傳感器芯片的靜電處理方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明實施例設(shè)及傳感器巧片技術(shù)，尤其設(shè)及一種傳感器巧片的靜電處理方法和 裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)實生活中，由于摩擦現(xiàn)象的存在，導(dǎo)致人體W及周圍的物體帶有電荷，也稱靜 電（staticElectricity)。當人體與該些物體接觸或者接近接觸時，由于兩者電荷電位的 差異會導(dǎo)致電荷的流動。特別是在相對濕度較低的環(huán)境下，會伴隨著短暫的瞬間大電流的 產(chǎn)生。該種現(xiàn)象被稱為靜電放電巧SD，ElectrostaticDischarge)。
[0003] 對于電子產(chǎn)品來說，靜電放電問題輕則會使巧片內(nèi)部寄存器中存儲的數(shù)據(jù)被擾 亂，造成巧片工作異常（例如，用戶在通話過程中的誤掛斷電話等），重則還會擊穿或損壞 巧片，降低電子產(chǎn)品的使用壽命。因此，在電子終端設(shè)備飛速發(fā)展的今天，如何降低或者消 除靜電對電子產(chǎn)品的影響，是電子終端廠商不斷力求突破的一個焦點問題。
[0004] 在現(xiàn)有技術(shù)中，主要通過在電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)和硬件方面進行改進W減少或者解決 靜電問題，采取該種手段必然會導(dǎo)致電子設(shè)備的制造成本升高，工藝變得復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種傳感器巧片的靜電處理方法和裝置，W優(yōu)化現(xiàn) 有的靜電處理技術(shù)，滿足人們?nèi)找嬖鲩L的簡單化、節(jié)約化的靜電處理需求。
[0006] 在第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種傳感器巧片的靜電處理方法，包括：
[0007] 在傳感器巧片處于工作狀態(tài)時，讀取所述傳感器巧片中標識寄存器的當前寄存 值，其中，所述標識寄存器為存儲設(shè)定配置參數(shù)的寄存器；
[000引在所述當前寄存值與預(yù)存的標準寄存值不同時，對所述傳感器巧片進行復(fù)位處 理，W消除所述傳感器巧片中的靜電。
[0009] 在第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種傳感器巧片的靜電處理裝置，包括：
[0010] 當前寄存值讀取模塊，用于在傳感器巧片處于工作狀態(tài)時，讀取所述傳感器巧片 中標識寄存器的當前寄存值，其中，所述標識寄存器為存儲設(shè)定配置參數(shù)的寄存器；
[0011] 復(fù)位模塊，用于在所述當前寄存值與預(yù)存的標準寄存值不同時，對所述傳感器巧 片進行復(fù)位處理，W消除所述傳感器巧片中的靜電。
[0012] 本發(fā)明實施例通過在傳感器巧片處于工作狀態(tài)時，將用于存儲設(shè)定配置參數(shù)的標 識寄存器的當前值與預(yù)存的標準寄存值進行比對，如果根據(jù)比對結(jié)果確定標識寄存器中存 儲的數(shù)值發(fā)生變化，則確定該傳感器巧片受到靜電影響進而復(fù)位該傳感器巧片的技術(shù)手 段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中通過對電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)和硬件方面進行改進W減少或者解決靜電問 題而帶來的電子設(shè)備的制造成本升高，工藝變得復(fù)雜等問題，減小了電子設(shè)備在防靜電方 面的經(jīng)濟投入，降低了工藝復(fù)雜度，此外，能夠在電子設(shè)備的使用過程中及時發(fā)現(xiàn)靜電問題 并及時恢復(fù)，提高了用戶體驗。
【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明第一實施例的一種傳感器巧片的靜電處理方法的流程圖；
[0014] 圖2是本發(fā)明第二實施例的一種傳感器巧片的靜電處理方法的流程圖；
[0015] 圖3是本發(fā)明第S實施例的一種傳感器巧片的靜電處理方法的流程圖；
[0016] 圖4是本發(fā)明第四實施例的一種傳感器巧片的靜電處理方法的流程圖；
[0017] 圖5a是本發(fā)明實施例的一種具體應(yīng)用場景的示意圖；
[0018] 圖化是本發(fā)明實施例的具體應(yīng)用場景中的定時器處理流程示意圖；
