磁性片及使用磁性片的顯示器的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及磁性片及使用磁性片的顯示器,特別是設及可高效率地對低頻噪聲進 行抑制的磁性片及使用該磁性片的顯示器。
【背景技術】
[0002] 近年來,筆記本式電腦、手機、便攜式游戲機等各種平板終端得到普及。各種平板 終端搭載有液晶板等顯示器,近年的顯示器W可獲得高精細的圖像為賣點。
[0003] 并且,平板終端薄型化及輕量化也是一個賣點。隨著薄型化或輕量化,平板終端的 氣密性增加,在排除多余的部件的方向上繼續(xù)進行技術性的改良。
[0004] 該樣,提出了隨著顯示器的高精細化、薄型化、輕量化,數(shù)百曲Z近旁的電磁波噪 聲使顯示器的性能降低的問題。具體地說,當數(shù)百曲Z近旁的電磁波噪聲發(fā)生時,噪聲混入 到顯示器中,引起畫面的閃爍等問題。此問題不限于平板終端,在薄型的液晶顯示器中也同 樣地發(fā)生。
[000引從前,關于電磁波噪聲,數(shù)十MHzW上的高頻噪聲作為EMC巧lectroma即etic Compatibility;電磁兼容性)對策部件的對象在國際無線電干擾特別委員會(CISPR)成 為國際標準。在現(xiàn)有技術中,作為數(shù)十MHzW上的高頻噪聲對策部件,提出了日本特開 2011-49406號公報(專利文獻1)所示的那樣的混合化-Si-Al合金粉末和樹脂的磁性片 (電磁干擾抑制體)。
[0006] 上述的混合了Fe-Si-Al合金粉末和樹脂的磁性片盡管關于高頻噪聲獲得某種程 度的抑制效果,但關于數(shù)百曲Z近旁的低頻噪聲,不一定能夠獲得滿意的抑制效果。
[0007] 另一方面,作為低頻噪聲抑制用部件,例如,在日本特開2006-196520號公報(專 利文獻2)中,提出了使用Co基非晶質(zhì)合金薄帶的磁屏蔽部件。
[000引現(xiàn)有技術文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1 ;日本特開2011-49406號公報
[0011] 專利文獻2 ;日本特開2006-196520號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0012] 發(fā)明所要解決的課題
[0013] 通過使用記載于專利文獻2的那樣的Co系非晶質(zhì)合金薄帶,獲得低頻區(qū)域的噪聲 降低效果。然而,如記載于專利文獻2的(0030)段落的那樣,此合金薄帶具有將Co系非晶 質(zhì)合金薄帶層疊30~300張程度的構造,從該一點也可得知不是考慮了薄型化的合金薄 -W- J巿'〇
[0014] 另外,近年的顯示器即使是平板終端,也W短邊成為100mmW上的方式進行大型 化。為了減少顯示器的數(shù)百曲Z近旁的低頻噪聲,需要與顯示器尺寸對應的大型的磁性片。
[0015] 另一方面,非晶質(zhì)合金薄帶如W單漉法為代表的那樣應用漉急冷法制造。上述漉 急冷法是將金屬液投入到高速旋轉(zhuǎn)的冷卻漉上,使金屬液急冷凝固來制造非晶質(zhì)的金薄帶 的方法。
[0016] 然而,因為上述漉急冷法是將金屬液每次一定量持續(xù)地供給到冷卻漉上來制造長 尺寸的薄帶的方法,所W,薄帶的寬幅化困難。在現(xiàn)狀下,考慮批量生產(chǎn)性,Co系非晶質(zhì)合 金薄帶在寬度50mmW下制造,化系非晶質(zhì)合金薄帶在寬度100mmW下制造。因此,存在實 現(xiàn)與顯示器尺寸對應的、比合金薄帶的寬度大的寬幅的磁性片的技術的要求。
[0017] 本發(fā)明就是用于應對該樣的問題及要求的技術,其目的在于提供一種可效率良好 地抑制低頻噪聲的、比合金薄帶的寬度大的寬幅的磁性片。
[0018] 用于解決課題的技術手段
[0019] 本發(fā)明的磁性片具備經(jīng)粘接層將樹脂薄膜層疊在磁性巧體的兩面的構造;該磁性 片的特征在于,具有沿平面方向排列寬度為3~90mm的多個磁性巧體的構造,相鄰的磁性 r自體彼此間的間隙的最長距離超過0mm并且為1mmW下,最短距離為0mmW上1mmW下。
[0020] 另外,在上述磁性片,最好磁性片的短邊為100mmW上。另外,最好在相鄰的磁性 巧體彼此的間隙中存在空氣層。另外,最好磁性巧體的熱膨脹系數(shù)為5~40ppm/°C。另 夕F,最好磁性巧體是Co系非晶合金。另外,最好在磁性巧體的表面與粘接層之間不存在空 氣層。另外,最好磁性片的表面的平坦度為0.02mmW下。另外,最好上述磁性片用于降低 500~800曲Z的噪聲。另外,最好上述磁性片用于顯示器。
[0021] 另外,本發(fā)明的顯示器的特征在于,具備本發(fā)明的磁性片。
[00巧發(fā)明的效果
