本公開涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置是顯示圖像的裝置，并且最近，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器已受到關(guān)注。由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)射特性并且不需要單獨(dú)的光源，因此與液晶顯示裝置不同，能夠減小其厚度和重量。此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有諸如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的高品質(zhì)特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可包括：襯底；半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層位于襯底上；第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)體，第一導(dǎo)體位于第一絕緣層上；第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋第一導(dǎo)體；第二導(dǎo)體，第二導(dǎo)體位于第二絕緣層上；第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋第二導(dǎo)體；以及第三導(dǎo)體，第三導(dǎo)體位于第三絕緣層上，其中，半導(dǎo)體層包括摻雜區(qū)域和未摻雜區(qū)域，未摻雜區(qū)域包括驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道、第二晶體管的溝道、第一個(gè)第四晶體管的溝道和第二個(gè)第四晶體管的溝道，摻雜區(qū)域包括驅(qū)動(dòng)晶體管的第一電極和第二電極、第二晶體管的第一電極和第二電極、第一個(gè)第四晶體管的第一電極和第二電極以及第二個(gè)第四晶體管的第一電極和第二電極，第一導(dǎo)體包括驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極、掃描線和前一掃描線，第三導(dǎo)體包括數(shù)據(jù)線，第二晶體管電連接到掃描線和數(shù)據(jù)線，第二晶體管的第二電極直接連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的第一電極，第一個(gè)第四晶體管和第二個(gè)第四晶體管電連接到前一掃描線，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極直接連接到第一個(gè)第四晶體管的第一電極，在平面圖中驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道和布置在半導(dǎo)體層的摻雜區(qū)域中的第一個(gè)第四晶體管的第一電極的一部分重疊，并且在平面圖中前一掃描線與布置在半導(dǎo)體層的摻雜區(qū)域中的第一個(gè)第四晶體管的第二電極、布置在半導(dǎo)體層的摻雜區(qū)域中的第二個(gè)第四晶體管的第一電極、布置在半導(dǎo)體層的未摻雜區(qū)域中的第一個(gè)第四晶體管的溝道以及布置在半導(dǎo)體層的未摻雜區(qū)域中的第二個(gè)第四晶體管的溝道重疊。

2、第一個(gè)第四晶體管的第二電極、第二個(gè)第四晶體管的第一電極、第一個(gè)第四晶體管的溝道和第二個(gè)第四晶體管的溝道分別具有在一個(gè)方向上延伸的直線結(jié)構(gòu)。

3、前一掃描線包括覆蓋第一個(gè)第四晶體管的第二電極、第二個(gè)第四晶體管的第一電極、第一個(gè)第四晶體管的溝道和第二個(gè)第四晶體管的溝道的擴(kuò)展區(qū)域。

4、半導(dǎo)體層還包括第一擴(kuò)展部，第一絕緣層包括暴露第一擴(kuò)展部的第一開口，以及驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極通過第一開口與第一擴(kuò)展部直接連接。

5、第二導(dǎo)體包括具有擴(kuò)展的部分的維持線，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極重疊的維持線的擴(kuò)展的部分以及位于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與維持線的擴(kuò)展的部分之間的第二絕緣層一起形成存儲(chǔ)電容器。

6、維持線施加有驅(qū)動(dòng)電壓。

7、第三導(dǎo)體還包括驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)電壓線包括擴(kuò)展部，驅(qū)動(dòng)電壓線的擴(kuò)展部通過第三絕緣層中的開口與維持線直接連接。

8、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，還包括第三晶體管，第三晶體管包括串聯(lián)連接的第一個(gè)第三晶體管和第二個(gè)第三晶體管，其中，驅(qū)動(dòng)電壓線的擴(kuò)展部覆蓋第一個(gè)第三晶體管和第二個(gè)第三晶體管的連接部分的至少一部分。

9、連接部分位于半導(dǎo)體層的未摻雜區(qū)域中。

10、半導(dǎo)體層具有半導(dǎo)體層穿過第二個(gè)第三晶體管的溝道且然后在向上延伸的同時(shí)向左彎曲，且然后向下彎曲并穿過第一個(gè)第三晶體管的溝道的結(jié)構(gòu)，以及掃描線與第二個(gè)第三晶體管的溝道和第一個(gè)第三晶體管的溝道重疊。

