，所述集電極和輸出端B之間連接有第三電阻25。
[0021]所述電流變換檢測電路可用于在IGBT關(guān)斷時，檢測電路中電流的變化情況，電流變換檢測電路檢測的電流變化率與所述第二電阻的阻值和電容器的電容相對應(yīng)，即通過設(shè)置電容器和電容的數(shù)值可實現(xiàn)對不同電流變化率的檢測。
[0022]進(jìn)一步地，所述柵極電阻變化電路30具體包括:第二晶體管31、第三晶體管32、二極管33、第四電阻34、以及第五電阻35。其中，所述第四電阻34與所第一電阻40相串聯(lián)，且所述第四電阻34的兩端并聯(lián)有第二晶體管31和二極管33，所述第二晶體管31和二極管33之間相互串聯(lián)，所述第二晶體管31的基極串聯(lián)有所述第五電阻35和第三晶體管32，所述第三晶體管32的基極與第一晶體管21的集電極相連接。
[0023]所述第四電阻34在IGBT開通時，被與其相并聯(lián)的第二晶體管31短路。具體地，IGBT開通時，柵極電阻僅為第一電阻40，此時柵極電阻的阻值等于第一電阻40的阻值；當(dāng)所述電流變換檢測電路20檢測到電流減小時，即IGBT關(guān)斷時，所述柵極電阻變化電路30中第二晶體管31由開通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)，所述第三晶體管32由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換為開通狀態(tài)，從而第一電阻40與第四電阻34共同形成IGBT的柵極電阻，此時柵極電阻34相對IGBT開通時變大，IGBT關(guān)斷時柵極電阻的阻值為第一電阻40和第四電阻34的阻值之和。從而，本發(fā)明的電路滿足了 IGBT開通時對小柵極電阻的需求，而在關(guān)斷時對相對大阻值柵極電阻的需求，平衡了 IGBT開通和關(guān)斷時的矛盾。
[0024]優(yōu)選地，如上所述的第一晶體管21、第二晶體管31、第三晶體管32為三極管。
[0025]綜上所述，本發(fā)明的改善IGBT關(guān)斷性能的電路能夠改變IGBT關(guān)斷過程中IGBT的柵極電阻的大小，滿足IGBT開通時小柵極電阻、關(guān)斷時相對大柵極電阻的需求。解決了關(guān)斷損耗與電壓過沖之間的矛盾，提高了 IGBT關(guān)斷性能。保證IGBT具有小關(guān)斷損耗的同時降低了芯片過壓風(fēng)險，滿足了 IGBT芯片低關(guān)斷損耗及高可靠性的要求。
[0026]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0027]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述改善IGBT關(guān)斷性能的電路包括:IGBT、電流變化檢測電路、以及柵極電阻變化電路，所述IGBT與第一電阻相串聯(lián)； 所述電流變換檢測電路包括:第一晶體管、電容器、分流電阻，所述第一晶體管與所述電容器相串聯(lián)，且與所述分流電阻相并聯(lián)，所述第一晶體管的基極和集電極分別與供電端和輸出端相連接，所述基極和供電端之間連接有第二電阻，所述集電極和輸出端之間連接有第三電阻； 所述柵極電阻變化電路包括:第二晶體管、第三晶體管、二極管、第四電阻、以及第五電阻；所述第四電阻與所第一電阻相串聯(lián)，且所述第四電阻的兩端并聯(lián)有第二晶體管和二極管，所述第二晶體管和二極管之間相互串聯(lián)，所述第二晶體管的基極串聯(lián)有所述第五電阻和第三晶體管，所述第三晶體管的基極與第一晶體管的集電極相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述電流變換檢測電路檢測到關(guān)斷時的電流減小時，所述柵極電阻變化電路中第二晶體管由開通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)，所述第三晶體管由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)換為開通狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述IGBT開通時，IGBT柵極電阻的阻值為第一電阻的阻值，所述IGBT關(guān)斷時，IGBT柵極電阻的阻值為第一電阻和第四電阻的阻值之和。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述IGBT開通時，所述柵極電阻變化電路中的第四電阻被第二晶體管短路，所述IGBT關(guān)斷時，所述第一電阻和第四電阻形成柵極電阻。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述電流變換檢測電路檢測的電流變化速率與所述第二電阻的阻值和電容器的電容相對應(yīng)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管為三極管。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善IGBT關(guān)斷性能的電路，其包括：IGBT、電流變化檢測電路、以及柵極電阻變化電路，所述IGBT與第一電阻相串聯(lián)；所述電流變換檢測電路包括：第一晶體管、電容器、分流電阻，所述第一晶體管的基極和集電極分別與供電端和輸出端相連接，所述基極和供電端之間連接有第二電阻，所述集電極和輸出端之間連接有第三電阻；所述柵極電阻變化電路包括：第二晶體管、第三晶體管、二極管、第四電阻、以及第五電阻。本發(fā)明的改善IGBT關(guān)斷性能的電路能夠改變IGBT關(guān)斷過程中IGBT的柵極電阻的大小，滿足IGBT開通時小柵極電阻、關(guān)斷時相對大柵極電阻的需求。解決了關(guān)斷損耗與電壓過沖之間的矛盾，提高了IGBT關(guān)斷性能。
【IPC分類】H03K17/567
【公開號】CN104883167
【申請?zhí)枴緾N201410073568
【發(fā)明人】曹琳
【申請人】西安永電電氣有限責(zé)任公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年2月28日