本發(fā)明屬于太陽能電池,具體涉及金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜、制備方法、鈣鈦礦層和鈣鈦礦層的應(yīng)用。
背景技術(shù):
1、在光伏領(lǐng)域,有機-無機雜化的鈣鈦礦太陽能電池因其具有成本低、效率高、能夠采用低溫溶液法制備的優(yōu)勢而得到迅速發(fā)展,目前其光電轉(zhuǎn)化效率平均值為23%,表現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2、高效率fapbi3鈣鈦礦薄膜的常用制備方法主要分為一步法(pbi2和fai溶于dmf和dmso的混合溶劑中一次旋涂并滴加反溶劑成膜)和兩步法(pbi2溶于dmf和dmso的混合溶劑中先旋涂成膜,再將fai溶于ipa在pbi2膜上旋涂與之反應(yīng))。一般情況下,一步法具有兩個問題:反溶劑滴加不穩(wěn)定,每一次操作具有不可控變量造成的誤差;容易生成復(fù)雜中間相,不利于α相轉(zhuǎn)變。相對地,兩步法沒有涉及反溶劑,操作簡單穩(wěn)定,且能夠通過調(diào)整每一步制備參數(shù)更好地優(yōu)化鈣鈦礦薄膜的形貌和質(zhì)量,此外兩步法中第二步所使用的異丙醇溶劑抑制了復(fù)雜中間相的形成,有助于最終轉(zhuǎn)化為高結(jié)晶的fapbi3相。
3、盡管兩步法能夠解決一步法涉及的反溶劑與復(fù)雜中間相問題,但兩步法制備工藝仍面臨pbi2超量殘留的難題。研究表明,fapbi3鈣鈦礦薄膜中含有適量pbi2的優(yōu)點在于:pbi2會增加fapbi3鈣鈦礦晶粒尺寸,同時pbi2的鈍化作用會降低fapbi3鈣鈦礦薄膜內(nèi)部的載流子復(fù)合,提高載流子壽命,因此在制備fapbi3鈣鈦礦薄膜時,fapbi3鈣鈦礦薄膜中需要pbi2的適當過量;而fapbi3鈣鈦礦薄膜中含有pbi2后也帶來了明顯的缺點,即在光和熱作用下,pbi2容易分解為氣態(tài)i2和金屬鉛,并作為觸發(fā)鈣鈦礦分解的位點,加速fapbi3鈣鈦礦薄膜中的非輻射復(fù)合和離子遷移,使得fapbi3鈣鈦礦薄膜的穩(wěn)定性下降。因此最佳狀態(tài)是:fapbi3鈣鈦礦薄膜中既需要pbi2的適當過量,又不能使得pbi2超量。
4、現(xiàn)有技術(shù)中pbi2超量殘留的原因在于:沉積的pbi2薄膜過于致密,能夠?qū)崿F(xiàn)表層pbi2與fai反應(yīng),而不利于下層pbi2與fai反應(yīng),導(dǎo)致形成的fapbi3鈣鈦礦薄膜中存在超量的pbi2,目前還尚未有解決pbi2超量問題的有效方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜、制備方法、鈣鈦礦層和鈣鈦礦層的應(yīng)用,本發(fā)明將金屬納米晶植入至pbi2中,金屬納米晶提供形核位點,調(diào)控結(jié)晶情況實現(xiàn)造孔,得到金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜,多孔結(jié)構(gòu)增大了fai前驅(qū)體溶液與pbi2的接觸面積,實現(xiàn)fai前驅(qū)體溶液與表層和下層的pbi2均能夠進行反應(yīng),克服了因下層pbi2無法與fai反應(yīng)導(dǎo)致的pbi2超量問題,同時金屬納米晶提升了鈣鈦礦太陽能電池的導(dǎo)電性,繼而共同實現(xiàn)了鈣鈦礦太陽能電池穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率的提高。
2、本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
3、金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜的制備方法,包括如下步驟:
4、s1、將金屬靶材浸沒至溶劑中,采用液相激光輻照金屬靶材,同時進行超聲,制備金屬納米晶膠體溶液;
5、其中,金屬靶材選自金靶材、銀靶材或銅靶材;此三種靶材均具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能,提升鈣鈦礦層的電子傳輸能力;
