輸入端口是與第一 P型MOS管M211和第一 N型MOS管M212的源極相連。MOS管的源極與體電壓端存在了寄生二極管，當(dāng)源極的電位超過第一 P型MOS管M211的體電位端或者低于第一 N型MOS管M212的體電位端時(shí)，輸入引腳的電位即將被鉗位到VCC+0.7V或者-0.7V (0.7為寄生二極管的正向?qū)▔航?，因?yàn)榇藭r(shí)MOS內(nèi)部寄生二極管正向?qū)?，從而起到?ESD防護(hù)與電壓鉗位的作用，通過調(diào)整寄生二極管的PN結(jié)面積，以及在MOS管周邊加入隔離環(huán)可以提高ESD防護(hù)與電壓鉗位性能。
[0036]圖6為圖3中輸入的實(shí)際信號(hào)波形圖；圖中窄脈沖與尖峰電壓虛線信號(hào)為所述傳輸隔離模塊03的輸出信號(hào)，該信號(hào)作為所述解調(diào)集成電路21的輸入信號(hào)，該信號(hào)經(jīng)過輸入導(dǎo)線連接到第一 P型MOS管M211和第一 N型MOS管M212的源極，由于上述MOS內(nèi)部的寄生二極管的作用，當(dāng)所述解調(diào)集成電路21的輸入信號(hào)超過或者低于芯片內(nèi)部電源電壓VCC與接地端電壓GND時(shí)，MOS源極的輸入信號(hào)會(huì)被鉗位。從圖中可以看出，窄脈沖與尖峰電壓實(shí)線信號(hào)為已經(jīng)被鉗位后的信號(hào)。圖中A部分表示了窄脈沖電壓信號(hào)被鉗位到VCC+0.7V或者-0.7V，B部分表示了尖峰電壓信號(hào)被鉗位到VCC+0.7V或者-0.7V。
[0037]實(shí)施例二
[0038]圖7本發(fā)明第二實(shí)施例的電路原理圖；與實(shí)施一之間的區(qū)別在于所述解調(diào)集成電路中輸入端口增加了一個(gè)電阻R213，R213的一端連接到輸入端口 VIN，另一端分別連接到M211的源極和M212的源極。當(dāng)VIN端口電壓較高時(shí)，為了防止流過第一 P型MOS管M211和第一 N型MOS管M212內(nèi)部寄生二極管的電流過大，在輸入端串接一個(gè)電阻能夠有效減小電流，提高ESD防護(hù)與電壓鉗位的性能。
[0039]實(shí)施例三
[0040]為了能夠更好控制外部干擾信號(hào)對(duì)于信號(hào)檢測(cè)的影響，在內(nèi)部對(duì)電路進(jìn)行一定的修改就可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)檢測(cè)電路的抗干擾能力。圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的電路原理圖；與實(shí)施二之間的區(qū)別在于所述解調(diào)集成電路中增加了模塊211與模塊212，兩個(gè)模塊的作用是提高輸入采樣抗干擾能力。模塊211包括:N型MOS管M2111，反相器12111與12112，延時(shí)模塊12113，N型MOS管M2111的漏極連接到反相器12111的輸入端，并連接到第一 P型MOS管M211的漏極，N型MOS管M2111的源極與體電位端連接到芯片接地端GND，反相器12111的輸出連接到12112的輸入端，反相器12112的輸出連接到延時(shí)模塊12113的輸入端，并連接到N型MOS管M2111的柵極，延時(shí)模塊12113的輸出連接到反相器1214的輸入端；模塊212包括:P型MOS管M2121，反相器12121與12122，延時(shí)模塊12123，P型MOS管M2121的漏極連接到反相器12121的輸入端，并連接到第一 N型MOS管M212的漏極，P型MOS管M2121的源極與體電位端連接到芯片電源端VCC，反相器12121的輸出連接到12122的輸入端，反相器12122的輸出連接到延時(shí)模塊12123的輸入端，并連接到P型MOS管M2121的柵極，延時(shí)模塊12123的輸出連接到反相器1215的輸入端。外部干擾信號(hào)無論是低頻干擾還是高頻干擾，所具備驅(qū)動(dòng)能力是有限的，而對(duì)于這種信號(hào)的處理最有效的方式是通過增強(qiáng)電路啟動(dòng)能力來實(shí)現(xiàn)，相當(dāng)于通過提高輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力來驅(qū)動(dòng)后級(jí)采樣電路。這樣會(huì)存在一定的缺陷，一定程度上提高了采樣電路的功耗，但是由于采樣電路只在輸入信號(hào)出現(xiàn)窄脈沖或者尖峰電壓信號(hào)時(shí)才會(huì)工作，且窄脈沖信號(hào)的寬度是非常小，大概為200ns左右，而PWM信號(hào)的周期約為幾十KHz，窄脈沖在整個(gè)周期內(nèi)占有的比例非常小，這樣造成的功耗也就變得非常小了。