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      一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法及電子設(shè)備的制造方法

      文檔序號(hào):9239089閱讀:732來源:國知局
      一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法及電子設(shè)備的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法及電子設(shè)備。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,各種各樣的電子設(shè)備蜂擁而現(xiàn),如智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理等。電子設(shè)備極大的方便了人們的生活,人們使用電子設(shè)備可上網(wǎng)、看書、聽音樂、玩游戲等。
      [0003]隨著電子技術(shù)的發(fā)速發(fā)展,電子設(shè)備的性能也越來越好,例如處理器的處理速度越來越快,拍攝得到的照片清晰度也越來越高,充電時(shí)間也越來越短。但是,性能的提高所產(chǎn)生的一個(gè)副作用便是電子設(shè)備在運(yùn)行過程中極易發(fā)熱。而在現(xiàn)有技術(shù)中,只有對(duì)電子設(shè)備的PCB(Printed Circuit Board,印制電路板)板或者內(nèi)置芯片的溫度檢測方案,并不能夠?qū)﹄娮釉O(shè)備外殼的溫度進(jìn)行檢測。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法及電子設(shè)備,以對(duì)現(xiàn)有的溫度檢測方案進(jìn)行優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)對(duì)電子外殼溫度的檢測。
      [0005]一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法,該方法包括:
      [0006]獲取熱敏元件感測到的溫度,其中所述熱敏元件被置備在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上預(yù)設(shè)的易發(fā)熱位置處;
      [0007]在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制所述電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),以對(duì)所述電子設(shè)備外殼進(jìn)行降溫。
      [0008]進(jìn)一步的,所述易發(fā)熱位置包括如下至少一處位置:所述電子設(shè)備的處理芯片垂直投影在所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第一位置,所述電子設(shè)備的充電芯片垂直投影在所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第二位置,以及,所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上鄰近所述電子設(shè)備的攝像頭、且未在所述攝像頭拍攝角度范圍內(nèi)的第三位置。
      [0009]進(jìn)一步的,在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制所述電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),包括:
      [0010]在置備在所述第一位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第一門限值后,更改所述電子設(shè)備的處理芯片的工作參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的處理性能。
      [0011]進(jìn)一步的,在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制所述電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),包括:
      [0012]在置備在所述第二位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第二門限值后,更改所述電子設(shè)備的充電參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的充電性能。
      [0013]進(jìn)一步的,在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制所述電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),包括:
      [0014]在置備在所述第三位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第三門限值后,更改所述攝像頭的圖像采集參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的拍攝性能。
      [0015]另一方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備,該設(shè)備包括:處理芯片、外殼以及熱敏元件;
      [0016]其中,所述熱敏元件置備在所述外殼內(nèi)表面上預(yù)設(shè)的易發(fā)熱位置處,且與所述處理芯片連接;
      [0017]所述處理芯片,用于:獲取熱敏元件感測到的溫度;在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制所述電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),以對(duì)所述電子設(shè)備外殼進(jìn)行降溫。
      [0018]進(jìn)一步的,所述電子設(shè)備還包括:攝像頭和充電芯片;
      [0019]所述易發(fā)熱位置包括如下至少一處位置:所述電子設(shè)備的處理芯片垂直投影在所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第一位置,所述電子設(shè)備的充電芯片垂直投影在所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第二位置,以及,所述電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上鄰近所述電子設(shè)備的攝像頭、且未在所述攝像頭拍攝角度范圍內(nèi)的第三位置。
      [0020]進(jìn)一步的,所述處理芯片,用于:
      [0021]在置備在所述第一位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第一門限值后,更改所述電子設(shè)備的處理芯片的工作參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的處理性能。
      [0022]進(jìn)一步的,所述處理芯片,用于:
      [0023]在置備在所述第二位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第二門限值后,更改所述電子設(shè)備的充電參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的充電性能。
      [0024]進(jìn)一步的,所述處理芯片,用于:
      [0025]在置備在所述第三位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第三門限值后,更改所述攝像頭的圖像采集參數(shù),以使降低所述電子設(shè)備的拍攝性能。
      [0026]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案,通過在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面易發(fā)熱位置處設(shè)置熱敏元件,來精確檢測外殼表面溫度,然后配合軟件處理,達(dá)到優(yōu)化電子設(shè)備表面溫升,提升電子設(shè)備性能和用戶體驗(yàn)的價(jià)值。
