4和第三傳輸微帶線108的長(zhǎng)度不大于GaAs肖特基二極管109焊盤(pán)的長(zhǎng)度，GaAs肖特基二極管109倒裝焊接時(shí)正好將第二傳輸微帶線104和第三傳輸微帶線108的區(qū)域覆蓋，如圖2所示。
[0019]如圖1所示，所述第二傳輸微帶線104左側(cè)的石英電路基板103上設(shè)有第一傳輸微帶線106、第四傳輸微帶線105和第五傳輸微帶線107。所述第四傳輸微帶線105位于石英電路基板上，且一端與第一傳輸微帶線106的左端連接，所述第五傳輸微帶線107位于石英電路基板上，且一端與第一傳輸微帶線106的右端連接，第五傳輸微帶線107的另一端與第二傳輸微帶線104的一端連接，GaAs肖特基二極管109的一端焊接在第二傳輸微帶線104上，并將其覆蓋；第四傳輸微帶線105通過(guò)導(dǎo)電膠與外圍腔體實(shí)現(xiàn)接地，起到中頻對(duì)地端的作用；第五傳輸微帶線107為匹配電路，使射頻信號(hào)最大程度的饋入到GaAs肖特基二極管109中。
[0020]如圖1所示，所述第三傳輸微帶線108右側(cè)的石英電路基板103上設(shè)有本振低通濾波器111、第六傳輸微帶線112、本振過(guò)渡微帶線113、第七傳輸微帶線114、中頻低通濾波器115和中頻輸出端口 110。GaAs肖特基二極管109的另一端焊接在第三傳輸微帶線上108，并將其覆蓋；第三傳輸微帶線108、本振低通濾波器111、第六傳輸微帶線112、本振過(guò)渡微帶線113、第七傳輸微帶線114、中頻低通濾波器115、中頻輸出端口 110依次串聯(lián)連接。中頻輸出端口 110為特征阻抗為50歐姆的微帶傳輸線，該段微帶線與SMA接頭相連，用于傳輸混頻后的中頻信號(hào)。所述本振低通濾波器111為5階或者7階高低阻抗微帶濾波器。所述中頻低通濾波器115，用于阻止本振信號(hào)向中頻端口泄露，為5階或7階高低阻抗微帶濾波器。GaAs肖特基二極管109通過(guò)導(dǎo)電膠焊接在第二傳輸微帶線104和第三傳輸微帶線108 上。
[0021]本發(fā)明所述所有微帶線的長(zhǎng)度和寬度需要根據(jù)待測(cè)頻率等具體條件，具體分析。波導(dǎo)槽的需要滿足混頻器的相關(guān)要求。石英電路基板的厚度一般為30到75微米，石英電路的制作工藝已經(jīng)十分成熟。在GaAs肖特基二極管的倒裝焊接的過(guò)程中，以二極管的邊緣與定位電路邊緣保持一致為準(zhǔn)，如附圖2所示。
[0022]在微組裝工藝中，通過(guò)采用兩段微帶線來(lái)定位倒裝焊接的肖特基二極管，有效提高了 GaAs肖特基二極管倒裝焊接的精度，可以降低混頻器的變頻損耗，使得混頻器的測(cè)試結(jié)果更加接近設(shè)計(jì)結(jié)果；導(dǎo)電膠直接點(diǎn)在兩段定位微帶線上，在對(duì)GaAs肖特基二極管建立電路模型時(shí)，可以充分考慮導(dǎo)電膠帶來(lái)的寄生影響，有助于肖特基二極管的精準(zhǔn)建模。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:包括射頻波導(dǎo)(101)、本振波導(dǎo)(102)和石英電路基板(103)，石英電路基板(103)上的第一傳輸微帶線(106)橫跨在射頻波導(dǎo)(101)上，用于將射頻信號(hào)從射頻波導(dǎo)(101)中引入到石英電路進(jìn)行傳輸，本振過(guò)渡微帶線(113)橫跨在本振波導(dǎo)(102)上，用于將本振信號(hào)從本振波導(dǎo)(102)中引入石英電路進(jìn)行傳輸，射頻波導(dǎo)(101)和本振波導(dǎo)(102)保持間隔設(shè)置，所述射頻波導(dǎo)(101)右側(cè)的石英電路基板(103)上設(shè)有第二傳輸微帶線(104)，所述本振波導(dǎo)(102)左側(cè)的石英電路基板(103)上設(shè)有第三傳輸微帶線(108)，GaAs肖特基二極管(109)焊接在第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)上，第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)的長(zhǎng)度和寬度均一致，第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)的寬度與GaAs肖特基二極管(109)襯底的寬度一致，第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)左右邊緣的距離與GaAs肖特基二極(109)管襯底的長(zhǎng)度一致，第