04、第六介質(zhì)層106、第七介質(zhì)層107、第八介質(zhì)層108和第九介質(zhì)層109的厚度為46 μπι或35 μπι。所述第五介質(zhì)層105的厚度為64 μm。所述第一介電層301和第十介電層310的厚度為31 μπι。所述第二介電層302、第三介電層303、第四介電層304、第五介電層305、第六介電層306、第七介電層307、第八介電層308和第九介電層309的厚度為 25±5 μπι。
[0035]所述超薄介質(zhì)層的電路板的制作工藝，包括以下步驟:
(1)如圖4-1所示，準(zhǔn)備內(nèi)層基材400，內(nèi)層基材采用FR4基板，厚度為64ym，F(xiàn)R4基板的正反面均具有銅箔；
(2)開天窗:如圖4-2所示，在內(nèi)層基板400正面的銅箔上進(jìn)行蝕刻開天窗401; (3)鐳射鉆孔:如圖4-3所示，在開設(shè)的天窗401處進(jìn)行鐳射鉆孔，得到與內(nèi)層基材背面銅箔連通的鉆孔402 ;所述鐳射鉆孔采用三菱鐳射鉆孔機(jī)直接打銅技術(shù)(銅面需做棕化/黑化處理，以利于鐳射激光能量吸收)；
(4)填孔電鍍:如圖4-4所示，在步驟(3)得到的鉆孔402中進(jìn)行進(jìn)行填孔電鍍工藝；
(5)蝕刻:如圖4-5所示，在內(nèi)層基材400正反兩面的銅箔上進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形，得到介電層；
(6)壓合:如圖4-6所示，在內(nèi)層基材400的正反兩面壓合介質(zhì)層403和銅箔404，介質(zhì)層403采用1037半固化片或1027半固化片，1037半固化片的厚度為46 μ m，1027半固化片的厚度為35 μ m，銅箔404的厚度為12 μ m ;
(7)蝕薄銅:將步驟(6)壓合后正反兩面的銅箔404進(jìn)行蝕薄處理，降低銅厚，蝕薄后銅箔404的厚度為7?8μπι;
(8)鐳射鉆孔:如圖4-7所示，在經(jīng)步驟(7)蝕薄后的銅箔404上進(jìn)行直接打銅技術(shù)，形成鉆孔405，鉆孔405連通介質(zhì)層403內(nèi)層的銅箔；所述鐳射鉆孔采用三菱鐳射鉆孔機(jī)直接打銅技術(shù)，省去開天窗工序，提高了鐳射鉆孔對(duì)位精度，并且省去閃鍍工序，后續(xù)直接填孔電鍍生產(chǎn)；
(9)填孔電鍍:如圖4-8所示，在鉆孔405中進(jìn)行填孔電鍍工藝，填孔電鍍后銅箔404的厚度為25 μπι ;
(10)重復(fù)步驟(5)?步驟(9)，得到所需層數(shù)的介質(zhì)層和介電層，以10層板為例，重復(fù)步驟(5)?步驟(9)，得到9層介質(zhì)層和10層介電層；
(11)對(duì)最外層的介電層進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形；最外層的介電層可以不進(jìn)行蝕薄銅處理，厚度為31 μπι;在最外層的介電層上印刷綠油，得到防焊層，得到最終產(chǎn)品，如圖3所不O
[0036]本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):(1)本發(fā)明通過優(yōu)化電鍍條件及底銅選擇，降低面銅厚度；內(nèi)層基板在鐳射鉆孔生產(chǎn)后，使用垂直連續(xù)電鍍線生產(chǎn)，可不用做閃鍍工序，直接一步到位實(shí)現(xiàn)鐳射孔填孔電鍍(電鍍填孔率多80%)，既保證填孔飽滿，又可降低面銅厚度(少做一次閃鍍)，利于后續(xù)蝕刻生產(chǎn)，并在壓合生產(chǎn)中，由于銅厚降低，可選用更薄的半固化片材料進(jìn)行壓合生產(chǎn)。(2)本發(fā)明使用鐳射直接打孔技術(shù)，減小鐳射孔大小，減少電鍍銅的厚度；壓合后，利用三菱鐳射鉆孔機(jī)可直接打銅技術(shù)，省去開天窗工序，提高了鐳射鉆孔對(duì)位精度，并且同內(nèi)層基板做法一樣省去閃鍍工序，利用直接填孔電鍍生產(chǎn)。(3)本發(fā)明通過使用更薄厚度的粘結(jié)片材料進(jìn)行壓合生產(chǎn)，降低壓合后成品板板厚。(4)以10層板為例(如圖3所示)，PCB成品板厚比現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)品要薄300um左右。
[0037]本發(fā)明可以用在電路板行業(yè)的終端智能手機(jī)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品中，采用直接填孔電鍍工藝及鐳射直接鉆孔工藝，再通過使用更薄的半固化片材料進(jìn)行壓合生產(chǎn)，最終達(dá)成降低PCB成品板厚的要求。使用本發(fā)明的制作方法，可以有效減少制程生產(chǎn)工序，降低了制作成本，并且使用更薄半固化材料，可以滿足市場(chǎng)智能電子產(chǎn)品更薄更輕的需求。另外，本發(fā)明通過控制每層介電層厚度，搭配使用更薄介質(zhì)層材料，保證板內(nèi)填膠充足，無缺膠空洞異常，這樣可以滿足減低PCB成品板厚的要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超薄介質(zhì)層的電路板，其特征是:包括中間介質(zhì)層，在中間介質(zhì)層的正面和背面對(duì)稱設(shè)置多個(gè)介質(zhì)層，在介質(zhì)層中分別設(shè)置介電層，在最外層的介質(zhì)層表面設(shè)有外層介電層和防焊層；所述中間介質(zhì)層的厚度為64 μ m，介質(zhì)層的厚度為46 μπι或35 μ m，介電層的厚度為25±5 μm，最外層介電層的厚度為31 μπι,防焊層的厚度為10 μπι。