[0019] 圖6是本發(fā)明第五實施例的一種傳感器巧片的靜電處理裝置的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0020] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明具體實 施例作進一步的詳細描述。可W理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明， 而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān) 的部分而非全部內(nèi)容。
[0021] 第一實施例
[0022] 圖1為本發(fā)明第一實施例提供的一種傳感器巧片的靜電處理方法的流程圖，本實 施例的方法可W由傳感器巧片的靜電處理裝置來執(zhí)行，該裝置可通過硬件和/或軟件的方 式實現(xiàn)，并一般可W集成于配置有所述傳感器巧片的終端設(shè)備中。例如，智能手機或者平板 電腦等，對此并不進行限制。
[0023] 本實施例的方法具體包括如下步驟；
[0024] 110、在傳感器巧片處于工作狀態(tài)時，讀取所述傳感器巧片中標識寄存器的當前寄 存值，其中，所述標識寄存器為存儲設(shè)定配置參數(shù)的寄存器。
[0025] 目前，市面上流行的各種智能終端設(shè)備，均具有一個或者多個傳感器，該些傳感器 通過探測并獲取外界信號、光、熱量W及溫度等物理參量，并按一定規(guī)律變換成為電信號或 其他所需形式的信息輸出，使得終端設(shè)備能夠越來越智能化。其中，按照傳感器所具有的功 能，可W將傳感器分為：重力傳感器，加速度傳感器、環(huán)境光傳感器、接近傳感器W及手勢傳 感器等。
[0026] 在本實施例中，所述傳感器巧片可W為僅具有一個傳感器功能的巧片，也可W為 同時兼容有多個傳感器功能的巧片，對此并不進行限制。例如，AMS(奧地利微電公司）的 TMG399X傳感器巧片中同時集成有環(huán)境光傳感器（簡稱AL巧功能、接近傳感器（簡稱PROX) 功能W及四個方向上的手勢傳感器（簡稱GE巧功能等。
[0027] 一般來說，傳感器巧片中具有多個寄存器，該些寄存器的用途主要包括：存儲設(shè)定 配置參數(shù)（例如，正常工作時的各類配置參數(shù)或者測量算法的配置參數(shù)等），W及存儲實時 測量值等。其中，用于存儲實時測量值的寄存器中的寄存值會實時變化，而用于存儲設(shè)定配 置參數(shù)的寄存器中的寄存值則會始終保持不變。
[002引因此，在本實施例中，通過檢測傳感器巧片中存儲有設(shè)定配置參數(shù)的標識寄存器 中的寄存值是否發(fā)生變化的方式，來判斷該傳感器巧片是否存在靜電。
[0029] 其中，當用戶通過人機交互界面或者操作系統(tǒng)后臺開啟一個傳感器功能時，會觸 發(fā)產(chǎn)生與該傳感器功能對應(yīng)的傳感器巧片開啟事件，相應(yīng)的，當用戶通過人機交互界面或 者操作系統(tǒng)后臺關(guān)閉一個傳感器功能時，會觸發(fā)產(chǎn)生與該傳感器功能對應(yīng)的傳感器巧片關(guān) 閉事件。
[0030] 在本實施例中，可W通過實時檢測上述傳感器巧片開啟事件W及傳感器巧片關(guān)閉 事件，來確定傳感器巧片是否處于工作狀態(tài)；或者
[003U也可W首先為傳感器巧片設(shè)置一個工作標識（例如；sensor_work_flag)，該工 作標識會根據(jù)檢測到的傳感器巧片開啟事件或者傳感器巧片關(guān)閉事件而設(shè)置為不同的值 (例如，sensor_work_flag在檢測到傳感器巧片開啟事件時被設(shè)置為"1"，在檢測到傳感器 巧片關(guān)閉事件時被設(shè)置為"0")，因此，可W通過直接檢測該工作標識的方式，來確定傳感器 巧片是否處于工作狀態(tài)。
[0032] 120、在所述當前寄存值與預(yù)存的標準寄存值不同時，對所述傳感器巧片進行復(fù)位 處理，W消除所述傳感器巧片中的靜電。
[0033] 在本實施例中，需要首先將傳感器巧片中各標識寄存器中的寄存值作為標準寄存 值進行存儲；之后在傳感器巧片處于工作狀態(tài)時，讀取該傳感器巧片中標識寄存器的當前 寄存值與預(yù)存的標準寄存器進行比對；若不一致，則確定該傳感器巧片中存在有靜電，進而 對所述傳感器巧片進行復(fù)位處理，W消除所述傳感器巧片中的靜電。
[0034] 其中，由于標識寄存器的數(shù)目一般為多個，因此，可W在對比過程中發(fā)現(xiàn)一個標識 寄存器的當前寄存值與預(yù)存的標準寄存值不同時，即對所述傳感器巧片進行復(fù)位處理；