1.一種基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，包括襯底，其特征在于，在襯底上由gan層和scaln層疊加構(gòu)成scaln/gan異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述scaln/gan異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)，柵極位于溝道區(qū)之上，溝道區(qū)的兩端分別為源自旋注入隧穿結(jié)和漏自旋注入隧穿結(jié)；其中，所述柵極包括柵介質(zhì)層和柵極金屬層，所述柵介質(zhì)層位于scaln層和柵極金屬層之間；所述自旋注入隧穿結(jié)由電子隧穿層和其上的自旋注入金屬層組成，位于源漏自旋注入隧穿結(jié)之下的scaln層厚度在2~7?nm，構(gòu)成所述自旋注入金屬層的鐵磁金屬材料的居里溫度高于室溫。
2.如權(quán)利要求1所述的基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，其特征在于，所述襯底為硅襯底或藍寶石襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，其特征在于，所述scaln層中sc組分在0.14到0.32之間，溝道區(qū)的scaln層的厚度為10~50?nm。
4.如權(quán)利要求1所述的基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，其特征在于，所述柵介質(zhì)層為氮化硅或氧化硅，厚度為20~50?nm；所述柵極金屬層采用ti、ag、au、v、nb、ru、w、ta、al、mg、zn、pd、cu、tan、tin、tiw、tialn中的一種或多種材料。
5.如權(quán)利要求1所述的基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，其特征在于，所述電子隧穿層為金屬氧化物，厚度為1~2?nm；所述自旋注入金屬層厚度為10~30?nm。
6.如權(quán)利要求5所述的基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器，其特征在于，所述電子隧穿層為al2o3或mgo，所述自旋注入金屬層為co或cofeb。
7.權(quán)利要求1~6任一所述基于scaln的氮化物自旋場效應(yīng)憶阻器的制備方法，包括：
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在步驟1）采用mocvd、mbe和/或pvd依次生長gan層和scaln層；在步驟2）采用icp刻蝕scaln。
9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟3）中的遠程等離子體預(yù)處理在peald腔體中或磁控濺射腔室中原位進行，步驟4）利用peald或磁控濺射技術(shù)生長電子隧穿層，利用磁控濺射技術(shù)生長自旋注入金屬層，生長后進行退火處理。
10.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟5）定義柵極圖形寬度小于500?nm，利用原子層沉積制備柵介質(zhì)層，利用電子束蒸發(fā)技術(shù)制備柵極金屬層。