6、s2、將金屬納米晶膠體溶液加入至碘化鉛溶液中,然后依次經(jīng)過旋涂、熱處理,得到金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜。
7、優(yōu)選的,溶劑為非水溶劑,金屬納米晶膠體能夠有效溶解于非水的有機溶劑中。
8、優(yōu)選的,溶劑為n,n-二甲基甲酰胺,在n,n-二甲基甲酰胺中能夠?qū)崿F(xiàn)金屬納米晶的均勻分散。
9、優(yōu)選的,液相激光輻照技術(shù)的激光發(fā)射波長為1064nm,激光輻照范圍為0.8-1.3cm。
10、優(yōu)選的,液相激光輻照的條件為:于環(huán)境溫度為0~25℃、激光輻照能量為0.8-1.2j下,激光輻照10~20s。
11、優(yōu)選的,碘化鉛溶液的濃度為1.4-1.5mol/l,金屬納米晶膠體溶液中金屬納米晶的量為0.01-0.1g/l,碘化鉛溶液與金屬納米晶膠體溶液的體積比為100:1-6;納米晶過多會提供過量形核位點,使金屬納米晶晶粒致密,不利于后續(xù)反應(yīng);納米晶過少對金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜的形核調(diào)控效果較弱。
12、優(yōu)選的,碘化鉛溶液的溶劑由n,n-二甲基甲酰胺和二甲基亞砜組成,且二者的體積比為9:1。
13、優(yōu)選的,熱處理的條件為:于60-70℃下加熱1-2min;溫度較高、時間較長會使退火中快速結(jié)晶出的條狀碘化鉛晶粒繼續(xù)生長,導(dǎo)致交疊生長的晶粒間孔隙變小,在極端情況下甚至產(chǎn)生特別大的晶粒,影響第二步反應(yīng);溫度較低、時間較短則濕膜中的溶劑揮發(fā)不徹底,導(dǎo)致第二步fai前驅(qū)體溶液滴加旋涂時有dmf、dmso殘留,影響成膜。
14、本發(fā)明還保護了上述制備方法制得的金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜。
15、本發(fā)明還保護了基于金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜制備的鈣鈦礦層,鈣鈦礦層按照如下步驟制備:于金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜上旋涂fai前驅(qū)體溶液,然后于140-160℃下熱處理13-17min,得到鈣鈦礦層;
16、其中,fai前驅(qū)體溶液的溶質(zhì)由甲脒氫碘酸鹽、甲胺氯和丙胺氯組成,三者的質(zhì)量比為30:5:1。
17、本發(fā)明還保護了鈣鈦礦層在制備鈣鈦礦太陽能電池中的應(yīng)用,鈣鈦礦太陽能電池由金屬電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層和透明導(dǎo)電基體依次層疊設(shè)置;
18、其中,電子傳輸層為二氧化錫電子傳輸層,于所述二氧化錫電子傳輸層上沉積金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜;
19、鈣鈦礦太陽能電池按照如下步驟制備:
20、s1、將四氯化錫滴加至冷凍去離子水中混合均勻,待冰完全融化,得到混合溶液i,將混合溶液i進行熱處理,然后依次經(jīng)靜置冷卻、離心、低溫超聲分散,得到二氧化錫膠體溶液,將二氧化錫膠體溶液超聲后過濾,再均勻旋涂在透明導(dǎo)電基體上,退火后得到負載二氧化錫電子傳輸層的透明導(dǎo)電基體;
21、步驟s1中二氧化錫膠體溶液的濃度為0.05-0.1mol/l;
22、步驟s1中冷凍去離子水為冰、低于4℃的水或者是冰水混合物,體積為10-20ml;
23、步驟s1的冷凍去離子水中加入四氯化錫的量為100-120μl;
24、步驟s1中熱處理溫度為90-100℃,熱處理時間為90-120min;
25、步驟s1中離心次數(shù)為5-6次,轉(zhuǎn)速為5000-6000r/min,離心時間為5-6min,每次離心結(jié)束后,移去全部上清液,然后加入10-20ml乙醇并重復(fù)上述流程;
26、步驟s1中過濾的濾頭為450nm濾頭;
