benz〇-p-dioxin-2, 7-diamine)、4, 4' -二氨基苯偶酷等。
[0071] 另外，作為用作聚酷亞胺的原料的酸酢，例如可W列舉；均苯四甲酸二酢、 3, 3'，4, 4' -二苯甲酬四駿酸二酢、2, 2'，3, 3' -二苯甲酬四駿酸二酢、2, 3, 3'，4' -二苯甲 酬四駿酸二酢、蒙-1，2, 5, 6-四駿酸二酢、蒙-1，2, 4, 5-四駿酸二酢、蒙-1，4, 5, 8-四駿酸 二酢、蒙-1，2, 6, 7-四駿酸二酢、4, 8-二甲基-1，2, 3, 5, 6, 7-六氨蒙-1，2, 5, 6-四駿酸二 酢、4, 8-二甲基-1，2, 3, 5, 6, 7-六氨蒙-2, 3, 6, 7-四駿酸二酢、2, 6-二氯蒙-1，4, 5, 8-四 駿酸二酢、2, 7-二氯蒙-1，4, 5, 8-四駿酸二酢、2, 3, 6, 7-四氯蒙-1，4, 5, 8-四駿酸二酢、 1，4, 5, 8-四氯蒙-2, 3, 6, 7-四駿酸二酢、3, 3'，4, 4' -聯(lián)苯四駿酸二酢、2, 2'，3, 3' -聯(lián) 苯四駿酸二酢、2,3,3'，4'-聯(lián)苯四駿酸二酢、3,3"，4,4"-對S聯(lián)苯四駿酸二酢、 2, 2"，3, 3"-對S聯(lián)苯四駿酸二酢、2, 3, 3"，4"-對S聯(lián)苯四駿酸二酢、2, 2-雙化3-二 駿基苯基）丙烷二酢、2, 2-雙化4-二駿基苯基）丙烷二酢、雙化3-二駿基苯基）離 二酢、雙化3-二駿基苯基）甲燒二酢、雙化4-二駿基苯基）甲燒二酢、雙化3-二駿 基苯基）諷二酢、雙化4-二駿基苯基）諷二酢、1，1-雙化3-二駿基苯基）己燒二酢、 1，1-雙化4-二駿基苯基）己燒二酢、巧-2, 3, 8, 9-四駿酸二酢、巧-3, 4, 9, 10-四駿酸二 酢、巧-4, 5, 10, 11-四駿酸二酢、巧-5, 6, 11，12-四駿酸二酢、菲-1，2, 7, 8-四駿酸二酢、 菲-1，2, 6, 7-四駿酸二酢、菲-1，2, 9, 10-四駿酸二酢、環(huán)戊燒-1，2, 3, 4-四駿酸二酢、化 嗦-2, 3, 5, 6-四駿酸二酢、化咯晚-2, 3, 4, 5-四駿酸二酢、唾吩-2, 3, 4, 5-四駿酸二酢、 4, 4' -氧二鄰苯二甲酸二酢、2, 3, 6, 7-蒙四駿酸二酢等。
[0072] 所述二胺及酸酢可W分別僅使用一種，也可W并用兩種W上。另外，用于聚合的溶 劑可W列舉；二甲基己酷胺、N-甲基化咯晚酬、2-了酬、二己二醇二甲離、二甲苯等，可W使 用一種或者也可W并用兩種W上。
[0073] 本實施方式中，為了制成熱膨脹系數(shù)小于30X1(T6/K的低熱膨脹性聚酷亞胺層 (i)，作為原料的酸酢成分適宜使用均苯四甲酸二酢、3, 3'，4, 4' -聯(lián)苯四駿酸二酢，二胺成 分適宜使用2, 2' -二甲基-4, 4' -二氨基聯(lián)苯、2-甲氧基-4, 4' -二氨基苯甲酯苯胺，特別優(yōu) 選W均苯四甲酸二酢及2, 2' -二甲基-4, 4' -二氨基聯(lián)苯作為原料各成分的主成分。
[0074] 另外，為了制成熱膨脹系數(shù)為30X1(T7kW上的高熱膨脹性聚酷亞胺層（ii)，作 為原料的酸酢成分適宜使用均苯四甲酸二酢、3, 3'，4, 4' -聯(lián)苯四駿酸二酢、3, 3'，4, 4' -二 苯甲酬四駿酸二酢、3, 3'，4,4'-二苯基諷四駿酸二酢，二胺成分適宜使用2, 2'-雙 [4-(4-氨基苯氧基）苯基]丙烷、4, 4'-二氨基二苯離、1,3-雙（4-氨基苯氧基）苯，特別 優(yōu)選W均苯四甲酸二酢及2, 2'-雙[4-(4-氨基苯氧基）苯基]丙烷作為原料各成分的主 成分。此外，W所述方式獲得的高熱膨脹性聚酷亞胺層（ii)的優(yōu)選玻璃轉(zhuǎn)移溫度為260°C W上，優(yōu)選280°C~320°C的范圍內(nèi)。通過將玻璃轉(zhuǎn)移溫度設(shè)為該種范圍，可W使將提性覆 銅積層板加工成FPC時所要求的銅巧層與聚酷亞胺絕緣層（A)之間的接著強度或尺寸穩(wěn)定 性、W及零件安裝時的焊接所要求的焊料耐熱性變得優(yōu)異。