[0023] 本發(fā)明的磁性片由于具備將磁性巧體排列2個W上的構造,而且對相鄰的磁性巧 體彼此的間隙進行控制,所W,可提供寬幅的磁性片。而且,可賦予磁性片的柔軟性、平坦 性。另外,可貼顯示器的背面上,有效地減少數(shù)百曲Z近旁的低頻噪聲。因此,具備本發(fā)明 的磁性片的顯示器可提供畫面的閃爍被抑制的高精細的圖像。
【附圖說明】
[0024] 圖1是表示本發(fā)明的磁性片的一實施例的剖視圖。
[002引圖2是表示本發(fā)明的磁性片的另一實施例的圖,圖2A是俯視圖,圖2B是圖2A所 示的2B部的放大圖。
[0026] 圖3是表不本發(fā)明的磁性片的再另一實施例的剖視圖。
[0027] 圖4是表示本發(fā)明的磁性片的再另一實施例的剖視圖。
[002引圖5是表示本發(fā)明的顯示器的一實施例的側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0029] 本發(fā)明的磁性片具備經(jīng)粘接層將樹脂薄膜層疊在磁性巧體的兩面的構造;該磁性 片的特征在于,具有排列2個W上的寬度為3~90mm的磁性巧體的構造,相鄰的磁性巧體 彼此間的距離的最長距離超過0mm并且為1mmW下,最短距離為0mmW上1mmW下。
[0030] 在圖1及圖2中表示本發(fā)明的磁性片的一實施例。在圖1中,附圖標記1是磁性 片,附圖標記2是磁性巧體,附圖標記3是粘接層,附圖標記4是樹脂薄膜,附圖標記L是磁 性巧體的寬度,附圖標記T是相鄰的磁性巧體彼此間的距離,附圖標記W是磁性片的寬度。 另外,在圖2中,附圖標記2a是第一磁性巧體,附圖標記化是第二磁性巧體,附圖標記2c是 第S磁性巧體,附圖標記化是磁性片的橫向的寬度,附圖標記W2是磁性片的縱向的寬度, 附圖標記Tmax是相鄰的磁性巧體彼此間的距離的最長距離,附圖標記Tmin是相鄰的磁性 巧體彼此間的距離的最短距離。
[0031] 首先,本發(fā)明的磁性片1具備經(jīng)粘接層3將樹脂薄膜4層疊在磁性巧體2的兩面 的構造。作為磁性巧體1,可列舉出非晶質(zhì)合金、化基微細結晶合金或坡莫合金等軟磁性合 金巧體。另外,作為非晶質(zhì)合金,可列舉出Co系非晶質(zhì)合金(Co系非晶合金)或化系非晶 質(zhì)合金(化系非晶合金)。另外,所謂化基微細結晶合金,是按照面積率具有7〇%W上的 lOOnmW下的微細結晶的合金。
[003引為了如后述的那樣對數(shù)百曲Z、特別為500~800曲Z的低頻噪聲進行抑制,最好 使用Co系非晶合金作為磁性巧體。Co系非晶合金因為容易將磁導率(100曲Z)控制為2, 000~50,000程度,所W,對低頻噪聲的減少有效。另外,具有可W不超出必要地將磁性巧 體多層化的優(yōu)點。
[0033]另外,最好磁性巧體的磁致伸縮大體是零。當磁致伸縮大體是零時,在受到低頻噪 聲的場合會發(fā)生振動,在可聞頻率區(qū)域中的"拍頻"變得顯著,在顯示器與磁性片之間沒有 間隙則顯示器整個面容易受影響。當考慮磁致伸縮該一點時,最好磁性巧體是Co系非晶合 金。
[0034] 另外,最好磁性巧體的熱膨脹系數(shù)是40ppm/°CW下,如果為5~40ppm/°C則更好。 當熱膨脹系數(shù)大到超過40ppm/°C時,磁性巧體在貼在顯示器背面上進行使用時因為顯示器 的發(fā)熱而膨脹,顯示器與磁性片的緊密接觸性惡化。
[0035] 另外,當熱膨脹系數(shù)不足5ppm/°C時,熱膨脹系數(shù)的穩(wěn)定化困難。因此,磁性巧體的 熱膨脹系數(shù)最好為5~40ppm/°C,如果是6~20ppm/°C則更好。另外,熱膨脹系數(shù)的測定 方法例如是JIS-Z-2285 (2003)所示的由推桿式膨脹計進行的方法。
[0036]另外,磁性巧體的寬度L是3~90mm。所謂磁性巧體的寬度L是磁性巧體的短邊 的長度。磁性巧體的長邊即使超過90mm也沒有問題。本發(fā)明的磁性片具有排列2個W上的 該樣的寬度L是3~90mm的磁性巧體的構造。排列的個數(shù)如果是2W上,則不特別限定, 只要與使用的顯示器的尺寸配合地進行排列即可。
[0037] 另外,本發(fā)明的磁性片具有經(jīng)粘接層將樹脂薄膜層疊在磁性巧體上的構造。因為 如圖1所示的那樣經(jīng)粘接層3將樹脂薄膜4層疊在磁性巧體2的兩面上,所W,可防止磁性 巧體的生誘等劣化。另外,由于利用粘接層對磁性巧體進行固定,所W,不發(fā)生位置偏移,所 W,磁性片的操作性提高。
[003引另外,特征在于,相鄰的磁性巧體彼此間的距離的最長距離超過0mm并且為1mmW下,最短距離為0mmW上1mmW下。在相鄰的磁性巧體彼此間的距離T中,所謂相鄰的磁性 巧體彼此間的距離的最長距離Tmax超過0mm并且為1mmW下,表示如圖2B所示的那樣,在 磁性巧體2a與磁性巧體化的間隙中必定存在不接觸的部位(最長距離Tmax超過0mm的 部位),另一方面,即使是離開最遠的部位,也為1mmW下。
[0039] 另外,所謂相鄰的磁性巧體彼此間的距離的最短距離Tm