一種具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及有機(jī)電致發(fā)光裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種具有四色亞像素的有機(jī)電致 發(fā)光裝置及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置OL邸通常包括多個像素，每個像素由若干發(fā)光區(qū)組成。目 前在中小尺寸中廣泛應(yīng)用方案之一是由紅、綠、藍(lán)=種像素組成一個像素。為獲得較高的像 素分辨率，紅、綠、藍(lán)=種發(fā)光區(qū)層在制備過程中需要分別采用高精密掩膜蒸鍛，即需要= 組精密金屬mask。但精密金屬mask的最高精度由于工藝水平受到限制，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光 顯示裝置的分辨率難W提高；另一方面，由于高精密掩膜板精度高，每個發(fā)光區(qū)均需要對位 調(diào)整，每次調(diào)整都會造成顯示裝置制造成品率的下降，因此提高了器件成本且限制了更高 分辨率的實現(xiàn)。
[0003] 目前業(yè)界器件結(jié)構(gòu)上較好的解決方案是采用共用藍(lán)光發(fā)光層的結(jié)構(gòu)，如圖1所示 的OL邸器件的發(fā)光層包括紅、綠、藍(lán)=種發(fā)光區(qū)，其中紅光發(fā)光區(qū)16和綠光發(fā)光區(qū)15并排 設(shè)置在空穴傳輸層上，藍(lán)色發(fā)光層7的一部分設(shè)置在空穴傳輸層上，其上部覆蓋所述紅光 發(fā)光區(qū)16和綠光發(fā)光區(qū)15。在制備時用兩組精密mask分別實現(xiàn)紅光發(fā)光區(qū)16和綠光發(fā) 光區(qū)15,而后利用普通掩膜板openmask蒸鍛藍(lán)色發(fā)光層7,此方案需要蒸鍛=次（即更換 3次mask)，并且用于制備紅、綠發(fā)光層的mask所需的精度。盡管該方案減少了一組精密掩 膜板，但是仍然需要使用兩組單個亞像素的精密掩膜板，且需要=次對位，降低了顯示裝置 的分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中0L邸發(fā)光層的制備過程中需 要多組高精度掩膜板，且工藝路線復(fù)雜的問題，進(jìn)而提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其通 過改變器件的結(jié)構(gòu)布局方式，使其在制備過程中僅需要最多兩組精密掩膜板即可達(dá)到四色 發(fā)光，進(jìn)而提升分辨率和降低成本的目的。
[0005] 本發(fā)明的另一目的是提供一種具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0007] 一種具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括基板，W及依次形成在所述基板 上的第一電極層、若干個發(fā)光單元層和第二電極層，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在所 述第一電極層上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述發(fā)光 層包括堆疊設(shè)置的藍(lán)光發(fā)光層和黃光發(fā)光層W及設(shè)置在二者之間的阻擋層；所述藍(lán)光發(fā)光 層與所述空穴傳輸層或電子傳輸層物理接觸，所述黃光發(fā)光層在基板上的投影落在所述藍(lán) 光發(fā)光層在基板上的投影范圍內(nèi)，且藍(lán)光發(fā)光層投影部分被所述黃光發(fā)光層的投影覆蓋； [000引所述有機(jī)電致發(fā)光裝置還包括與所述空穴注入層相鄰設(shè)置的光學(xué)補(bǔ)償層，所述光 學(xué)補(bǔ)償層的在基板上的投影落在所述黃光發(fā)光層在基板上的投影范圍內(nèi)，且黃光發(fā)光層投 影部分被所述光學(xué)補(bǔ)償層的投影覆蓋；