[0075] 另外，在將聚酷亞胺絕緣層（A)設(shè)為低熱膨脹性聚酷亞胺層（i)與高熱膨脹性聚 酷亞胺層（ii)的積層構(gòu)造的情況下，優(yōu)選低熱膨脹性聚酷亞胺層（i)的厚度與高熱膨脹性 聚酷亞胺層（ii)的厚度的比（低熱膨脹性聚酷亞胺層（i)/高熱膨脹性聚酷亞胺層（ii)) 為2~12的范圍內(nèi)。如果該比的值小于2,那么低熱膨脹性聚酷亞胺層（i)相對于聚酷亞 胺絕緣層（A)整體而變薄，因此變得難W控制聚酷亞胺膜的尺寸特性，蝕刻銅巧時的尺寸 變化率變大，如果該比的值超過12,那么高熱膨脹性聚酷亞胺層（ii)變薄，因此聚酷亞胺 絕緣層（A)與銅巧的接著可靠性降低。
[0076]用于制造本實施方式的提性覆銅積層板的第一銅巧優(yōu)選使用電解銅巧。電解銅巧 與壓延銅巧相比，在制造提性覆銅積層板時，例如在銅巧上形成聚酷亞胺層的步驟中，容易 抑制剛性的降低，因此有利。
[0077]另外，用于制造本實施方式的提性覆銅積層板的第一銅巧適宜使用如下電解銅 巧；在受到制造提性覆銅積層板時的熱歷程（例如在300°C~400°C下加熱10分鐘~60分 鐘）的影響后，其平均結(jié)晶粒徑（D1)優(yōu)選1ym~10ym的范圍內(nèi)、更優(yōu)選1ym~5ym的 范圍內(nèi)。作為該種電解銅巧，可W使用市售品，作為其具體例，可W列舉；古河電工股份有限 公司制造的WS巧、日本電解股份有限公司制造的化巧、S井金屬礦業(yè)股份有限公司制造的 HTE巧等。另外，即使在使用該些市售品W外的市售品的情況下，也可W例如在形成聚酷亞 胺絕緣層（A)后，W使本實施方式的提性覆銅積層板中的第一銅巧層炬1)成為指定范圍的 方式，通過蝕刻等化學研磨進行銅巧層的薄壁化。在該情況下，蝕刻后的第一銅巧層炬1) 的表面?zhèn)龋ㄎ磁c聚酷亞胺絕緣層（A)接觸的側(cè)）的表面粗趟度巧Z)優(yōu)選設(shè)為1. 7ymW下。 通過設(shè)為該種表面粗趟度的值，在對第一銅巧層炬1)進行配線電路加工而形成銅配線時， 可W抑制配線間隔的變動。
[007引用于制造本實施方式的提性覆銅積層板的第二銅巧優(yōu)選使用壓延銅巧。作為壓延 銅巧，可W列舉如下銅合金巧等：當進行在銅巧上形成聚酷亞胺層的步驟或熱壓接步驟、及 后續(xù)步驟的退火（anneal)時，添加Ag或Sn作為添加元素W進行（200)面結(jié)晶取向。作 為公知的壓延銅巧，可W列舉JX日礦日石金屬股份有限公司制造的HA巧或甜銅制品（SH CopperProducts)股份有限公司制造的HPFf自。
[0079] 接著，對本發(fā)明的實施方式中的第二銅巧與單面覆銅積層板的加熱壓接條件進行 說明。作為層壓溫度（laminatetemperature)ti即加熱壓接步驟中的熱壓漉的溫度，就 第二銅巧與接著層的聚酷亞胺的接著性的觀點而言，必須設(shè)為高熱膨脹性聚酷亞胺層（ii) 的聚酷亞胺的玻璃轉(zhuǎn)移溫度W上，優(yōu)選300°C~400°C的范圍內(nèi)。另外，理想為在加熱漉間 的線壓為50Kg/cm~500Kg/cm、漉通過時間為2秒~5秒的條件下進行加熱壓接。作為層 壓的環(huán)境，可W列舉大氣環(huán)境、惰性（inert)環(huán)境，就防止銅巧氧化變色的觀點而言，理想 為惰性環(huán)境。此處，所謂惰性環(huán)境，與非活性環(huán)境含義相同，指的是被氮氣或氣氣等非活性 氣體置換而實質(zhì)上不含氧氣的狀態(tài)。
