本技術(shù)涉及儲(chǔ)能，具體涉及太陽(yáng)能電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)：

1、太陽(yáng)能電池，例如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(perovskite?solar?cells，簡(jiǎn)稱為pscs)，在光伏建筑一體化(building?integrated?photovoltaics，簡(jiǎn)稱為bipv)、車載光伏(carintegrated?photovoltaic，簡(jiǎn)稱為cipv)和穿戴電子設(shè)備等場(chǎng)景下的應(yīng)用需求越來越多，對(duì)于透明、柔性的pscs需求日益增加。然而，受相關(guān)技術(shù)的限制，目前的柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池仍不能滿足要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池組件及其制備方法和太陽(yáng)能電池。

2、本技術(shù)第一方面提供了一種太陽(yáng)能電池組件的制備方法，該制備方法包括：

3、提供一襯底；

4、在襯底的一側(cè)制備第一氧化物層；

5、采用離子束輔助沉積的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層；

6、在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層；

7、在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層；

8、在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層；

9、在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層。

10、在一個(gè)實(shí)施例中，采用離子束輔助沉積的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層包括：在離子束輔助條件下，采用磁控濺射的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層；

11、優(yōu)選地，在離子束輔助條件下，采用磁控濺射的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層包括以下條件中的一種或多種：

12、離子源放電電流為0.1a～3a；

13、直流電壓為110v～130v；

14、離子束輔助的離子源包括氬離子；沉積前真空度為10-3pa～10-6pa；

15、原料包括銀、金和銅中的一種或多種；

16、濺射壓力為0.1pa～2pa；

17、第一金屬層的沉積速率為和，

18、第一金屬層的厚度為0.5nm～3nm；

19、優(yōu)選地，在襯底的一側(cè)制備第一氧化物層、采用離子束輔助沉積的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層、在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層、在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層、在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層和在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層均采用鍍膜工藝。

20、在一個(gè)實(shí)施例中，在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層包括：采用磁控濺射的方式在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層；

21、優(yōu)選地，采用磁控濺射的方式在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層包括以下條件中的一種或多種：

22、沉積前真空度為10-3pa～10-6pa；

23、濺射氣體包括氬氣；

24、濺射壓力為0.1pa～2pa；

25、原料包括銀；和，

26、第二金屬層的厚度為1nm～10nm；

27、優(yōu)選地，采用離子束輔助沉積的方式在第一氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層和在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層在同一設(shè)備中進(jìn)行。

28、在一個(gè)實(shí)施例中，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層包括：

29、在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層，每層光活性材料層的材料為單一材料；

30、對(duì)多層光活性材料層進(jìn)行退火處理，得到光活性層；

31、優(yōu)選地，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層包括：以碘化銫、碘化甲胺和碘化甲脒中的一種或多種和碘化鉛為原料，采用熱蒸鍍的方式在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層；

32、優(yōu)選地，采用熱蒸鍍的方式在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層滿足以下條件：蒸鍍前真空度為10-4pa～10-5pa；

33、優(yōu)選地，每層光活性材料層的制備方式為單源蒸鍍，每層光活性材料層的厚度為0.5nm～30nm，光活性層的厚度為200nm～800nm；

34、優(yōu)選地，對(duì)多層光活性材料層進(jìn)行退火處理的條件包括：退火溫度為100℃～300℃，退火時(shí)間為2分鐘～30分鐘。

35、在一個(gè)實(shí)施例中，在襯底的一側(cè)制備第一氧化物層包括：采用電子束蒸鍍的方式在襯底的一側(cè)制備第一氧化物層；

36、優(yōu)選地，采用電子束蒸鍍的方式在襯底的一側(cè)制備第一氧化物層包括以下條件中的一種或多種：

37、蒸鍍前真空度為10-3pa～10-4pa；

38、原料包括氧化鋅、氧化鎢和氧化鉬中的一種或多種；

39、蒸鍍速率控制為和，

40、第一氧化物層的厚度為5nm～50nm；

41、優(yōu)選地，在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層包括：采用電子束蒸鍍的方式在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層；

42、優(yōu)選地，采用電子束蒸鍍的方式在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層包括以下條件中的一種或多種：

43、沉積前真空度為10-3pa～10-4pa；

44、原料包括氧化鋅、氧化鎢和氧化鉬中的一種或多種；

45、蒸鍍速率控制為和，

46、第二氧化物層的厚度為5nm～50nm；

47、優(yōu)選地，在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二氧化物層之后，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層之前，還包括：在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一傳輸層；