27、步驟s1中旋涂二氧化錫膠體溶液的轉(zhuǎn)速為2000-3000r/min;
28、步驟s1中退火溫度為90-150℃,退火時間為30-90min;
29、s2、在溶劑中放入金屬靶材,激光輻照金屬靶材,同時進行超聲,制備金屬納米晶膠體溶液;
30、s3、將金屬納米晶膠體溶液加入至碘化鉛溶液中,得到混合液,然后將混合液旋涂在負載二氧化錫電子傳輸層的透明導(dǎo)電基體上,熱處理后形成金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜;將fai前驅(qū)體溶液旋涂到金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜上,在空氣手套箱中退火,得到鈣鈦礦層;在鈣鈦礦層上旋涂鈍化層和空穴傳輸層,最后在空穴傳輸層上熱蒸鍍金屬電極,制備得到鈣鈦礦太陽能電池;
31、步驟s3中,混合液的旋涂速率為1500-1800r/min;
32、步驟s3中fai前驅(qū)體溶液的溶質(zhì)由甲脒氫碘酸鹽、甲胺氯和丙胺氯組成,三者的質(zhì)量比為30:5:1,fai前驅(qū)體溶液的濃度為0.5-0.6mol/l,溶劑為異丙醇;
33、步驟s3中fai前驅(qū)體溶液的旋涂速率為2000-3000r/min;
34、步驟s3中退火溫度為150℃,退火時間為10-15min,濕度條件為rh30-40;
35、步驟s3中鈍化層的溶質(zhì)為苯乙基碘化胺,濃度為0.02mol/l,溶劑為異丙醇;
36、步驟s3中苯乙基碘化胺溶液的旋涂速率為4000-5000r/min;
37、步驟s3中空穴傳輸層的溶質(zhì)為2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴,濃度為0.05mmol/ml,溶劑為氯苯;
38、步驟s3中2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液的旋涂速率為4000-5000r/min。
39、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:
40、1、本發(fā)明采用金屬納米晶植入至碘化鉛中,首次發(fā)現(xiàn)制備出了具有多孔結(jié)構(gòu)的金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜,其為非致密結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有致密的碘化鉛層相比,多孔結(jié)構(gòu)增大了fai前驅(qū)體溶液與pbi2的接觸面積,實現(xiàn)fai前驅(qū)體溶液與表層和下層的pbi2均能夠進行反應(yīng),有效減少了未反應(yīng)的碘化鉛,克服了下層pbi2無法與fai反應(yīng)導(dǎo)致的超量問題,繼而獲得了穩(wěn)定性優(yōu)異的鈣鈦礦層,使得鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率也得到了提高。
41、2、本發(fā)明采用金屬納米晶植入至碘化鉛中,一方面實現(xiàn)的是金屬納米晶的摻雜,金屬納米晶與碘化鉛晶粒失配度較小,而與鈣鈦礦晶粒失配度較大,在完成第一步碘化鉛的調(diào)控結(jié)晶后,金屬納米晶會在第二步退火時在fapbi3鈣鈦礦晶粒的表界面團聚,通過影響載流子動力學(xué)減少非輻射復(fù)合;另一方面獲得了多孔的金屬納米晶植入的碘化鉛層,更多孔隙使第二步反應(yīng)更充分,退火后未反應(yīng)的碘化鉛明顯減少,幾乎沒有未反應(yīng)碘化鉛分解而來的鉛單質(zhì)、碘單質(zhì),穩(wěn)定性得到有效提高。
42、3、本發(fā)明還采用金屬納米晶植入的多孔pbi2薄膜與fai前驅(qū)體溶液通過兩步法反應(yīng)得到fapbi3鈣鈦礦薄膜,并以fapbi3鈣鈦礦薄膜為鈣鈦礦層制備了鈣鈦礦太陽能電池,鈣鈦礦太陽能電池的效率高、穩(wěn)定性好,效率最高達到25.18%,改善了低溫溶液法制備鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率及穩(wěn)定性,具有較高的應(yīng)用前景。