[0080] 此處，對第二銅巧的利用熱處理進行的（200)面的結(jié)晶取向詳細地進行說明。通 常，所述銅巧通過熱處理進行軟化，彈性模數(shù)降低而變得柔軟，并且進行（200)面的優(yōu)先取 向，使立方體組織發(fā)展。（200)面的結(jié)晶取向是通過在半軟化溫度W上的溫度下進行指定 時間的處理而進行，但是必須在至少300°CW上的溫度下進行10秒~60秒。在如本發(fā)明 的實施方式那樣利用一對熱壓漉進行加熱壓接的方法中，出于確保其生產(chǎn)性的觀點而在10 秒W內(nèi)的瞬間利用漉實施壓接，因此必須在加熱壓接步驟后組合再加熱步驟的退火步驟。
[0081] 再加熱步驟（退火處理）必須在層壓溫度tiW上的溫度下進行熱處理。如果為 層壓溫度tlw下的溫度，那么無法使在加熱壓接步驟中進行過一次部分再結(jié)晶化的銅巧的 結(jié)晶組織再次結(jié)晶成長，從而無法充分利用（200)面的結(jié)晶取向來發(fā)展立方體組織。也就 是說，為了使因加熱壓接步驟的層壓所進行的部分再結(jié)晶充分進行，重要的是將再加熱步 驟的熱處理溫度t2設(shè)定為層壓溫度tiW上。在此情況下，在后續(xù)步驟的再加熱步驟的溫度 為300°CW上的情況下，10秒~60秒左右的處理時間就足夠。另一方面，在將后續(xù)步驟的 再加熱步驟的溫度設(shè)定為超過400°C的情況下，會產(chǎn)生聚酷亞胺的耐熱劣化或由加熱引起 的翅曲等問題，因此優(yōu)選設(shè)定為400°CW下。
[0082] 通過經(jīng)過該種再加熱步驟，所述加熱壓接步驟后的第二銅巧的利用厚度方向上的 X射線衍射求出的（200)面的衍射強度（I)與細粉末銅的利用X射線衍射求出的（220)面 的衍射強度（I。）的比（VI。）成為12~30的范圍內(nèi)。另外，通過經(jīng)過再加熱步驟，可W將 第二銅巧層炬2)的厚度方向的剖面的平均結(jié)晶粒徑控制為40ym~70ym的范圍內(nèi)。
[0083] 再加熱步驟的退火工序并無限制，如果考慮將連續(xù)搬送的第二銅巧及單面覆銅積 層板置于均一的溫度環(huán)境下，那么優(yōu)選將步驟的一個區(qū)間設(shè)為爐型棚化ooth)并在熱風下 進行加熱。另外，為了防止銅巧表面的變質(zhì)等的影響，熱風優(yōu)選使用加熱氮氣。該種利用氮 氣的加熱在進一步提高溫度條件上存在極限，因此可W附加其他加熱單元。優(yōu)選的加熱單 元可W列舉在搬送路徑附近設(shè)置加熱器。此外，加熱器也可W設(shè)置多個，其種類可W相同也 可W不同。
[0084] <FPC>
[0085] 本實施方式的提性覆銅積層板主要用作FPC材料。也就是說，通過利用常規(guī)方法 將本實施方式的提性覆銅積層板的金屬巧加工成圖案狀而形成配線層，可W制造作為本發(fā) 明的一實施方式的FPC。
[0086] 本實施方式的FPC是用于彎曲或彎折部分的配線電路零件，可W用作實質(zhì)上僅在 單面設(shè)置有用于彎曲或彎折部分的配線電路的FPC。優(yōu)選為，利用本實施方式的提性覆銅 積層板的第二銅巧層炬2)形成配線電路，使用配線電路的至少一部分作為彎曲部。也就是 說，本發(fā)明的實施方式可W通過實質(zhì)上僅在單面設(shè)置用于彎曲或彎折部分的配線電路，而 制成對反復(fù)彎曲或斷折等的耐折性優(yōu)異的FPC。
[0087] 圖1是表示去除第一銅巧層炬1)的一部分而用于形成彎曲部的F