2.如權(quán)利要求1所述的超薄介質(zhì)層的電路板，其特征是:所述中間介質(zhì)層正面的介質(zhì)層從上至下依次為第一介質(zhì)層(101)、第二介質(zhì)層(102)、第三介質(zhì)層(103)和第四介質(zhì)層(104)，中間介質(zhì)層背面的介質(zhì)層從上至下依次為第六介質(zhì)層(106)、第七介質(zhì)層(107)、第八介質(zhì)層(108)和第九介質(zhì)層(109)，在第一介質(zhì)層(101)的表面和第九介質(zhì)層(109)的表面分別具有第一防焊層(201)和第二防焊層(202)，在第一防焊層(201)中設(shè)有第一介電層(301)，在第一介質(zhì)層(101)中設(shè)有第二介電層(302)，在第二介質(zhì)層(102)中設(shè)有第三介電層(303)，在第三介質(zhì)層(103)中設(shè)有第四介電層(304)，在第四介質(zhì)層(104)中設(shè)有第五介電層(305)，在第六介質(zhì)層(106)中設(shè)有第六介電層(306)，在第七介質(zhì)層(107)中設(shè)有第七介電層(307)，在第八介質(zhì)層(108)中設(shè)有第八介電層(308)，在第九介質(zhì)層(109)中設(shè)有第九介電層(309 )，在第二防焊層(202 )中設(shè)有第十介電層(310 )。3.一種超薄介質(zhì)層的電路板的制作工藝，其特征是，包括以下步驟: (1)準(zhǔn)備內(nèi)層基材(400)，內(nèi)層基材采用FR4基板，厚度為64μ m，F(xiàn)R4基板的正反面均具有銅猜； (2)開天窗:在內(nèi)層基板(400)正面的銅箔上進(jìn)行蝕刻開天窗(401); (3)鐳射鉆孔:在步驟(2)開設(shè)的天窗(401)處進(jìn)行鐳射鉆孔，得到與內(nèi)層基材(400)背面銅箔連通的鉆孔(402); (4)填孔電鍍:在步驟(3)得到的鉆孔(402)中進(jìn)行進(jìn)行填孔電鍍工藝； (5)蝕刻:在內(nèi)層基材(400)正反兩面的銅箔上進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形，得到介電層； (6)壓合:在內(nèi)層基材(400)的正反兩面壓合介質(zhì)層(403)和銅箔(404)，介質(zhì)層(403)采用1037半固化片或1027半固化片，1037半固化片的厚度為46 μ m，1027半固化片的厚度為35 μ m，銅箔(404)的厚度為12 μπι; (7)蝕薄銅:將步驟(6)壓合后正反兩面的銅箔(404)進(jìn)行蝕薄處理，蝕薄后銅箔(404)的厚度為7?8 μπι ; (8)鐳射鉆孔:在經(jīng)步驟(7)蝕薄后的銅箔(404)上進(jìn)行鐳射鉆孔形成鉆孔(405)，鉆孔(405)連通介質(zhì)層(403)內(nèi)層的銅箔； (9)填孔電鍍:在鉆孔(405)中進(jìn)行填孔電鍍工藝，填孔電鍍后銅箔(404)的厚度為25 μ m ； (10)重復(fù)步驟(5)?步驟(9)，得到所需層數(shù)的介質(zhì)層和介電層； (11)對(duì)最外層的介電層進(jìn)行蝕刻，形成線路圖形；在最外層的介電層上制作防焊層，得到超薄介質(zhì)層的電路板。4.如權(quán)利要求1所述的超薄介質(zhì)層的電路板的制作工藝，其特征是:所述最外層的介電層的制作過程為:壓合介質(zhì)層和銅箔后，直接進(jìn)行鐳射鉆孔，再進(jìn)行填孔電鍍，蝕刻形成線路圖形，得到厚度為31 μπι的最外層介電層。5.如權(quán)利要求1所述的超薄介質(zhì)層的電路板的制作工藝，其特征是:所述防焊層通過印刷綠油得到。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種超薄介質(zhì)層的電路板及其制作工藝，特征是，包括以下步驟：（1）準(zhǔn)備內(nèi)層基材；（2）在內(nèi)層基板正面的銅箔上進(jìn)行蝕刻開天窗；（3）在開設(shè)的天窗處進(jìn)行鐳射鉆孔；（4）在鉆孔中進(jìn)行填孔電鍍工藝；（5）在內(nèi)層基材正反兩面的銅箔上進(jìn)行蝕刻，得到介電層；（6）在內(nèi)層基材的正反兩面壓合介質(zhì)層和銅箔；（7）將銅箔進(jìn)行蝕薄處理；（8）在銅箔上進(jìn)行鐳射鉆孔形成鉆孔；（9）在鉆孔中進(jìn)行填孔電鍍工藝；（10）重復(fù)步驟（5）～步驟（9），得到所需層數(shù)的介質(zhì)層和介電層；（11）對(duì)最外層的介電層進(jìn)行蝕刻，制作防焊層，得到超薄介質(zhì)層的電路板。本發(fā)明通過控制每層介電層厚度，使用更薄介質(zhì)層材料，滿足減低PCB板厚的要求。
【IPC分類】H05K1/02, H05K3/46
【公開號(hào)】CN105101623
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510535311
【發(fā)明人】卞華昊
【申請(qǐng)人】高德（無錫）電子有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日