圖8中的模塊211與模塊212的作用就是根據(jù)這種原理的設(shè)計(jì)出來的電路，通過反饋方式來是實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)抗干擾能力，即輸入信號(hào)所提供的驅(qū)動(dòng)能力應(yīng)該大于流過M2111的電流，才能使得12111的輸入端電壓信號(hào)由低電位變?yōu)楦唠娢唬恚?2121的輸入端電壓信號(hào)由高電位變?yōu)榈碗娢?，同時(shí)模塊211與模塊212中的延時(shí)電路12113與12123，也能起到一定的濾波作用，當(dāng)仍然存在了一些干擾信號(hào)傳輸?shù)诫娐分?，延時(shí)電路12113與12123起到了第二個(gè)屏障作用，它們能夠有效濾除殘存?zhèn)鬏數(shù)?2113與12123輸入端的干擾信號(hào)。
[0041 ] 本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，按照本發(fā)明的上述內(nèi)容，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的修改、替換或變更，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路，其特征在于:包括輸入端口 VIN、第一 P型MOS管、第一 N型MOS管、第一電阻、第二電阻、第一反相器、第二反相器；輸入端口 VIN分別連接到第一 P型MOS管的源極與第一 N型MOS管的源極，第一 P型MOS管的漏極通過第一電阻連接到接地端GND，并且第一 P型MOS管的漏極連接到第一反相器的輸入端，第一反相器的輸出端作為所述的一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路的上路信號(hào)輸出端；第一 N型MOS管的漏極通過第二電阻連接到電源端VCC，并且第一 N型MOS管的漏極連接到第二反相器的輸入端，第二反相器輸出端作為一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路的下路信號(hào)輸出端；第一 P型MOS管的體電位端連接到電源端VCC，第一 N型MOS管的體電位端連接到接地端GND，起到了 ESD防護(hù)與電壓鉗位的作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路，其特征在于:還包括第三電阻，第三電阻的一端連接到輸入端口 VIN，另一端分別連接到第一 P型MOS管的源極和第一 N型MOS管的源極，能夠減小電流，提高ESD防護(hù)與電壓鉗位的性能。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路，其特征在于:還包括模塊211和模塊212，提高輸入采樣抗干擾能力； 模塊211包括:第二 N型MOS管M2111、第三反相器、第四反相器、第一延時(shí)模塊；第二N型MOS管的漏極分別連接到第三反相器的輸入端和第一 P型MOS管的漏極，第二 N型MOS管的源極與體電位端連接到芯片接地端GND，第三反相器的輸出連接到第四反相器的輸入端，第四反相器的輸出端分別連接到第一延時(shí)延時(shí)模塊的輸入端和第二 N型MOS管柵極，第一延時(shí)模塊的輸出連接到第一反相器的輸入端； 模塊212包括:第二 P型MOS管、第五反相器、第六反相器、第二延時(shí)模塊，第二 P型MOS管的漏極分別連接到第五反相器的輸入端和第一 N型MOS管的漏極，第二 P型MOS管的源極與體電位端連接到芯片電源端VCC，第五反相器的輸出連接到第六反相器的輸入端，第六反相器的輸出分別連接到第二延時(shí)模塊的輸入端和第二 P型MOS管的柵極，第二延時(shí)模塊的輸出端連接到第二反相器的輸入端。
【專利摘要】一種抗ESD的信號(hào)解調(diào)集成電路，接收來自變壓器副邊繞組的窄脈沖信號(hào)或尖脈沖信號(hào)，將窄脈沖信號(hào)或者尖脈沖信號(hào)還原成幅值等于副邊工作電壓的窄脈沖數(shù)字信號(hào)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以將信號(hào)檢測(cè)電路與ESD防護(hù)與電壓鉗位進(jìn)行有效結(jié)合；同時(shí)，本發(fā)明中所述電路具備電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗小，成本低的特征。
【IPC分類】H03K5-13
【公開號(hào)】CN104716936
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510103551
【發(fā)明人】曾正球, 肖華, 於昌虎
【申請(qǐng)人】廣州金升陽科技有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年3月9日