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      量子干涉單元及裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備及移動(dòng)體的制作方法

      文檔序號(hào):8489766閱讀:337來源:國知局
      量子干涉單元及裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備及移動(dòng)體的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及量子干涉單元、量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。
      【背景技術(shù)】
      [0002]公知有基于銣、銫等堿金屬的原子能量躍迀而進(jìn)行振蕩的原子振蕩器。通常,原子振蕩器的工作原理大致分為利用由光與微波實(shí)現(xiàn)的雙共振現(xiàn)象的方式、和利用由波長不同的兩種光實(shí)現(xiàn)的量子干涉效應(yīng)(CPT:Coherent Populat1n Trapping (相干布居數(shù)囚禁))的方式。
      [0003]在任意一個(gè)方式的原子振蕩器中,均將堿金屬封入到氣室內(nèi),并且為了將該堿金屬保持為氣態(tài),需要通過加熱器將氣室加熱到規(guī)定的溫度。此外,通常氣室被收納到氣密密封的封裝內(nèi),基于提高振蕩特性的目的,在該封裝內(nèi)設(shè)置有向氣室內(nèi)的堿金屬施加恒定磁場(chǎng)的線圈。
      [0004]例如,專利文獻(xiàn)I的原子振蕩器具有對(duì)鐵鎳鈷合金的母材表面實(shí)施了鍍Ni的封裝。此外,專利文獻(xiàn)2的原子振蕩器具有由非磁性的陶瓷構(gòu)成的封裝。
      [0005]但是,在專利文獻(xiàn)I的原子振蕩器中,封裝由強(qiáng)磁性材料構(gòu)成,因此封裝由于來自線圈或外部的磁場(chǎng)而發(fā)生磁化,由此,作用到氣室內(nèi)的堿金屬的磁場(chǎng)發(fā)生變動(dòng),其結(jié)果,存在導(dǎo)致頻率穩(wěn)定性惡化的問題。另一方面,在專利文獻(xiàn)2的原子振蕩器中,封裝是非磁性的,因此雖然不產(chǎn)生上述那樣的問題,但陶瓷對(duì)輻射熱的吸收率較高,所以,從封裝內(nèi)朝向外部的熱量散失增多,其結(jié)果,存在功耗增大的問題。
      [0006]【專利文獻(xiàn)I】日本特開2012-191523號(hào)公報(bào)
      [0007]【專利文獻(xiàn)2】日本特開2013-3139號(hào)公報(bào)

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0008]本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)電化、并且防止或減小由于封裝的磁化產(chǎn)生的磁場(chǎng)而引起的特性變動(dòng)的量子干涉單元、量子干涉裝置以及原子振蕩器,并且提供具有該量子干涉裝置的可靠性優(yōu)異的電子設(shè)備和移動(dòng)體。
      [0009]本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的,可以作為以下的方式或應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。
      [0010][應(yīng)用例I]
      [0011]本發(fā)明的量子干涉單元的特征在于,該量子干涉單元具有:
      [0012]氣室,其收納有金屬原子;
      [0013]溫度調(diào)節(jié)元件,其對(duì)所述氣室的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié);以及
      [0014]封裝,其收納所述氣室和所述溫度調(diào)節(jié)元件,并包含非磁性的金屬層。
      [0015]根據(jù)這樣的量子干涉單元,封裝構(gòu)成為含有非磁性的金屬材料,因此能夠防止或減小由封裝的磁化引起的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的特性變動(dòng)。此外,金屬層對(duì)熱的吸收率較低,因此能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)電化。
      [0016][應(yīng)用例2]
      [0017]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述量子干涉單元具有線圈,所述線圈配置于所述封裝的外側(cè),向所述金屬原子施加磁場(chǎng)。
      [0018]由此,能夠使來自線圈的磁場(chǎng)作用于氣室內(nèi)的金屬原子,從而提高特性。這里,由于封裝是非磁性的,因此即使在封裝的外側(cè)配置線圈,也能夠使得來自線圈的磁場(chǎng)作用于氣室內(nèi)的金屬原子。此外,通過在封裝的外側(cè)配置線圈,能夠減小封裝內(nèi)的容積,其結(jié)果,能夠?qū)崿F(xiàn)量子干涉單元的小型化。此外,通過減小封裝內(nèi)的容積,在將封裝內(nèi)真空密封的情況下,能夠提高其可靠性。
      [0019][應(yīng)用例3]
      [0020]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述量子干涉單元具有磁屏蔽罩,所述磁屏蔽罩收納有所述封裝和所述線圈。
      [0021]由此,能夠降低從外部對(duì)氣室的磁場(chǎng)的影響。其結(jié)果,能夠?qū)崿F(xiàn)量子干涉單元的特性穩(wěn)定。
      [0022][應(yīng)用例4]
      [0023]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述封裝內(nèi)的氣壓被減壓至低于大氣壓。
      [0024]由此,能夠降低封裝內(nèi)外的熱干擾。其結(jié)果,能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)量子干涉單元的小型化和節(jié)電化。
      [0025][應(yīng)用例5]
      [0026]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,使用焊料對(duì)所述封裝進(jìn)行了密封。
