用于amoled列驅動電路的數(shù)模轉換電路及方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及平面顯示技術領域，特別是涉及一種用于AMOLED列驅動電路的數(shù)模 轉換電路及方法。
【背景技術】
[0002] 近年來，AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，有源矩陣有機 發(fā)光二極體）顯示技術以其高對比度、超輕薄、寬視角、顏色自然、響應速度快等優(yōu)勢，逐漸 被認為是取代IXD成為下一代主流顯示技術的最有力競爭者。AMOLED顯示系統(tǒng)包括0LED 發(fā)光面板和驅動電路兩部分，其中驅動電路，尤其是列驅動電路對AMOLED的顯示性能有重 要影響。要實現(xiàn)大面陣、高清顯示，就必須提高列驅動電路的分辨率和響應速度等性能。
[0003] 列驅動芯片中決定顯示分辨率的是其中的數(shù)模轉換電路（Digital-to-Analog Converter,DAC)。最常用于AMOLED列驅動芯片的DAC為電阻串結構DAC，其結構如圖1所 示，所述電阻串結構DAC1包括全局電阻串以及n位單電壓選擇開關陣列，輸入信號bQ~ bn :通過控制n位電壓選擇開關陣列從全局電阻串中選擇對應的參考電壓，實現(xiàn)數(shù)字信號 到模擬信號的轉換，這種單級電阻串DAC的優(yōu)點是結構簡單，均勻性好，并且可以通過調(diào)整 全局電阻串中電阻的大小方便的實現(xiàn)Ga_a校正，但是隨著精度的提高，其電壓選擇開關 陣列的開關數(shù)量呈指數(shù)增加，芯片面積也隨之增加，不適用于高分辨率的AMOLED顯示系統(tǒng) 中。
[0004] 為了減小DAC的面積，人們提出了兩級結構的DAC，如圖2所示為一種經(jīng)典兩級結 構的DAC，所述兩級結構DAC2的第一級DAC21包括全局電阻串和相鄰電壓選擇器211，由 輸入數(shù)字信號的高（n-m)位，即k~bnl控制，作用是從所述全局電阻串中選擇兩個相鄰的 參考電壓\及VH;第二級DAC22由電阻串和單電壓選擇器221組成，第一級DAC21得到的 相鄰電壓\及VH通過兩個單位增益緩沖器分別與第二級電阻串的頂部和底部相連接，所述 單電壓選擇器221由輸入數(shù)字信號的低m位，即b。~b"i控制，作用是從第二級電阻串中選 擇最終電壓，實現(xiàn)數(shù)字信號到模擬信號的轉換。兩級結構DAC與單級電阻串結構DAC相比， 其面積有很大程度的降低，但是相比單級電阻串DAC其仍存在一些不足，例如結構復雜，通 道間均勻性相對較低等，功耗較大等。
[0005] 綜上所述，傳統(tǒng)單級電阻串DAC隨著精度提高，面積指數(shù)增加，不適用于高分辨率 的AMOLED顯示系統(tǒng)。與單級電阻串DAC相比，相同精度的兩級結構DAC的面積大大降低， 但是存在結構復雜、通道間均勻性較低、功耗較大等問題。因此需要進一步優(yōu)化DAC結構， 使其在降低面積的同時盡可能的保持簡單、均勻性高及功耗低等優(yōu)勢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種用于AMOLED列驅動 電路的數(shù)模轉換電路及方法，用于解決現(xiàn)有技術中單級結構DAC面積大，兩級結構DAC結構 復雜、通道均勻性低、功耗大等問題。
[0007] 為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種用于AM0LED列驅動電路的數(shù) 模轉換電路，所述數(shù)模轉換電路至少包括：
[0008] 全局電阻串，包括串聯(lián)的第一電阻串及第二電阻串，所述第一電阻串接地，所述第 二電阻串連接于一參考電壓，所述參考電壓大于0 ;
[0009] 第一單電壓選擇模塊，連接于所述第一電阻串，接收數(shù)字信號的第1位至第m位， 并將所述數(shù)字信號的第1位至第m位轉換為對應的模擬信號，記為第一電壓；
[0010] 第二單電壓選擇模塊，連接于所述第二電阻串，接收所述數(shù)字信號的第（m+1)位 至第n位，并轉換為對應的模擬信號，記為第二電壓；
[0011] 加法模塊，連接于所述第一單電壓選擇模塊及所述第二單電壓選擇模塊，將所述 第一電壓與所述第二電壓相加，最終得到與所述數(shù)字信號對應的模擬信號。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一單電壓模塊中的開關陣列為樹形開關陣列、全譯碼開關陣列、二 維尋址開關陣列或三維尋址開關陣列。
[0013] 優(yōu)選地，所述第二單電壓模塊中的開關陣列為樹形開關陣列、全譯碼開關陣列、二 維尋址開關陣列或三維尋址開關陣列。
[0014] 優(yōu)選地，所述加法模塊包括運算放大器，所述運算放大器的同相輸入端分別經(jīng)由 第一輸入電阻和第二輸入電阻連接至所述第一電壓和所述第二電壓，所述運算放大器的反 相輸入端經(jīng)過采樣電阻后接地，所述運算放大器的輸出端經(jīng)過反饋電阻后連接到所述運算 放大器的反相輸入端。
[0015] 優(yōu)選地，所述第一電阻串包括2m個阻值相同的電阻，所述第二電阻串包括（2nm-l) 個阻值相同的電阻，其中，n為所述用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路的精度，m為[1 :n_l]區(qū)間內(nèi)的整數(shù)，所述第二電阻串中電阻的阻值為所述第一電阻串中電阻阻值的2m倍。 [0016] 為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供上述用于AM0LED列驅動電路的數(shù) 模轉換電路的數(shù)模轉換方法，所述數(shù)模轉換方法至少包括：
[0017] 所述第一單電壓選擇模塊根據(jù)所述數(shù)字信號的第1位至第m位從所述第一電阻串 上獲取第一電壓；所述第二單電壓選擇模塊根據(jù)所述數(shù)字信號的第（m+1)位至第n位從所 述第二電阻串上獲取第二電壓；藉由所述加法模塊將所述第一電壓及所述第二電壓相加， 得到與所述數(shù)字信號對應的模擬信號。
[0018] 優(yōu)選地，所述第一電壓的表達式為：
[0019]
[0020] 其中，VH為所述參考電壓。
[0021] 優(yōu)選地，所述第二電壓的表達式為：
[0022]
[0023] 其中，VH為所述參考電壓。