11、半導(dǎo)體層的第一擴(kuò)展部在穿過第一個(gè)第三晶體管的溝道之后布置。

12、半導(dǎo)體層穿過第一個(gè)第三晶體管的溝道且然后向左彎曲，且然后在再次向上彎曲的同時(shí)依次與第一個(gè)第四晶體管的溝道和第二個(gè)第四晶體管的溝道相遇。

13、第一導(dǎo)體還包括初始化電壓線，半導(dǎo)體層還包括第二擴(kuò)展部，第一絕緣層包括暴露第二擴(kuò)展部的第二開口，初始化電壓線通過第二開口與第二擴(kuò)展部直接連接，以及第二擴(kuò)展部是第二個(gè)第四晶體管的第二電極的一部分。

14、第三導(dǎo)體還包括驅(qū)動(dòng)電壓線，一個(gè)像素包括：發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光元件，第二晶體管，第二晶體管接收來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓，以及驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件。

15、第一導(dǎo)體還包括發(fā)光控制線，像素還包括連接到發(fā)光控制線的第五晶體管和第六晶體管。

16、像素還包括：串聯(lián)連接的第一個(gè)第三晶體管和第二個(gè)第三晶體管；以及串聯(lián)連接的第一個(gè)第四晶體管和第二個(gè)第四晶體管。

17、根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可包括襯底、布置在襯底上的半導(dǎo)體層、覆蓋半導(dǎo)體層的第一絕緣層、布置在第一絕緣層上的第一導(dǎo)體、覆蓋第一導(dǎo)體的第二絕緣層、布置在第二絕緣層上的第二導(dǎo)體、覆蓋第二導(dǎo)體的第三絕緣層以及布置在第三絕緣層上的第三導(dǎo)體，其中，半導(dǎo)體層包括摻雜區(qū)域和未摻雜區(qū)域，并且在與第一導(dǎo)體重疊的半導(dǎo)體層中，摻雜區(qū)域布置在未摻雜區(qū)域之間。

18、第(4-1)晶體管的溝道和第(4-2)晶體管的溝道可分別布置在布置于摻雜區(qū)域的相對(duì)側(cè)處的未摻雜區(qū)域中，并且第(4-1)晶體管的一個(gè)電極和第(4-2)晶體管的一個(gè)電極可布置在摻雜區(qū)域中。

19、第(4-2)晶體管的第一電極和第(4-1)晶體管的第二電極可布置在摻雜區(qū)域中。

20、包括未摻雜區(qū)域和布置在未摻雜區(qū)域之間的摻雜區(qū)域的半導(dǎo)體層可具有在一個(gè)方向上延伸的直線結(jié)構(gòu)。

21、第一導(dǎo)體可包括前一掃描線，并且前一掃描線可包括覆蓋摻雜區(qū)域和未摻雜區(qū)域的擴(kuò)展區(qū)域。

22、半導(dǎo)體層還可包括擴(kuò)展部，第一絕緣層可包括暴露擴(kuò)展部的開口，并且第一導(dǎo)體可通過開口與擴(kuò)展部直接連接。

23、第一導(dǎo)體可為驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極。

24、第二導(dǎo)體可包括具有擴(kuò)展的部分的維持線，并且驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極可與和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極重疊的維持線的擴(kuò)展的部分以及布置在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與維持線的擴(kuò)展的部分之間的第二絕緣層一起形成存儲(chǔ)電容器。

25、維持線可施加有驅(qū)動(dòng)電壓。

26、第三導(dǎo)體可包括驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)電壓線包括擴(kuò)展部，并且驅(qū)動(dòng)電壓線的擴(kuò)展部可通過形成在第三絕緣層中的開口與維持線直接連接。

27、驅(qū)動(dòng)電壓線的擴(kuò)展部可覆蓋串聯(lián)連接的第(3-1)晶體管和第(3-2)晶體管的連接部分的至少一部分。

28、連接部分可布置在半導(dǎo)體層中，并且未被摻雜。

29、第一導(dǎo)體還可包括掃描線，半導(dǎo)體層可具有使半導(dǎo)體層穿過第(3-2)晶體管的溝道且然后在向上延伸的同時(shí)向左彎曲，且然后向下彎曲并穿過第(3-1)晶體管的溝道的結(jié)構(gòu)，并且掃描線可與第(3-2)晶體管的溝道和第(3-1)晶體管的溝道重疊。

30、半導(dǎo)體層的擴(kuò)展部在穿過第(3-1)晶體管的溝道之后布置。

31、半導(dǎo)體層可穿過第(3-1)晶體管的溝道且然后向左彎曲，且然后可在再次向上彎曲的同時(shí)依次與第(4-1)晶體管的溝道和第(4-2)晶體管的溝道相遇。

