達(dá)林頓晶體管q4的集電極與電容c31的一端以及電阻r60的一端連接后接入單片機(jī)u8的第15引腳，該電容c31的另一端與電阻r60的另一端連接后形成加熱點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的檢測電路包括達(dá)林頓晶體管q3、電容c20和電阻r29，該達(dá)林頓晶體管q3的發(fā)射極接入vcc-5v，該達(dá)林頓晶體管3的基極接入感應(yīng)點(diǎn)m2，該達(dá)林頓晶體管q3的集電極與電容c20的一端以及電阻r29的一端連接后接入單片機(jī)ic3的第26引腳，該電容c20的另一端與電阻r29的另一端連接后形成加熱點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法，其特征在于，所述的達(dá)林頓晶體管q3或達(dá)林頓晶體管q4為pnp型。
9.一種電加熱裝置，其特征在于，通過權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的全自動電磁波消除的智能溫控方法進(jìn)行加熱。