      【附圖說明】
      [0027]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法的流程示意圖;
      [0028]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種設(shè)置在智能手機(jī)外殼內(nèi)表面上的熱敏元件的位置示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0029]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
      [0030]在更加詳細(xì)地討論示例性實(shí)施例之前應(yīng)當(dāng)提到的是,一些示例性實(shí)施例被描述成作為流程圖描繪的處理或方法。雖然流程圖將各項(xiàng)操作(或步驟)描述成順序的處理,但是其中的許多操作可以被并行地、并發(fā)地或者同時(shí)實(shí)施。此外,各項(xiàng)操作的順序可以被重新安排。當(dāng)其操作完成時(shí)所述處理可以被終止,但是還可以具有未包括在附圖中的附加步驟。所述處理可以對(duì)應(yīng)于方法、函數(shù)、規(guī)程、子例程、子程序等等。
      [0031]實(shí)施例一
      [0032]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種控制電子設(shè)備外殼溫度的方法的流程示意圖。該方法可以由控制電子設(shè)備外殼溫度的方法的裝置來執(zhí)行,所述裝置由軟件實(shí)現(xiàn),存儲(chǔ)于電子設(shè)備的存儲(chǔ)器中,被電子設(shè)備的處理芯片執(zhí)行。
      [0033]參見圖1,本實(shí)施例提供的控制電子設(shè)備外殼溫度的方法具體包括如下步驟SllO和步驟S120。
      [0034]步驟S110、獲取熱敏元件感測到的溫度,其中熱敏元件被置備在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上預(yù)設(shè)的易發(fā)熱位置處。
      [0035]在本實(shí)施例中,電子設(shè)備可以是諸如智能手機(jī)、平板電腦或個(gè)人數(shù)字助理之類的具有外殼的手持設(shè)備。優(yōu)選的,所述電子設(shè)備為智能手機(jī)。熱敏元件由物理性質(zhì)隨溫度變化而發(fā)生變化的敏感材料制成,例如:易熔合金或熱敏絕緣材料、雙金屬片、熱電偶、熱敏電阻、半導(dǎo)體材料等。熱敏元件能夠?qū)崟r(shí)地根據(jù)當(dāng)前感測到的敏感材料的變化量確定當(dāng)前溫度。
      [0036]易發(fā)熱位置為電子設(shè)備外殼上任何發(fā)熱較為嚴(yán)重的位置,例如可以是:位于電子設(shè)備外殼內(nèi)表面,且鄰近處理芯片的位置、充電芯片的位置、攝像頭的位置等。所述易發(fā)熱位置可由開發(fā)人員預(yù)先根據(jù)電子設(shè)備的各個(gè)部件在運(yùn)行時(shí)的產(chǎn)熱量靈活設(shè)定。不同的電子設(shè)備,預(yù)設(shè)的易發(fā)熱位置可能不同。
      [0037]步驟S120、在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),以對(duì)電子設(shè)備外殼進(jìn)行降溫。
      [0038]如果獲取到的溫度較高,超過了預(yù)設(shè)的門限值,則需對(duì)電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)加以控制,使得電子設(shè)備外殼的溫度低于該門限值。例如,可以關(guān)閉電子設(shè)備上未處于前臺(tái)運(yùn)行模式且功耗較高的應(yīng)用;或者,對(duì)電子設(shè)備上處于運(yùn)行狀態(tài)且功耗較高的應(yīng)用的運(yùn)行參數(shù)加以調(diào)整,以通過犧牲應(yīng)用的運(yùn)行性能,來降低電子設(shè)備運(yùn)行該應(yīng)用所產(chǎn)生的熱量。
      [0039]在本實(shí)施例中,易發(fā)熱位置可以是一處、兩處或多處。在每處易發(fā)熱位置所設(shè)置的熱敏元件可以為一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)。在獲取到設(shè)置在各處易發(fā)熱位置的所有熱敏元件感測到的溫度之后,計(jì)算這些溫度的平均值,將該平均值與預(yù)設(shè)的門限值加以比較,進(jìn)而根據(jù)比較結(jié)果,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),以對(duì)電子設(shè)備外殼進(jìn)行降溫。
      [0040]為更加精確的對(duì)外殼溫度進(jìn)行控制,可為不同處的易發(fā)熱位置,分配不同的門限值。在獲取到設(shè)置在某一處易發(fā)熱位置的所有熱敏元件感測到的溫度后,計(jì)算這些溫度的平均值,如果該平均值超過預(yù)設(shè)的為該處易發(fā)熱位置分配的門限值,則控制電子設(shè)備上鄰近該處易發(fā)熱位置的應(yīng)用的運(yùn)行狀態(tài),以對(duì)電子設(shè)備外殼的該處易發(fā)熱位置進(jìn)行降溫。
      [0041]本實(shí)施例提供的技術(shù)方案,通過在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面易發(fā)熱位置處設(shè)置熱敏元件,來精確檢測外殼表面溫度,然后配合軟件處理,達(dá)到優(yōu)化電子設(shè)備表面溫升,提升電子設(shè)備性能和用戶體驗(yàn)的價(jià)值。
      [0042]實(shí)施例二
      [0043]本實(shí)施例在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上,對(duì)電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上易發(fā)熱位置進(jìn)行優(yōu)化,并針對(duì)優(yōu)化后的易發(fā)熱位置,具體給出相應(yīng)的外殼溫度保護(hù)算法。
      [0044]在本實(shí)施例中,易發(fā)熱位置包括如下至少一處位置:
      [0045]電子設(shè)備的處理芯片垂直投影在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第一位置;電子設(shè)備的充電芯片垂直投影在電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上的第二位置;以及,
      [0046]電子設(shè)備外殼內(nèi)表面上鄰近電子設(shè)備的攝像頭、且未在攝像頭拍攝角度范圍內(nèi)的第三位置。
      [0047]相應(yīng)的,對(duì)于實(shí)施例一中提供的步驟S120,在所述溫度超過預(yù)設(shè)的門限值后,基于設(shè)定的外殼溫度保護(hù)算法控制電子設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),包括:
      [0048]在置備在第一位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第一門限值后,更改電子設(shè)備的處理芯片的工作參數(shù),以使降低電子設(shè)備的處理性能;和/或
      [0049]在置備在第二位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第二門限值后,更改電子設(shè)備的充電參數(shù),以使降低電子設(shè)備的充電性能;和/或
      [0050]在置備在第三位置處的熱敏元件感測到的溫度,超過預(yù)設(shè)的第三門限值后,更改攝像頭的圖像采集參數(shù),以使降低電子設(shè)備的拍攝性能。
      [0051 ] 其中,更改電子設(shè)備的處理芯片的工作參數(shù),可具體包括:降低處理芯片的工作主頻,減少處理芯片上處于工作狀態(tài)的CPU核數(shù)等;
      [0052]更改電子設(shè)備的充電參數(shù),可具體包括:降低充電電流等;
      [0053]
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