32、半導(dǎo)體層還可包括第二擴(kuò)展部，第一絕緣層可包括暴露第二擴(kuò)展部的開口，并且第一導(dǎo)體可通過開口與第二擴(kuò)展部直接連接。

33、第一導(dǎo)體為初始化電壓線。

34、第一導(dǎo)體可包括掃描線、前一掃描線和初始化電壓線，第三導(dǎo)體包括數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線，并且一個(gè)像素包括發(fā)光的有機(jī)發(fā)光元件、與掃描線和數(shù)據(jù)線連接的第二晶體管以及將電流施加到有機(jī)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管。

35、第一導(dǎo)體還可包括發(fā)光控制線，并且像素還可包括連接到發(fā)光控制線的第五晶體管和第六晶體管。

36、像素還可包括串聯(lián)連接的第(3-1)晶體管和第(3-2)晶體管以及串聯(lián)連接的第(4-1)晶體管和第(4-2)晶體管。

37、根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法可包括：在襯底上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成摻雜掩模并摻雜半導(dǎo)體層；去除摻雜掩模；形成覆蓋半導(dǎo)體層的第一絕緣層；在第一絕緣層上形成第一導(dǎo)體；通過使用第一導(dǎo)體作為掩模來摻雜半導(dǎo)體層；形成覆蓋第一導(dǎo)體的第二絕緣層；在第二絕緣層上形成第二導(dǎo)體；形成覆蓋第二導(dǎo)體的第三絕緣層；在第三絕緣層上形成第三導(dǎo)體；形成覆蓋第三導(dǎo)體的鈍化層；在鈍化層上形成像素電極。

38、在襯底上形成半導(dǎo)體層可包括通過使用第一掩模形成非晶硅層，并且然后將非晶硅層結(jié)晶成多晶半導(dǎo)體。

39、在半導(dǎo)體層上形成摻雜掩模并摻雜半導(dǎo)體層可包括通過使用第二掩模形成摻雜掩模，并且然后用雜質(zhì)摻雜暴露的半導(dǎo)體層。

40、在去除摻雜掩模中，可以通過使用剝離器去除摻雜掩模。

41、形成覆蓋半導(dǎo)體層的第一絕緣層可包括通過使用第三掩模在第一絕緣層處形成開口。

42、在第一絕緣層上形成第一導(dǎo)體中，可以通過使用第四掩模形成第一導(dǎo)體。

43、第一導(dǎo)體可包括掃描線、前一掃描線、發(fā)光控制線、初始化電壓線和柵電極。

44、在第二絕緣層上形成第二導(dǎo)體中，可以通過使用第五掩模形成第二導(dǎo)體。

45、第二導(dǎo)體可以包括維持線，該維持線包括用作第一存儲(chǔ)電極的擴(kuò)展部。

46、形成覆蓋第二導(dǎo)體的第三絕緣層可包括通過使用第六掩模在第三絕緣層處形成開口。

47、由第六掩模形成的開口可包括也形成在第一絕緣層中的開口，并且第二絕緣層布置在第三絕緣層下方。

48、第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層中的開口可暴露半導(dǎo)體層的一部分，并且通過半導(dǎo)體層的暴露部分，半導(dǎo)體層可接收數(shù)據(jù)電壓或驅(qū)動(dòng)電壓，或者可施加驅(qū)動(dòng)電流。

49、由第六掩模形成的開口可包括僅形成在第三絕緣層中的開口，并且由第六掩模形成的開口可暴露用作第一存儲(chǔ)電極的維持線的擴(kuò)展部。

50、在第三絕緣層上形成第三導(dǎo)體中，可通過使用第七掩模形成第三導(dǎo)體。

51、第三導(dǎo)體可包括數(shù)據(jù)線、驅(qū)動(dòng)電壓線和數(shù)據(jù)連接件。

52、形成覆蓋第三導(dǎo)體的鈍化層可以包括通過使用第八掩模在鈍化層處形成開口。

53、在鈍化層上形成像素電極可包括通過使用第九掩模形成像素電極。

54、制造方法還可包括形成圍繞像素電極的間隔壁。

55、制造方法還可包括在襯底上形成半導(dǎo)體層之前，在襯底上形成緩沖層。

56、制造方法還可包括在襯底上形成緩沖層之前，在襯底上形成阻擋層。