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)的長(zhǎng)度不大于GaAs肖特基二極管(109)焊盤(pán)的長(zhǎng)度，GaAs肖特基二極管(109)倒裝焊接時(shí)正好將第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)的區(qū)域覆蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:所述第二傳輸微帶線(104)左側(cè)的石英電路基板(103)上設(shè)有第一傳輸微帶線(106)、第四傳輸微帶線(105)和第五傳輸微帶線(107)，所述第四傳輸微帶線(105)—端與第一傳輸微帶線(106)的左端連接，所述第五傳輸微帶線(107) —端與第一傳輸微帶線(106)的右端連接，第五傳輸微帶線(107)的另一端與第二傳輸微帶線(104)的一端連接，GaAs肖特基二極管(109)的一端焊接在第二傳輸微帶線(104)上，并將其覆蓋；第四傳輸微帶線(105)通過(guò)導(dǎo)電膠與外圍腔體實(shí)現(xiàn)接地，起到中頻對(duì)地端的作用；第五傳輸微帶線(107)為匹配電路，使射頻信號(hào)最大程度的饋入到GaAs肖特基二極管(109)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:所述第三傳輸微帶線(108)右側(cè)的石英電路基板(103)上設(shè)有本振低通濾波器(111)、第六傳輸微帶線(112)、本振過(guò)渡微帶線(113)、第七傳輸微帶線(114)、中頻低通濾波器(115)和中頻輸出端口(110)，GaAs肖特基二極管(109)的另一端焊接在第三傳輸微帶線上(108)，并將其覆蓋；第三傳輸微帶線(108)、本振低通濾波器(111)、第六傳輸微帶線(112)、本振過(guò)渡微帶線(113)、第七傳輸微帶線(114)、中頻低通濾波器(115)、中頻輸出端口(110)依次串聯(lián)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:中頻輸出端口(110)為特征阻抗為50歐姆的微帶傳輸線，該段微帶線與SMA接頭相連，用于傳輸混頻后的中頻信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:所述本振低通濾波器(111)為5階或者7階高低阻抗微帶濾波器。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:所述中頻低通濾波器(115)，用于阻止本振信號(hào)向中頻端口泄露，為5階或7階高低阻抗微帶濾波器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:GaAs肖特基二極管(109)通過(guò)導(dǎo)電膠焊接在第二傳輸微帶線(104)和第三傳輸微帶線(108)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，其特征在于:所述石英電路基板(103)的厚度為為30微米到75微米。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種改善太赫茲混頻器微組裝的新型混合集成電路，涉及多重頻率變換的電子器件技術(shù)領(lǐng)域。包括射頻波導(dǎo)、本振波導(dǎo)和石英電路基板，第二傳輸微帶線和第三傳輸微帶線的長(zhǎng)度和寬度均一致，第二傳輸微帶線和第三傳輸微帶線的寬度與GaAs肖特基二極管襯底的寬度一致，第二傳輸微帶線和第三傳輸微帶線左右邊緣的距離與GaAs肖特基二極管襯底的長(zhǎng)度一致，第二傳輸微帶線和第三傳輸微帶線的長(zhǎng)度不大于GaAs肖特基二極管焊盤(pán)的長(zhǎng)度，GaAs肖特基二極管倒裝焊接時(shí)正好將第二傳輸微帶線和第三傳輸微帶線的區(qū)域覆蓋。所述集成電路有效提高了GaAs肖特基二極管倒裝焊接的精度，可以降低混頻器的變頻損耗。
【IPC分類】H03D7-16
【公開(kāi)號(hào)】CN104811144
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510261178
【發(fā)明人】王俊龍, 楊大寶, 邢東, 梁士雄, 張立森, 趙向陽(yáng), 馮志紅
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
【公開(kāi)日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年5月20日