[0009] 所述的光學(xué)補(bǔ)償層包括并排設(shè)置的黃光光學(xué)補(bǔ)償層和紅光光學(xué)補(bǔ)償層，所述黃光 光學(xué)補(bǔ)償層的厚度小于所述紅光光學(xué)補(bǔ)償層的厚度。
[0010] 所述藍(lán)光發(fā)光層覆蓋所述空穴傳輸層，所述阻擋層覆蓋部分所述藍(lán)光發(fā)光層，所 述黃光發(fā)光層覆蓋所述阻擋層，所述阻擋層為電子阻擋層。
[0011] 所述藍(lán)光發(fā)光層的主體材料為空穴型主體材料，此處空穴型主體材料是指藍(lán)光共 用層主體材料的空穴傳輸能力比電子的傳輸能力強(qiáng)，即空穴遷移率大于電子的遷移率，例 如WB或TCTA，此處可W使用空穴傳輸材料來作為藍(lán)光公用層主體材料。
[0012] 所述黃光發(fā)光層覆蓋部分所述空穴傳輸層，所述阻擋層覆蓋所述黃光發(fā)光層，所 述藍(lán)光發(fā)光層的一部分覆蓋所述被阻擋層，所述阻擋層為空穴阻擋層。
[0013] 所述藍(lán)光發(fā)光層的主體材料為電子型主體材料，此處電子型主體材料是指藍(lán)光共 用層主體材料的電子傳輸能力比空穴的傳輸能力強(qiáng)，即電子遷移率大于空穴的遷移率，此 處可W使用電子傳輸材料來作為藍(lán)光公用層主體材料。
[0014] 所述藍(lán)光發(fā)光層（7)的主體材料為式（1)或式（2)所示結(jié)構(gòu)：
[0015]
【主權(quán)項】
1. 一種具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括基板，以及依次形成在所述基板上 的第一電極層、若干個發(fā)光單元層和第二電極層（12)，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在 所述第一電極層上的空穴注入層（5)、空穴傳輸層（6)、發(fā)光層、電子傳輸層（10)和電子注 入層（11)，其特征在于， 所述發(fā)光層包括堆疊設(shè)置的藍(lán)光發(fā)光層（7)和黃光發(fā)光層（9)以及設(shè)置在二者之間的 阻擋層；所述藍(lán)光發(fā)光層（7)與所述空穴傳輸層（6)或電子傳輸層（10)物理接觸，所述黃 光發(fā)光層（9)在基板上的投影落在所述藍(lán)光發(fā)光層（7)在基板上的投影范圍內(nèi)，且藍(lán)光發(fā) 光層（7)投影部分被所述黃光發(fā)光層（9)的投影覆蓋； 所述有機(jī)電致發(fā)光裝置還包括與所述空穴注入層（5)相鄰設(shè)置的光學(xué)補(bǔ)償層，所述光 學(xué)補(bǔ)償層的在基板上的投影落在所述黃光發(fā)光層（9)在基板上的投影范圍內(nèi)，且黃光發(fā)光 層（9)投影部分被所述光學(xué)補(bǔ)償層的投影覆蓋； 所述的光學(xué)補(bǔ)償層包括并排設(shè)置的黃光光學(xué)補(bǔ)償層和紅光光學(xué)補(bǔ)償層，所述黃光光學(xué) 補(bǔ)償層的厚度小于所述紅光光學(xué)補(bǔ)償層的厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述藍(lán)光 發(fā)光層（7)覆蓋所述空穴傳輸層(6)，所述阻擋層覆蓋部分所述藍(lán)光發(fā)光層（7)，所述黃光 發(fā)光層（9)覆蓋所述阻擋層，所述阻擋層為電子阻擋層（8)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述藍(lán)光 發(fā)光層（7)的主體材料為空穴型主體材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述黃光 發(fā)光層（9)覆蓋部分所述空穴傳輸層(6)，所述阻擋層覆蓋所述黃光發(fā)光層（9)，所述藍(lán)光 發(fā)光層（7)的一部分覆蓋所述阻擋層，所述阻擋層為空穴阻擋層（14)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述藍(lán)光 發(fā)光層（7)的主體材料為電子型主體材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述具有四色亞像素的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述藍(lán)