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      一種顯示模組、制作方法以及顯示裝置與流程

      文檔序號(hào):40282760發(fā)布日期:2024-12-11 13:24閱讀:來源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種顯示模組,顯示模組包括顯示區(qū)、至少部分環(huán)繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)、與所述非顯示區(qū)一端連接的彎折區(qū)和與所述彎折區(qū)連接的綁定區(qū),其特征在于,所述顯示模組包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組,其特征在于,所述走線層在襯底的正投影位于所述彎折區(qū)的兩側(cè)端部和所述彎折區(qū)的中心區(qū)域,所述保護(hù)層在所述襯底的正投影的投影塊分別覆蓋位于所述彎折區(qū)的兩側(cè)端部和所述彎折區(qū)的中心區(qū)域的走線層在所述襯底的正投影。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示模組,其特征在于,在所述彎折區(qū)在所述襯底的正投影中,所述彎折區(qū)的兩側(cè)端部包括位于一側(cè)邊緣的第一端部和與所述第一端部沿第一方向相對(duì)設(shè)置的位于另一邊緣的第二端部,

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示模組,其特征在于,與所述第一方向垂直的方向?yàn)榈诙较颍?/p>

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示模組,其特征在于,所述顯示模組還包括圍繞所述第一保護(hù)部、第二保護(hù)部和第三保護(hù)部中一個(gè)或多個(gè)的阻擋壩,所述阻擋壩在襯底的正投影環(huán)繞所圍繞的保護(hù)部,所述阻擋壩的高度高于所述阻擋壩所圍繞的保護(hù)部的高度,所述阻擋壩的粘度大于所述保護(hù)層的粘度。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示模組,其特征在于,

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示模組,其特征在于,所述阻擋壩的每一阻擋邊界的寬度lmcl的計(jì)算公式為:

      8.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的顯示模組,其特征在于,所述偏光層包括與所述顯示發(fā)光層貼合的偏光底面、與所述偏光底面相對(duì)的偏光頂面、以及垂直于所述偏光底面和偏光頂面的偏光側(cè)面,所述偏光側(cè)面位于所述偏光層靠近所述保護(hù)層的一側(cè),

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示模組,其特征在于,所述第一吸收槽沿第二方向且從所述偏光側(cè)面朝向顯示區(qū)的方向延伸的長(zhǎng)度為第一吸收槽的槽深距離,

      10.根據(jù)權(quán)利要求1~4或8中任一項(xiàng)所述的顯示模組,其特征在于,所述顯示發(fā)光層靠近所述偏光層一側(cè)的表面設(shè)置有第二吸收槽,所述第二吸收槽從所述顯示發(fā)光層靠近所述偏光層一側(cè)的表面向襯底的方向延伸,

      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示模組,其特征在于,所述顯示模組還包括位于所述封裝層和所述偏光層之間的至少一層無機(jī)膜層,所述第二吸收槽設(shè)置在最靠近所述偏光層的無機(jī)膜層的靠近所述偏光片一側(cè)的表面。

      12.一種顯示裝置,其特征在于,顯示裝置包括權(quán)利要求1~11中任一項(xiàng)所述的顯示模組。

      13.一種制作權(quán)利要求1~11中任一項(xiàng)所述顯示模組的方法,其特征在于,所述方法包括:


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開一種顯示模組、制作方法以及顯示裝置。其中一實(shí)施例的顯示模組包括顯示區(qū)、至少部分環(huán)繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)、與所述非顯示區(qū)一端連接的彎折區(qū)和與所述彎折區(qū)連接的綁定區(qū),顯示模組包括襯底;位于顯示區(qū)的襯底上的顯示發(fā)光層;位于所述非顯示區(qū)、所述彎折區(qū)和所述綁定區(qū)的襯底上的走線層,所述走線層與所述顯示發(fā)光層電連接;位于所述顯示發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的偏光層;位于所述彎折區(qū)的走線層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的保護(hù)層;以及與所述綁定區(qū)綁定的驅(qū)動(dòng)芯片,所述綁定區(qū)與驅(qū)動(dòng)芯片綁定的綁定邊界的延伸方向?yàn)榈谝环较?,所述保護(hù)層在襯底的正投影在所述第一方向上包括多個(gè)具有間隔的投影塊。

      技術(shù)研發(fā)人員:林帥,高亮,石慧男,李康,李非凡,張旋,楊洋,杜永強(qiáng),雷爽,李鑫,張浩
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:京東方科技集團(tuán)股份有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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