48、優(yōu)選地，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一傳輸層包括：采用磁控濺射的方式在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一傳輸層；

49、優(yōu)選地，采用磁控濺射的方式在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一傳輸層包括以下條件中的一種或多種：

50、氣氛為惰性氣體和氧氣的混合氣，氧氣占比為0.01％～2％；

51、氣壓為1mtorr～8mtorr；

52、第一傳輸層的沉積速率為和，

53、厚度為5nm～40nm；

54、優(yōu)選地，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層之后，在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層之前，還包括：

55、在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二傳輸層；

56、優(yōu)選地，在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二傳輸層包括：采用熱蒸鍍的方式在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二傳輸層；

57、優(yōu)選地，采用熱蒸鍍的方式在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二傳輸層的條件包括：蒸鍍速率為

58、優(yōu)選地，在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層包括：采用熱蒸鍍的方式在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層；

59、優(yōu)選地，在第二氧化物層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備光活性層、在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二傳輸層以及在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層在同一個(gè)設(shè)備中進(jìn)行。

60、本技術(shù)第二方面提供了一種太陽(yáng)能電池組件的制備方法，包括：

61、提供一襯底；

62、在襯底的一側(cè)制備第一電極層；

63、在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層，每層光活性材料層的材料為單一材料；

64、對(duì)多層光活性材料層進(jìn)行退火處理，得到光活性層；

65、在光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二電極層。

66、在一個(gè)實(shí)施例中，在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層包括：以碘化銫、碘化甲胺和碘化甲脒中的一種或多種和碘化鉛為原料，采用熱蒸鍍的方式在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層；

67、優(yōu)選地，采用熱蒸鍍的方式在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備層疊設(shè)置的多層光活性材料層滿足以下條件：蒸鍍前真空度為10-4pa～10-5pa；

68、優(yōu)選地，每層光活性材料層的制備方式為單源蒸鍍，每層光活性材料層的厚度為0.5nm～30nm，光活性層的厚度為200nm～800nm；

69、優(yōu)選地，對(duì)多層光活性材料層進(jìn)行退火處理的條件包括：退火溫度為100℃～300℃，退火時(shí)間為2分鐘～30分鐘。

70、本技術(shù)第三方面提供了一種太陽(yáng)能電池組件，包括：

71、襯底；

72、第一電極層，位于襯底的一側(cè)，第一電極層包括第一氧化物層、第一金屬層、第二金屬層和第二氧化物層，第一氧化物層位于第一金屬層靠近襯底的一側(cè)；

73、光活性層，位于第一電極層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)；

74、第二電極層，位于光活性層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)；

75、第一電極層的面電阻為5ω～35ω。

76、在一個(gè)實(shí)施例中，第一電極層的面電阻為5ω～10ω；

77、優(yōu)選地，第一金屬層的厚度為0.5nm～3nm；

78、優(yōu)選地，第二金屬層的厚度為1nm～10nm；

79、優(yōu)選地，第一金屬層包括銀、金和銅中的一種或多種；

80、優(yōu)選地，第二金屬層包括銀；

81、優(yōu)選地，第一電極層的對(duì)400～800nm波長(zhǎng)的光的透過率為70～90％。

82、本技術(shù)第四方面提供了一種太陽(yáng)能電池，包括上述的制備方法制備得到的太陽(yáng)能電池組件，或者，包括上述的太陽(yáng)能電池組件。

83、本技術(shù)第四方面提供了一種太陽(yáng)能電池，包括上述的太陽(yáng)能電池組件。

84、本技術(shù)實(shí)施例的太陽(yáng)能電池組件的制備方法中，利用離子束輔助沉積，離子束對(duì)第一金屬層有一定的轟擊效果，使得第一金屬層比較致密，利于后續(xù)第二金屬層的生長(zhǎng)，利于得到致密的、整面完整的且厚度較薄的第二金屬層，進(jìn)而使得層疊設(shè)置的第一氧化物層、第一金屬層、第二金屬層和第二氧化物層形成的電極層的透過率較高、面電阻較低、機(jī)械柔韌性較強(qiáng)，從而利于獲得耐彎折、透明度高且光電轉(zhuǎn)換效率(power?conversionefficiency,簡(jiǎn)稱為pce)較高的太陽(yáng)能電池組件。