[0024] 如上所述，本發(fā)明的用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路及方法，具有以下有 益效果：
[0025] 本發(fā)明的用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路及方法結構簡單、開關數(shù)量大 大減少，進而減小數(shù)模轉換電路占用的芯片面積小，且電路中所有的參考電平均從全局電 阻串中選擇，通道間均勻性高。
【附圖說明】
[0026] 圖1顯示為現(xiàn)有技術中的電阻串結構DAC示意圖。
[0027] 圖2顯示為現(xiàn)有技術中的兩級結構DAC示意圖。
[0028] 圖3顯示為本發(fā)明的用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路示意圖。
[0029] 圖4顯示為本發(fā)明的用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路的具體結構示意圖。
[0030] 元件標號說明
[0031] 1 電阻串結構DAC
[0032] 2 兩級結構DAC
[0033] 21 第一級DAC
[0034] 211相鄰電壓選擇器
[0035] 22 第二級DAC
[0036] 221單電壓選擇器
[0037] 3 用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路
[0038] 31全局電阻串
[0039] 311第一電阻串
[0040] 312第二電阻串
[0041] 32第一單電壓選擇模塊
[0042] 33第二單電壓選擇模塊
[0043] 34加法模塊
[0044] 341運算放大器
【具體實施方式】
[0045] 以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書 所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實 施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離 本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0046] 請參閱圖3~圖4。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明 本發(fā)明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù) 目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其 組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
[0047]如圖3~圖4所示，本發(fā)明提供一種用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路3，所 述數(shù)模轉換電路至少包括：
[0048] 全局電阻串31，包括串聯(lián)的第一電阻串311及第二電阻串312,所述第一電阻串 312接地，所述第二電阻串312連接于一參考電壓VH，其中，所述參考電壓VH大于0。
[0049] 第一單電壓選擇模塊32,連接于所述第一電阻串311，接收數(shù)字信號的第1位至第 m位，并將所述數(shù)字信號的第1位至第m位轉換為對應的模擬信號，記為第一電壓\SB。
[0050] 第二單電壓選擇模塊33,連接于所述第二電阻串312,接收所述數(shù)字信號的第 (m+1)位至第n位，并轉換為對應的模擬信號，記為第二電壓VMSB。
[0051] 加法模塊34,連接于所述第一單電壓選擇模塊32及所述第二單電壓選擇模塊33， 將所述第一電壓\SB與所述第二電壓VMSB相加，最終得到與所述數(shù)字信號對應的模擬信號。
[0052] 所述用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路3包括兩部分，分別為由所述第一電 阻串311和所述第一單電壓選擇模塊32構成的精細分壓子DAC，受所述數(shù)字信號的低m位 (即第1位至第m位b。~b」控制；以及由所述第二電阻串312和所述第二單電壓選擇模 塊33構成的粗略分壓子DAC，受所述數(shù)字信號的高（n-m)位（即第m位至第n位k~bn》 控制；所述用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路3的輸出是由兩個子DAC輸出求和得到 的。其中，n為所述用于AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路3精度，m為精細分壓子DAC的 精度，而（n-m)為粗略分壓子DAC的精度，m為[1 :n-l]區(qū)間內(nèi)的整數(shù)。具體n的大小取決 于應用場合，不以本實施例為限，常用的DAC精度有8位、10位。在本實施例中，所述用于 AM0LED列驅動電路的數(shù)模轉換電路3的精度為10位，即n取10 ;所述精細分壓子DAC的精 度為3,即m取3;則所述粗略分壓子DAC的精度為7,其中m的可以為[1 :9]區(qū)間內(nèi)的任意 整數(shù)，不以本實施例為限。
[0053] 具體地，如圖3~圖4所示，所述全局電阻串31包括多個串聯(lián)的電阻，被分為2段， 分別為所述第一電阻串311及所述第二電阻串312。
[0054] 所述第一電阻串311的一端連接于所述第二電阻串312,另一端接地GND;所述第 一電阻串311中包括2m個相同阻值的電阻，阻值記為Lsb，其中m為控制所述第一單電壓選 擇模塊32的數(shù)字信號的位數(shù)，即所述精細分壓子DAC的精度。
[0055] 所述第二電阻串312的一端連接于所述第一電阻串311，另一端連接于所述參考 電壓VH，在本實施例中，所述參考電壓％為大于0V的電壓；所述第二電阻串312中包括 (2nm-l)個阻值相同的電阻，阻值記為R"SB，其中（n-m)為控制所述第二單電壓選擇模塊33 的數(shù)字信號的位數(shù)，即所述粗略分壓子DAC的精度。所述第二電阻串與所述第一電阻串中 電阻的阻值滿足如下關系：RMSB= 2m&SB。
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