，仍更優(yōu)選 20-200ym，而網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的條的高度為0. 1-20ym，仍更優(yōu)選0. 2-5ym。此外，根據(jù)本發(fā)明優(yōu) 選的是網(wǎng)格結(jié)構(gòu)中相鄰條之間的距離優(yōu)選為0. 5-30mm，仍更優(yōu)選3-lOmm。還證明有利的是 本發(fā)明透明電極中透明基底層表面的0. 1-20%，特別優(yōu)選0.5-5%被網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的條覆蓋。 條的導(dǎo)電率優(yōu)選為至少1，OOOS/cm，仍更優(yōu)選至少50,OOOS/cm。
[00巧]在本發(fā)明方法的工藝步驟III)中，然后將包含W下組分的分散體施加于具有網(wǎng) 格結(jié)構(gòu)的透明基底層上：
[0036] a)至少一種聚唾吩，
[0037] b)至少一種具有SOjir基團的聚合物，
[0038] C)至少一種具有S〇3ir基團的氣化或全氣化聚合物，和
[0039] d)至少一種分散劑，
[0040] 其中r表示H\Li\Na\r或NH4+。
[0041] 工藝步驟III)中所用分散體包含聚唾吩作為組分a)，特別優(yōu)選該聚唾吩為具有 通式（i)或（ii)的重復(fù)單元或者通式（i)和（ii)單元的組合的聚唾吩，非常特別優(yōu)選具 有通式（ii)重復(fù)單元的聚唾吩：
[0042]
【主權(quán)項】
1. 制備透明電極的方法，其包括以下工藝步驟： I) 提供透明基底層， II) 向基底層施加包含多個金屬的或至少包含金屬顆粒的條的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)， III) 向具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的透明基底層施加包含以下組分的分散體： a) 至少一種聚噻吩， b) 至少一種具有SO3If基團的聚合物， c) 至少一種具有SO3IT基團的氟化或全氟化聚合物，和 d) 至少一種分散劑， 其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，和 IV) 至少部分地除去分散劑，導(dǎo)致得到透明電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中工藝步驟I)中提供的透明基底層為透明聚合物層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中工藝步驟II)中網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的施加通過包含銀顆粒 的糊進行。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體的特征是至多 100D/sq的FOM值（F0M= "品質(zhì)因數(shù)"）。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體的特征是至多50Q/sq的 FOM值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體的特征是至多25Q/sq的 FOM值。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體中的所述至少 一種聚噻吩a)為聚（3, 4-亞乙基二氧噻吩）。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體中的所述至少 一種具有SO3IT基團的聚合物b)為聚苯乙烯磺酸。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體中的所述至少 一種具有SO3IT基團的氟化或全氟化聚合物c)為全氟化磺酸和四氟乙烯的共聚物。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體中的所述至少 一種分散劑d)為水。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體包含至少一種 交聯(lián)劑作為不同于組分a)-d)的其它添加劑e)。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體包含如下組 分，每種情況下基于分散體的總重量： a) 0. 01-1重量％所述至少一種聚噻吩， b) 0. 01-5重量％所述至少一種具有SO3IT基團的聚合物， c) 0. 01-5重量％所述至少一種具有SO3If基團的氟化或全氟化聚合物， d) 69-99. 97重量％所述至少一種分散劑，和 e) 0-20重量％所述至少一種不同于組分a)-d)的添加劑。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中一項的方法，其中工藝步驟III)中所用分散體在25°C的溫度 具有1-7范圍內(nèi)的pH。
14. 可通過根據(jù)權(quán)利要求1-13中一項的方法得到的透明電極。
15. 透明電極，其包含： _透明基底層， -在基底層上的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，其施加于透明基底層上且包含多個金屬的或至少包含金屬 顆粒的條， 其中網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的所述條之間的中間空間用至少包含以下組分的導(dǎo)電聚合物層填充： a) 至少一種聚噻吩， b) 至少一種具有SO3If基團的聚合物，和 c) 至少一種具有SO3IT基團的氟化或全氟化聚合物， 其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+。
16. 包含根據(jù)權(quán)利要求14或15的透明電極的電子組件。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的電子組件，其中組件為0LED( "有機發(fā)光二極管"）或OVP元件 ("有機光伏"元件）。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的電子組件，其中OLED至少由以下層構(gòu)建：根據(jù)權(quán)利要求14或 15的透明電極/任選的空穴傳輸層/發(fā)射體層/任選的電子注入層/陰極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18的電子組件，其中OLED不包含ITO層。
20. 分散體，其包含： a) 至少一種聚噻吩， b) 至少一種具有SO3If基團的聚合物， c) 至少一種具有SO3IT基團的氟化或全氟化聚合物，和 d) 至少一種分散劑， 其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，且 其中該分散體的特征是至多1〇〇D/sq的FOM值。
21. 照明裝置，其包含至少包封根據(jù)權(quán)利要求17-19中一項的OLED的透明容器（9、 10)〇
22. 生產(chǎn)照明裝置的方法，其至少包括如下工藝步驟： a) 提供根據(jù)權(quán)利要求17-19中一項的0LED， b) 將OLED引入透明容器（9、10)中。
【專利摘要】本發(fā)明涉及制備透明電極的方法，其包括以下工藝步驟：I)提供透明基底層，II)向基底層施加包含多個金屬的或至少包含金屬顆粒的條的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，III)向具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的透明基底層施加包含以下組分的分散體：a)至少一種聚噻吩，b)至少一種具有SO3-M+基團的聚合物，c)至少一種具有SO3-M+基團的氟化或全氟化聚合物，和d)至少一種分散劑，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，和IV)至少部分地除去分散劑，導(dǎo)致得到透明電極。本發(fā)明還涉及可通過該方法得到的透明電極、透明電極、電子組件和分散體。
【IPC分類】H01L51-52, H05B33-28, H01B1-12
【公開號】CN104770065
【申請?zhí)枴緾N201380055794
【發(fā)明人】W·勒韋尼希, A·索特, A·埃爾施納, A·謝爾, D·里澤貝克, S·基希邁爾
【申請人】赫勞斯貴金屬有限兩和公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2013年10月25日
【公告號】EP2912923A1, US20150282311, WO2014063825A1