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      一種產(chǎn)生快前沿高電壓單脈沖矩形波的電脈沖發(fā)生裝置的制造方法

      文檔序號:8545943閱讀:685來源:國知局
      一種產(chǎn)生快前沿高電壓單脈沖矩形波的電脈沖發(fā)生裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種單脈沖矩形波發(fā)生裝置,特別是涉及一種產(chǎn)生前沿< 0.8ns、幅值15?50kV可調(diào)、寬度為1ns左右的高電壓單脈沖矩形波發(fā)生裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]單脈沖矩形波發(fā)生裝置用于產(chǎn)生具有一定寬度的單脈沖矩形波,由于發(fā)生裝置中開關(guān)及連接結(jié)構(gòu)等非理想因素的限制,實際輸出波形為具有一定前后沿的近似梯形波。在不與GB/T 9317-1988中方波定義相混淆的情況下,為與本領(lǐng)域通常稱呼相一致,在本發(fā)明中稱這種矩形波為方波。其發(fā)生裝置稱為方波發(fā)生器。
      [0003]方波發(fā)生器在高電壓、脈沖功率技術(shù)和電磁脈沖效應(yīng)研宄等領(lǐng)域中有重要的用途,例如校驗測量系統(tǒng)、作為效應(yīng)實驗信號源等。隨著技術(shù)的發(fā)展,前沿為數(shù)納秒的脈沖在上述領(lǐng)域中經(jīng)常會遇到。在這種情況下,對于高電壓、大電流的測量而言,如果對分壓器、分流器、羅可夫斯基(Rogowski)線圈等測量系統(tǒng)進行方波響應(yīng)校驗,就要求方波脈沖信號不但有快的前沿,而且要有高的幅值。如果使用幅值較低的方波作為方波響應(yīng)實驗的信號源,經(jīng)測量系統(tǒng)衰減后的輸出信號就很微弱,易受電磁干擾的影響,不易給出正確的結(jié)果。此夕卜,電磁脈沖效應(yīng)研宄對快前沿、高幅值的脈沖信號源的需求越來越迫切,對方波發(fā)生器同樣提出了快前沿和高幅值的要求。因此,研制前沿< 1ns、幅值50kV左右的高電壓方波發(fā)生器是很必要和有實際意義的。
      [0004]已經(jīng)公開發(fā)表的方波脈沖發(fā)生器的研宄有以下文獻:
      [0005][I]毛志國,鄒曉兵,劉銳等.一種1kV方波電壓發(fā)生器[J].高電壓技術(shù).2007,33(10)41 ?44
      [0006][2]劉銳,鄒曉兵,王新新.用于標定分壓器的高電壓毫微秒脈沖發(fā)生器[J].電工電能新技術(shù).200625 (02) 64?66
      [0007][3]張琦,石立華,邵志學.50 Ω輸出的四形成線納秒級高電壓方波發(fā)生器設(shè)計[J].電波科學學報2011,26(5):938?943
      [0008][4]賀元吉,張亞洲,李傳臚.一種高壓ns級脈沖形成電路.高電壓技術(shù),2000,26(4): 13 ?15
      [0009][5] S.Katsuki, K.Moreira, F.Dobbs et al.Bacterial decontaminat1nwith nanosecond pulsed electric fields.Power Modulator Symposium,2002and2002High-Voltage Workshop, July, 2002:648-651
      [0010]文獻[1-4]采取同軸傳輸線配合氣體火花開關(guān)或真空開關(guān)產(chǎn)生方波脈沖,前沿最短做到2ns,幅值最高10kV。
      [0011]文獻[5]使用固態(tài)三板傳輸線配場畸變開關(guān)產(chǎn)生方波脈沖,生成前沿2ns、幅值30kV的方波脈沖。
      [0012]以上文獻中所使用的開關(guān)均為氣體開關(guān),間隙電感較大,不易達到前沿0.8ns的指標。目前,滿足前沿小于2ns的方波發(fā)生器通常使用汞潤開關(guān)作為其中的閉合開關(guān),雖然輸出方波的前沿很快,但方波的幅值通常只有幾百伏到2kV左右。目前了解到國內(nèi)外一些方波發(fā)生器的性能參數(shù),這些方波發(fā)生器尚不能同時滿足幅值高和前沿快兩個方面的要求,或者技術(shù)過于復(fù)雜。
      [0013]中國國家發(fā)明專利00113814.6(—種快前沿高電壓方波脈沖發(fā)生器)介紹了一種高電壓方波發(fā)生器,該發(fā)生器使用單個放電間隙薄膜介質(zhì)開關(guān),絕緣薄膜一側(cè)的開關(guān)電極為杯蓋形,內(nèi)部安裝針狀金屬細桿,利用電磁鐵驅(qū)動撞擊薄膜進行觸發(fā)。絕緣薄膜另一側(cè)的開關(guān)電極采取套筒狀變直徑同軸結(jié)構(gòu),與單根或多根并聯(lián)的工業(yè)標準同軸電纜相連,傳輸線與開關(guān)結(jié)構(gòu)相應(yīng),采用單根或多根并聯(lián)的工業(yè)標準同軸電纜,布置為雙傳輸線形式,中間接阻抗為傳輸線阻抗2倍的負載。工作時給傳輸線加高電壓,驅(qū)動電磁鐵觸發(fā)薄膜開關(guān)使之快速閉合,在傳輸線中引起電磁波折、反射過程,在負載上形成方波脈沖。該方波脈沖由標準同軸電纜引出。對按該發(fā)明設(shè)計的原理樣機的測試結(jié)果表明,該發(fā)生器輸出方波脈沖的前沿可達I至2ns,電壓幅值可達12kV,波形規(guī)則。根據(jù)該專利技術(shù)內(nèi)容形成一篇文獻如下:
      [0014][6]馬連英,曾正中,費國強,等.基于絕緣薄膜開關(guān)的快前沿高壓方波發(fā)生器[J].電工電能新技術(shù),2001 (3):38-40
      [0015]相關(guān)專利00113814.6,所存在的問題有:
      [0016]a、輸出端為同軸型輸出,對部分應(yīng)用不方便,例如對于非同軸結(jié)構(gòu)的分壓器、分流器等,在同軸型輸出的方波發(fā)生器上標定并不方便,雖然可以采用轉(zhuǎn)換輸出結(jié)構(gòu),但轉(zhuǎn)換中將帶來波形畸變,影響標定等應(yīng)用。
      [0017]b、由于采用標準同軸電纜作為高電壓脈沖形成部件,為了配合同軸電纜而設(shè)計的同軸型薄膜開關(guān)的工作電壓偏低,難以滿足幅值在12kV以上的應(yīng)用需求。
      [0018]C、薄膜開關(guān)橫向放置,容易磨損,對開關(guān)設(shè)計與加工精度的要求高,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,降低了可靠性。
      [0019]專利201420058247 (—種基于薄膜開關(guān)的全自動方波發(fā)生器)是在專利00113814.6基礎(chǔ)上增加了自動換膜裝置,并未解決以上問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0020]針對現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題,本發(fā)明的目的是獲得一種前沿< 0.8ns、電壓幅值15?50kV可調(diào)的針對非同軸結(jié)構(gòu)應(yīng)用的方波發(fā)生器。本發(fā)明采用三板傳輸線結(jié)構(gòu),解決了專利00113814.6在非同軸結(jié)構(gòu)應(yīng)用中波形畸變的問題;該結(jié)構(gòu)更方便非同軸結(jié)構(gòu)測量探頭的安裝測試,也容易將電壓提升至50kV。另外,本發(fā)明通過采用垂直放置薄膜開關(guān)的方式,減小了磨損,在設(shè)計與加工方面不需高要求也可達到足夠的定位精度,提高了可靠性。
      [0021]本發(fā)明的技術(shù)解決方案:
      [0022]一種產(chǎn)生快前沿高電壓單脈沖矩形波的電脈沖發(fā)生裝置,包括主機和薄膜開關(guān),其特殊之處在于:所述主機包括主機外殼1、下板電極2、中板電極3、上板電極4、中板引出電極5、上板引出電極6、至少三個下板支撐絕緣子10、至少三個第一通用支撐絕緣子11、至少三個第二通用支撐絕緣子32、下脈沖輸出電極12、上脈沖輸出電極13,主機蓋板18和負載電阻15 ;
      [0023]所述下板支撐絕緣子10固定在主機外殼I底部,所述下板電極2固定在下板支撐絕緣子10上,所述下脈沖輸出電極12穿過主機外殼I的側(cè)壁且與下板電極2固定連接,所述下脈沖輸出電極12與主機外殼I的側(cè)壁密封連接;
      [0024]所述第一通用支撐絕緣子11固定在下板支撐絕緣子10上方,所述中板電極3固定在第一通用支撐絕緣子11上,所述中板引出電極5的一端與中板電極3固定連接,所述中板引出電極5的另一端穿過主機外殼I的側(cè)壁且與主機外殼I接觸處密封連接;
      [0025]所述第二通用支撐絕緣子32固定在第一通用支撐絕緣子11上,所述上板電極4固定在第二通用支撐絕緣子32上,所述上脈沖輸出電極13穿過主機外殼I的側(cè)壁且與上板電極4固定連接,所述上脈沖輸出電極13與主機外殼I的側(cè)壁密封連接;所述上板引出電極6穿過主機外殼I的側(cè)壁且與上板電極4固定連接,所述上板引出電極6與主機外殼I的側(cè)壁密封連接;所述主機蓋板18位于主機殼體I上方;
      [0026]所述負載電阻15固定在下脈沖輸出電極12和上脈沖輸出電極13之間,所述薄膜開關(guān)19固定在中板引出電極5和上板引出電極6之間。
      [0027]上述薄膜開關(guān)19包括下電極20、上電極21、觸發(fā)針22、觸發(fā)針拉桿23、連接座24、觸發(fā)電磁鐵25、觸發(fā)針復(fù)位彈簧26、電磁鐵吸盤27、換膜電磁鐵28、換膜復(fù)位彈簧29、電磁鐵固定板30和絕緣薄膜31 ;
      [0028]所述下電極20固定在中板引出電極5上,所述上電極21固定在上板引出電極6上,所述觸發(fā)針拉桿23和觸發(fā)針22固定連接,所述觸發(fā)針22位于上電極21內(nèi),所述觸發(fā)針拉桿23的另一端穿過觸發(fā)電磁鐵25與觸發(fā)針復(fù)位彈簧26后同觸發(fā)針復(fù)位彈簧26另一端緊固。所述觸發(fā)電磁鐵25和上電極21固定連接,所述觸發(fā)電磁鐵25另一端和電磁鐵吸盤27緊固。所述連接座24固定在上板引出電極6上,所述觸發(fā)針拉桿23、觸發(fā)電磁鐵25、觸發(fā)針復(fù)位彈簧26和電磁鐵吸盤27均位于連接
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