      [0027]由此,能夠以比較低的溫度對(duì)封裝進(jìn)行氣密密封。因此,即使封裝含有會(huì)由于高溫而變化為磁性材料的材料,也能夠防止其發(fā)生變化。
      [0028][應(yīng)用例6]
      [0029]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述焊料的熔點(diǎn)低于300°C。
      [0030]由此,即使封裝含有添加了磷的鎳,其是會(huì)由于高溫而變化為磁性材料的材料,也能夠防止其發(fā)生變化。
      [0031][應(yīng)用例7]
      [0032]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述焊料含有金和錫。
      [0033]由此,能夠使得焊料的熔點(diǎn)低于300°C。
      [0034][應(yīng)用例8]
      [0035]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述封裝具有由與所述金屬層不同的材料構(gòu)成的覆蓋層。
      [0036]由此,在對(duì)封裝進(jìn)行密封時(shí),即使金屬層對(duì)于焊料的潤濕性較差,也能夠使得覆蓋層對(duì)于焊料的潤濕性優(yōu)異,從而能夠容易且可靠地進(jìn)行氣密密封。
      [0037][應(yīng)用例9]
      [0038]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述覆蓋層含有非磁性的金屬。
      [0039]由此,能夠減小覆蓋層磁化所引起的特性變動(dòng)。
      [0040][應(yīng)用例10]
      [0041]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述覆蓋層含有磷。
      [0042]由此,能夠由非磁性的金屬構(gòu)成覆蓋層。
      [0043][應(yīng)用例11]
      [0044]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述覆蓋層中的磷的含有量為8%重量百分比以上。
      [0045]由此,能夠由非磁性的金屬構(gòu)成覆蓋層。
      [0046][應(yīng)用例12]
      [0047]在本發(fā)明的量子干涉單元中,優(yōu)選的是,所述覆蓋層含有鈀。
      [0048]由此,能夠由非磁性的金屬構(gòu)成覆蓋層。
      [0049][應(yīng)用例13]
      [0050]本發(fā)明的量子干涉裝置的特征在于,該量子干涉裝置具有本發(fā)明的量子干涉單
      J L.ο
      [0051]由此,能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)電化,并且防止或減小由封裝的磁化引起的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的特性變動(dòng)。
      [0052][應(yīng)用例14]
      [0053]本發(fā)明的原子振蕩器的特征在于,該原子振蕩器具有本發(fā)明的量子干涉單元。
      [0054]由此,能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)電化,并且防止或減小由封裝的磁化引起的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的特性變動(dòng)。
      [0055][應(yīng)用例15]
      [0056]本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于,該電子設(shè)備具有本發(fā)明的量子干涉單元。
      [0057]由此,能夠提供具有優(yōu)異的可靠性的電子設(shè)備。
      [0058][應(yīng)用例16]
      [0059]本發(fā)明的移動(dòng)體的特征在于,該移動(dòng)體具有本發(fā)明的量子干涉單元。
      [0060]由此,能夠提供具有優(yōu)異的可靠性的移動(dòng)體。
      【附圖說明】
      [0061]圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式的原子振蕩器(量子干涉裝置)的概略圖。
      [0062]圖2是用于說明堿金屬的能量狀態(tài)的圖。
      [0063]圖3是示出來自光射出部的兩個(gè)光的頻率差、與光檢測(cè)部的檢測(cè)強(qiáng)度之間的關(guān)系的曲線圖。
      [0064]圖4是示出圖1所示的原子振蕩器具有的量子干涉單元的構(gòu)造的剖視圖。
      [0065]圖5是用于說明圖4所示的量子干涉單元具有的封裝、線圈和磁屏蔽罩的局部放大剖視圖。
      [0066]圖6是示出在利用GPS衛(wèi)星的定位系統(tǒng)中使用本發(fā)明的原子振蕩器的情況下的概略結(jié)構(gòu)的圖。
      [0067]圖7是示出具有本發(fā)明的原子振蕩器的移動(dòng)體(汽車)的結(jié)構(gòu)的立體圖。
      [0068]標(biāo)號(hào)說明
      [0069]1:原子振湯器;2:主要部分;3:封裝;4:支撐部件;5:控制部;7:磁屏蔽罩;10:量子干涉單元;21:氣室;22:光射出部;24:光檢測(cè)部;25:加熱器;26:溫度傳感器;27:線圈;28:基板;29:連接部件;30:粘接劑;31:基體;32:蓋體;33:金屬化層;34:焊料;41:腳部;42:連結(jié)部;43:柱部;51:激勵(lì)光控制部;52:溫度控制部;53:磁場(chǎng)控制部;100:定位系統(tǒng);200:GPS衛(wèi)星;211:主體部;212:窗部;213:窗部;231:光學(xué)部件;232:光學(xué)部件;291:連接部件;292:連接部件;300:基站裝置;301:天線;302:接收裝置;303:天線;304:發(fā)送裝置;321:金屬層;322:覆蓋層;322a:表層;322b:基底層;400:GPS接收裝置;401:天線;402:衛(wèi)星接收部;403:天線;404:基站接收部;1500:移動(dòng)體;1501:車體;1502:車輪;g:距1? ;LL:激勵(lì)光;S:內(nèi)部空間。
      【具體實(shí)施方式】
      [0070]
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